国家自然科学基金(51102037)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：罗文博吴传贵陈冲钱东培蔡光强更多>>
- 相关机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- PZT含量对PZT/PVDF复合材料性能的影响被引量：3
- 2012年
- 采用流延工艺,在ITO玻璃衬底上制备了不同质量分数的锆钛酸铅(PZT)/聚偏氟乙烯(PVDF)热释电复合材料。采用X射线衍射方法对复合材料极化前后的物相变化进行了对比分析,通过扫描电子显微镜分析了不同PZT质量分数复合材料的界面特征。从热释电探测器件的实际要求出发,利用介电阻抗测试仪、动态法热释电系数测试系统等仪器系统地测试了复合材料体系中PZT含量对材料热释电性能和介电性能的影响。结果显示,在PZT质量分数为50%时,制得了热释电系数p为4.1nC/(cm2.K)的性能优良的热释电复合材料。
- 蔡光强罗文博吴传贵陈冲钱东培
- 关键词：热释电性
- PZT厚膜与Si衬底互扩散阻挡层研究
- 2013年
- 在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,利用电泳沉积制备PZT热释电厚膜材料。为防止Pb和Si互扩散,在Pt底电极与SiO2/Si衬底间通过直流磁控溅射制备了TiOx薄膜阻挡层。对具有0、300nm和500nm TiOx阻挡层的PZT厚膜材料用SEM和能量色散谱仪(EDS)表征了Pb和Si互扩散情况,用动态热释电系数测量仪测试了热释电系数。结果表明,当TiOx阻挡层为500nm时,可阻挡Pb和Si互扩散,热释电性能最好。热释电系数p=1.5×10-8 C.cm-2.K-1,相对介电常数εr=170,损耗角正切tanδ=0.02,探测度优值因子Fd=1.05×10-5Pa-0.5。
- 陈冲吴传贵彭强祥罗文博张万里王书安
- 关键词：直流磁控溅射
- PMN-PT/P(VDF-TrFE)复合材料的制备与电性能研究
- 2015年
- 以铌铁矿预产物法合成的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷粉体和聚二氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VDF-TrFE)为原料,采用流延法在ITO衬底上制备了不同质量配比的PMN-PT/P(VDF-TrFE)复合厚膜。采用XRD及SEM分别分析了PMN-PT粉体的物相结构和复合材料的界面特征。通过测试复合材料的介电-温度曲线,计算出加载在陶瓷相上的极化分压与温度的关系,得到优化的极化温度。与常规的分步极化相比,探讨了在优化极化条件下陶瓷相含量对复合材料热释电性能的影响,结果表明在极化温度为110℃,PMN-PT质量分数为55%时,得到了热释电系数为58.6μC/(m2·K)的热释电复合厚膜材料。
- 孟佳罗文博吴传贵孙翔宇张平俞玉澄帅垚
- 关键词：热释电性
