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福建省科技重点项目(2005H029)

作品数:8 被引量:29H指数:3
相关作者:于映罗仲梓张国成张红江浩更多>>
相关机构:福州大学厦门大学苏州市江海通讯发展实业有限公司更多>>
发文基金:福建省科技重点项目福建省科技厅资助项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇带隙基准
  • 2篇电路
  • 2篇电压
  • 2篇译码
  • 2篇译码器
  • 2篇开关
  • 1篇带隙
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇低温漂
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷分布
  • 1篇电流
  • 1篇电流特性
  • 1篇电台
  • 1篇电压电路
  • 1篇电压源
  • 1篇杨氏模量

机构

  • 7篇福州大学
  • 2篇厦门大学
  • 1篇苏州市江海通...

作者

  • 5篇于映
  • 2篇陈新
  • 2篇赖松林
  • 2篇罗仲梓
  • 2篇江浩
  • 2篇张红
  • 2篇张国成
  • 1篇王培森
  • 1篇吴清鑫
  • 1篇彭慧耀
  • 1篇吴剑龙
  • 1篇杨瑞聪
  • 1篇王春光

传媒

  • 3篇现代电子技术
  • 2篇电子工程师
  • 1篇应用科技
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 7篇2007
  • 1篇2006
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用被引量:15
2006年
氮化硅薄膜具有致密的结构、高强度和良好的耐磨性能,可用于MEMS器件中作为结构部件.本文采用PECVD法制备氮化硅薄膜,对氮化硅薄膜的杨氏模量和硬度进行了测试,并分析了沉积温度、反应气体流量比对薄膜杨氏模量和硬度的影响.应用氮化硅薄膜作为悬梁,制作了射频MEMS开关.
于映吴清鑫罗仲梓
关键词:氮化硅薄膜杨氏模量MEMS射频开关
一种带曲率补偿、工作电压1.2V、可调带隙基准电压电路被引量:3
2007年
在分析常规带隙基准电路的基础上,设计了一种带曲率补偿可调节的带隙基准电压电路,并且具有良好的温度系数。电路设计和仿真工具使用Cadence的Spectre。采用SMIC标准0.25μmCMOS工艺。电路中包含的运放为两级放大电路,开环增益为85dB。带隙基准电压电路采用并联电阻的简单电路实现了有效的曲率补偿,在2.5V工作电压下,-25-125℃,TC=3.10ppm/℃,功耗为0.859mW。电路也可以在1.2V电压下工作,-25-125℃,TC=5.34ppm/℃,功耗为0.36mW。
杨瑞聪赖松林江浩于映
关键词:带隙基准曲率补偿电压电路运放设计
一种采用双采样技术的高性能采样保持电路
2007年
介绍了一种高性能的采样保持电路。他采用双采样结构,使得在同样性能的运算放大器条件下,采样速率成倍提高,降低对运放的要求;使用补偿技术的两级运算放大器有较高增益和输出摆幅;采用栅压自举电路,消除开关导通电阻的非线性,减小电荷注入效应和时钟溃通。在SMIC 0.25μm标准工艺库下仿真,该采样保持电路可试用于高速高精度流水线ADC。
吴剑龙于映
关键词:采样保持栅压自举开关运算放大器
以DDS为参考的PLL在现代电台设计中的应用
2007年
介绍了DDS(直接数字频率合成)技术及PLL(锁相环)频率合成技术的工作原理及特点,给出了现代电台设计中基于DDS的频率合成器的设计方案。采用DDS输出作为参考的PLL频率合成器非常适合用做现代电台的本振。
蒋英超
关键词:DDSPLL频率合成器电台
硅/玻璃键合技术在RF-MEMS开关制作中的应用被引量:3
2007年
介绍了一种新的RF-MEMS开关制作工艺,利用静电键合技术将表面微加工工艺与体硅加工工艺结合在一起完成开关上下电极的组合;说明了如何在普通环境下进行图形对准;通过静电力的理论计算和键合试验,分析了铝台阶对硅/玻璃静电键合的影响,得出铝台阶厚度低于100nm时键合效果较好;对有无铝台阶时的静电键合电流特性进行比较,分析了硅/玻璃界面电荷分布及其运动情况,为RF-MEMS开关的设计与制作提供了有意义的参考。
王培森于映罗仲梓彭慧耀
关键词:电流特性电荷分布
一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计被引量:5
2007年
带隙基准电压源是利用PN结电压的负温度系数和不同电流密度下两个PN结电压差的正温度系数电压相互补偿,而使输出电压达到很低的温度漂移。带隙电压基准具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压以及长期稳定性等优点。根据带隙基准电压源理论,在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上,采用一级温度补偿、电流反馈等技术,设计出了一种高精度、输出可调的带隙电压基准源。该电路具有精度高,输出电压可调,稳定性好,易于实现的特点。
张国成于映江浩赖松林张红
关键词:CMOS带隙电压源
大约束度Viterbi译码器中路径存储单元的设计被引量:1
2007年
维特比(Viterbi)译码器由于其优良的纠错性能,在通信领域有着十分广泛的应用。用FPGA实现Viterbi译码算法时,其硬件资源的消耗与译码速度始终是相互制约的两个方面,通过合理安排加比选单元和路径度量存储单元可有效缓解这一矛盾。基于基4算法所提出的同址路径度量存储管理方法能在提高译码速度同时有效降低译码器的硬件资源需求。
王春光陈新
关键词:VITERBI译码器FPGA
维特比译码器中幸存路径存储器的一种新的实现方法被引量:3
2007年
在维特比译码器中,幸存路径存储器管理的软件、硬件实现都是重要的问题.实现的方法不同,对于电路的影响也不同.在此提出了一种幸存路径存储器的新实现方法,与传统的回溯法和寄存器法相比,该方法具有存储器用量少、译码延迟小的特点.
张红陈新张国成
关键词:维特比译码器
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