国家自然科学基金(60476046)
- 作品数：47 被引量：147H指数：6
- 相关作者：杨银堂朱樟明蔡伟曹寒梅王宗民更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学中国航天北京微电子技术研究所东南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家部委资助项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源被引量：6
- 2008年
- 提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源.电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比.整个电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-45℃-125℃范围内的温度系数为12.9×10^-6/℃,频率为10 Hz时的电源抑制比为67.2 dB.该结构可应用于高速模数转换器的设计中.
- 曹寒梅杨银堂蔡伟陆铁军王宗民
- 关键词：带隙电压基准源
- 一种新型低压高精度CMOS电流源被引量：9
- 2005年
- 采用低压与温度成正比基准源和衬底驱动低压运算放大器电路,设计了一种新型的低压高精度CMOS电流源电路,并采用TSMC0 25μmCMOSSpice模型进行了电源特性、温度特性及工艺偏差的仿真.在室温下,当电源电压处于1 0～1 8V时,低压电流源输出电流Iout约为12 437～12.497μA;当温度在0～47℃范围内,输出电流为12 447μA;各种工艺偏差条件下的最大绝对偏差为0 54μA,与典型工艺模型下的相对偏差为4 34%.
- 朱樟明杨银堂尹韬
- 关键词：电流源CMOS衬底驱动
- 高速D/A转换器输出跨导模型及对无杂波动态范围的影响
- 2006年
- 基于无缓冲差分输出电流舵D/A转换器,建立电流源及输出电路的s域线性模型,分析输入码变化所引起的输出跨导的变化,以及对输出电流的影响。采用直流和交流量分离的方法,利用傅里叶级数,获得输出跨导对无杂波动态范围(SFDR)的影响的近似公式。采用Matlab建立高层次模型进行仿真验证。结果表明,输出跨导较大时,输出跨导与SFDR呈近似线性关系。
- 朱樟明杨银堂
- 关键词：D/A转换器
- 一种1.5V 8位100 MS/s电流舵D/A转换器被引量：1
- 2006年
- 基于新型的低压与温度成正比(PTAT)基准源和PMOS衬底驱动低压运算放大器技术,采用分段温度计译码结构设计了一种1.5V8位100MS/s电流舵D/A转换器,工艺为TSMC0.25μm2P5MCMOS。当采样频率为100MHz,输出频率为20MHz时,SFDR为69.5dB,D/A转换器的微分非线性误差(DNL)和积分非线性误差(INL)的典型值分别为0.32LSB和0.52LSB。整个D/A转换器的版图面积为0.75mm×0.85mm,非常适合SOC的嵌入式应用。
- 朱樟明杨银堂刘帘曦
- 关键词：低压电流源互补金属氧化物半导体
- 一种采用0.5μm CMOS工艺的多通道SAR ADC被引量：2
- 2007年
- 设计并实现了一个多通道12位逐次逼近(SAR)A/D转换器。转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型DAC等。整体电路采用Hspice进行仿真,转换速率为133 ksps,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.48 mA。芯片基于0.5μmCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.4 mm×2.3 mm,流片测试满足设计指标。
- 彭新芒杨银堂朱樟明
- 关键词：CMOS工艺
- 一种基于衬底驱动的亚1V轨至轨运放设计
- 2008年
- 基于衬底驱动技术,本文设计了一种亚1V Rail-to-Rail运算放大器。在差分对衬底端加信号避开低压环境MOS管阈值电压限制,运用局部正反馈技术来增加增益和带宽。在0.8V电源电压,18pf的电容负载下用Hspice仿真,结果表明:直流增益达74.1dB,相位裕度为62o,单位增益带宽为4.56MHz,输出范围达2.72～782.17mV,失调电压仅为12μV,功耗为144.2μW。
- 朱冬勇杨银堂朱樟明陈杉
- 关键词：衬底驱动RAIL-TO-RAILCMOS运算放大器
- 一种0.8V衬底驱动轨对轨运算放大器设计被引量：2
- 2009年
- 采用衬底驱动技术设计低压低功耗轨对轨运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET,有效避开阈值电压限制,将电源电压降至0.8V,实现低压下轨对轨共模输入范围。增加衬底驱动冗余差分对及反折式共源共栅求和电路实现恒定跨导控制,消除共模电压对输入级跨导的影响,输出采用前馈式AB类输出级,以提高动态输出电压范围。基于标准0.18μmCMOS工艺仿真运放,测得输出范围0.4～782.5mV,功耗48.8μW,电源抑制比58dB,CMRR65dB,直流开环增益63.8dB,单位增益带宽2.4MHz,相位裕度68°。版图设计采用双阱交叉空铅技术,面积为97.8μm×127.6μm。
- 杨银堂李娅妮朱樟明
- 关键词：衬底驱动低压低功耗轨对轨恒定跨导
- 一种基于衬底驱动PMOS晶体管的低压共源共栅电流镜被引量：1
- 2007年
- 基于衬底驱动PMOS晶体管设计了低压PMOS衬底驱动CMOS共源共栅电流镜电路(BDCCM),并讨论分析了其输入阻抗、输出阻抗和频率特性。基于TSMC 0.25μm 2P4M CMOS工艺的仿真和测试结果说明,BDCCM的最低输入压降要求只有0.3V,但是其输入输出线性度和频率带宽要比传统的共源共栅电流镜低,是低频低压CMOS模拟集成电路设计的新型高性能共源共栅电流镜。
- 朱樟明杨银堂尹韬张海军张宝君
- 关键词：衬底驱动电流镜CMOS低压低功耗
- 基于Verilog HDL的UART IP的设计被引量：4
- 2007年
- 通用异步接收发送器具有可编程性和高度兼容性,在嵌入式系统设计中得到了广泛的应用。介绍了一种利用Verilog HDL语言设计UART核心功能的方法,具体描述了发送、接收、同步FIFO以及波特率发生器模块的设计,最后给出了该核心模块的整体功能仿真和综合结果。结果表明该UART功能正确、稳定、可靠,可以很好地应用于异步通讯中。
- 李秋菊杨银堂高海霞
- 关键词：VERILOGHDL先入先出
- 一种基于衬底驱动技术的亚1V CMOS混频器
- 2007年
- 讨论了衬底驱动的工作原理。基于衬底驱动NMOS晶体管,对Gilbert混频器电路结构进行改进设计,实现了超低压混频器。基于TSMC 0.25μm CMOS工艺的BSIM3V3模型,采用Hspice,对混频器进行了仿真。结果显示,该混频器在0.8 V单电源电压下,仍可以对2.4 GHz的正弦信号进行混频,转换增益为-8.5 dB,三阶输入截止点的值为28.4 dB。
- 商科梁朱樟明杨银堂
- 关键词：衬底驱动CMOS
