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助熔剂法制备的LaMgAl_(11)O_(19)∶Eu^(n+)(n=2,3)的发光特性被引量：6: 2006年; LaMgAl11O19∶Eun+ (n=2,3) was synthesized by solid state reaction using H3BO3 as a flux at 1 400 ℃ for 4 hours. And their luminescent properties was investigated under UV and VUV excitation. Strong pure blue emission due to d-f transition of Eu2+ was observed in LaMgAl11O19∶Eu2+ both in 254 nm and 147 nm excitation. At the same time, red emission due to 5D0 → 7FJ (J=0, 1, 2, 3, 4) transition of Eu3+ also observed in LaMgAl11O19∶Eu3+. The dependence of emission intensity of blue/red emission on Eu2+ / Eu3+-content was evaluated. The result indicated that the blue emission intensity was arrived optimum when Eu2+-content was 0.10 mol·mol-1 under both UV and VUV excitation while red emission intensity reached optimum when Eu3+-content was 0.125 mol·mol-1 under UV excitation. This suggests that LaMgAl11O19∶Eu2+ phosphors could be potential blue phosphor for the application in PDP.; 徐进章张志华王育华; 关键词：助熔剂

溶胶-凝胶法制备MgF_2包覆BaMgAl_(10)O_(17):Eu荧光粉及其发光特性被引量：16: 2004年; 用溶胶凝胶法在等离子显示屏(PDP)用蓝色荧光粉BaMgAl10O17∶Eu(BAM)的表面上成功地包覆了MgF2膜,并研究了其发光与热衰减特性。XPS和SEM结果表明BAM荧光粉颗粒表面上形成了MgF2包覆膜。对包覆样品和未包覆样品的发光特性研究表明:在254nm激发下,最佳包覆量为0.2%(质量比),其在600℃热处理30min后包覆样品的发光强度比未包覆样品的发光强度约高12%。在147nm激发下,最佳包覆量为0.5%,其在600℃热处理30min后的发光强度比未包覆样品的发光强度高15%。这表明对BAM荧光粉进行表面包覆MgF2可以有效地稳定荧光粉的发光性能。这一结果不仅对提高PDP性能有重要意义,而且对开发无汞荧光灯用荧光粉等也具有指导意义。; 李峰王育华; 关键词：无机非金属材料溶胶-凝胶法包覆

红色蓄光材料Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+的硫熔法制备及其发光性能: 用硫熔法制备了系列红色蓄光材料Y2O2S:Eu3+x(0.01≤X≤0.10)的多晶粉末样品并系统研究了其发光特性。XRD结果表明,晶胞参数c随着Eu3+含量的逐渐增大而增大,而晶胞参数a没有明显的线性变化关系,这与Y2...; 王治龙王育华; 关键词：蓄光材料; 文献传递

LaMgAl_(11)O_(19):Tb的助熔剂法制备及其发光特性被引量：7: 2006年; 以H3BO3作助熔剂,用高温固相法在1400℃、保温4h的条件下成功制备了LaMgAl11O19:Tb单相粉末样品并研究了其紫外光、真空紫外光激发下的一系列发光特性。在紫外光(254nm)、真空紫外光(147nm)激发下,观察到Tb3+很强的5D4→7FJ(J=6,5,4,3)的跃迁发光。分析了LaMgAl11O19:Tb3+的发光强度与Tb3+掺杂浓度的关系。; 徐进章张志华王育华; 关键词：助熔剂 PHOSPHOR

助熔剂法制备LaMgAl11O19:Mn及其紫外真空紫外下发光特性: LaMgAl11O19属于畸变的磁铅矿结构,因镜面上的一小部分La位置被O2-占据而发生离子重排,进而产生了有利于Mn占据的Al—O四面体中心位置。可预期在该结构中能提高Mn的掺杂浓度。其次,Gd的掺入将取代镜面层中La...; 张志华徐进章王育华; 文献传递

(Y,Gd)VO_4∶Eu^(3+)的紫外-真空紫外发光特性被引量：6: 2006年; 用高温固相法合成了Y1-xGdxVO4∶Eu3+(0≤x≤1)系列单相样品并研究了其发光特性。在254nm激发下,观察到最大强度位于619nm的红色发射峰且其强度在Y/Gd=0.4/0.6时达到最大。在147nm激发下的发射峰与紫外下的一致,发射强度也是在Y/Gd=0.4/0.6时达到最大,大约是商用(Y,Gd)BO3∶Eu3+荧光体的65%。619nm监控下的真空紫外激发光谱由峰值位于158nm,204nm,247nm以及300nm的系列激发带组成,归属于钒酸根的基质吸收以及Gd3+、Y3+和Eu3+的电荷迁移带吸收。相对(Y,Gd)BO3∶Eu3+中Eu3+占据中心对称格位,(Y,Gd)VO4∶Eu3+中Eu3+占据非中心对称格位,其真空紫外下光谱色纯度更好。色坐标分别为(0.632,0.355),(0.672,0.328)。; 王斌王育华左银燕; 关键词：PHOSPHORS

CaSiO_3:Mn,Pb-B_2O_3系化合物的合成及其UV和VUV发光特性: 2006年; 以CaSiO3-B2O3系化合物为研究对象、Mn作为发光中心,探索了其作为高亮度发光材料的可能性。用高温固相法于1150℃、3h、N2气氛下合成了CaSiO3∶0.066Mn,0.008Pb-B2O3系列单相粉末样品并研究了其发光特性。结果表明,当B/(B+Si)质量比≤0.3时样品为-βCaSiO3单相,随着B2O3含量的变化,没有观察到X射线位置的明显变化,这说明B的固容量有限。当B/(B+Si)质量比0.3时发现有杂质相。在254nm激发下,观察到最大强度位于617nm的红色发射峰且B/(B+Si)质量比=0.3时达到最大。147nm真空紫外激发下的发射峰和紫外激发下的一致,发射强度也在B/(B+Si)质量比=0.3时达到最大;617nm监控下的VUV激发光谱由峰值位于185和253nm的两个激发带构成,分别归属于基质吸收和激活离子激发。; 张稚雅王育华; 关键词：荧光体

GdMgB5O10:Eu的湿化学法制备及其紫外真空紫外激发下的发光特性: 由于GdMgB5O10的结构是由两个无限的空间B-O层组成,他们是平行于()面、由La和Mg连接在一起,这样的结构有利于稀土离子高的掺杂浓度。另一方面,Gd有丰富的能级结构,并能有效的将能量传递给Eu离子,因此选择GdM...; 高秀平王育华徐进章; 文献传递

BaMgAl_(10)O_(17):Eu^(2+)的硝酸盐热分解法合成及其发光特性研究被引量：6: 2004年; 以Ba(NO3)2、Al(NO3)3·9H2O、Mg(NO3)2·6H2O和Eu(NO3)3为初始原料,首次用硝酸盐热分解法在1300℃左右合成了单相Ba1-xMgAl10O17∶xEu2+(0.02≤x≤0.16)并表征了其发光特性。结果表明,硝酸盐热分解法的合成温度比传统的高温固相法降低了近300℃,且合成出的荧光粉体色白、亮度好、结构松散且无烧结现象。在254nm紫外光激发下,Ba1-xEuxMgAl10O17(0.02≤x≤0.16)的最强峰在450nm左右,属于Eu2+的4f65d→4f7(8S7/2)宽带允许跃迁;当x=0.1时发光强度最高。用硝酸盐热分解法合成的样品较传统高温固相法所得样品的发光强度强。; 都云昆王育华张占辉; 关键词：荧光粉铒离子掺杂

基于p型金属氧化物半导体异质复合结构气体传感器的研究: 近年来，物联网技术发展迅速导致传感器需求旺盛，而气体传感器作为传感器大家族的一支，在大气环境监测、工农业生产、智慧医疗和家居安全等领域发挥着重要作用。因此，大力发展和开发高性能气体传感器具有重要意义。本论文围绕提高目前研...; 张欢; 关键词：金属氧化物气体传感器; 文献传递

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