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基于MEMS技术研制RF硅基微电感线圈被引量：1: 2010年; 在分析了硅基上金属线圈的串联电阻、金属层厚度等在低频和高频的情况下对Q的影响及原因的基础上,提出了一种在硅杯表面采用浓硼扩散区与镀金属膜形成的欧姆接触电极作为内引线的硅基电感的新制造方法。设计了硅基电感的版图尺寸和相关的工艺流程,用IntelliSuite软件模拟验证了工艺流程的可能性,再利用Ansys有限元软件中的电磁分析模块模拟了电流与磁感应强度的关系、衬底涡流分布等,为平面电感的理论与实验的进一步比较分析提供了参考依据。在研制过程中发现影响电感性能好坏的主要因素是衬底涡流效应,为此提出了在矩形硅杯膜上制作电感的方法,为了进一步减薄金属电感线圈衬底的厚度,在硅杯膜背面采用激光打孔得到了膜厚约为5μm的衬底,从而可以使衬底中的涡流大幅度减少、电感的Q值得到很大提高。此外,提出的新制造方法采用了绝缘性能比SiO2好的Al2O3薄膜作为电感线圈与衬底之间的绝缘层。结果表明,设计的平面螺旋电感具有制造工艺简单、与IC工艺相兼容的优点,有广泛的应用前景。; 温殿忠潘择群杨子江张海燕冯昌浩; 关键词：MEMS 内引线激光打孔

Fabrication and characteristics of the nc-Si/c-Si heterojunction MAGFET被引量：2: 2009年; A MAGFET using an nc-Si/c-Si heterojunction as source and drain was fabricated by CMOS technology, using two ohm-contact electrodes as Hall outputs on double sides of the channel situated 0.7L from the source. The experimental results show that when VDS = -7.0 V, the magnetic sensitivity of the single nc-Si/c-Si heterojunction magnetic metal oxide semiconductor field effect transistor （MAGFET） with an L ： W ratio of 2 ： 1 is 21.26 mV/T, and that with an L ： W ratio of 4 ： 1 is 13.88 mV/T. When the outputs of double nc-Si/c-Si heterojunction MAGFETs with an L ： W ratio of 4 ： 1 are in series, their magnetic sensitivity is 22.74 mV/T, which is an improvement of about 64% compared with that of a single nc-Si/c-Si heterojunction MAGFET.; 赵晓锋温殿忠

纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性被引量：5: 2008年; 给出一种纳米多晶硅薄膜压力传感器,采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜,基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构,实现对外加压力的检测.实验结果表明,当硅膜厚度75μm时,纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源5.0V供电时,满量程(160kPa)输出为24.235mV,灵敏度为0.151mV/kPa,精度为0.59%F.S,零点温度系数和灵敏度温度系数分别为-0.124%/℃和-0.108%/℃.; 赵晓锋温殿忠; 关键词：MEMS技术压力传感器温度系数

PECVD法制备纳米晶粒多晶硅薄膜被引量：1: 2008年; 采用射频等离子体增强化学气相沉积系统（RF-PECVD）以高纯SiH4为气源在P型〈100〉晶向单晶硅片上、衬底温度600℃、射频（13.56MHz）电源功率50W时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、Raman光谱、AFM测量和分析薄膜微结构及表面形貌,实验结果表明,退火温度为800℃时非晶硅薄膜晶化,形成择优取向为〈111〉晶向的多晶硅薄膜;退火温度增加,Raman谱TO模和TA模强度逐渐减弱;AFM给出800℃退火后薄膜晶粒明显细化,形成由20~40nm大小晶粒组成的多晶硅薄膜,薄膜晶粒起伏程度明显减弱。; 赵晓锋温殿忠; 关键词：PECVD 纳米晶粒非晶硅多晶硅高温退火

利用MEMS技术研制硅脉象传感器被引量：3: 2010年; 利用MEMS技术在N型<100>晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-MOSFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOSFETs,并将P-MOSFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥结构,从而实现对微小脉象信号的准确检测。实验结果表明,该硅脉象传感器在恒压源-3.0V供电条件下,灵敏度为1.623mV/kPa,准确度为2.029%F.S。; 王璐温殿忠刘红梅田丽莫兵; 关键词：MEMS MOSFET

左手损耗介质电磁参量的表示方法被引量：3: 2008年; 作为研究损耗性左手材料的电磁特性的第一步是要解决其电磁参量的表达方式的问题。为此,分别利用复有效介电常数与复有效磁导率来表示左手介质的损耗特性,利用介质的电导率来表示左手介质的损耗特性这两种方法,推导出有损耗的左手介质的复波数、复波阻抗和复折射率的表达式,并将其与右手介质的表达式进行了比较。研究结果发现,损耗性左手介质的各电磁参量表达式均为复数形式;除了复波阻抗外,其它电磁参量的虚部均为正值,实部均为负值。最后推导出了两种表达方式之间的关系表达式。希望该研究结果可为左手损耗材料及相关问题如含有左手损耗材料的微波吸波体研究等提供有益的参考。; 张振辉王政平张凤婷; 关键词：左手材料

基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究被引量：9: 2008年; 采用直流磁控溅射法在p型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不同退火温度对室温生长ZnO薄膜微结构、表面形貌和I-V特性影响。实验结果表明,室温生长的ZnO薄膜为非晶态,随退火温度增加,ZnO薄膜出现(002)、(100)、(101)晶面衍射峰且逐渐增强,晶粒大小相对增加,在700℃退火后,呈高度c轴择优取向,晶粒间界明显,拉曼光谱E2模增强。; 赵晓锋温殿忠高来勖; 关键词：直流磁控溅射 ZNO薄膜晶粒晶粒间界

基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究(英文)被引量：2: 2015年; 采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶液EPW、射频溅射技术和等离子体刻蚀等工艺实现α-Si:H TFT的制作。在给出一般α-Si:H TFT特性分析和实验结果的基础上,又采用建模方式对α-Si:H TFT出现的负阻特性进行研究。提取纳米氢化非晶硅薄膜与栅氧化层界面处能带图的结果表明,在靠近漏端0.5μm范围内,漏压由6V增加到30V时,随漏压的增加,价带能量逐渐下降。研究结果表明,距离漏端0.5μm范围内的压降导致负阻特性产生。; 李蕾温殿忠李刚赵晓锋; 关键词：TFT SOI材料负阻特性

纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势补偿研究被引量：1: 2010年; 采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势VHO,不等位电势VHO随工作电压VDS绝对值增加而增大。通过在纳米硅/单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压VGS,调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿。实验结果表明,当外加磁场B=0时,工作电压VDS恒定时,随栅极偏置电压VGS绝对值增加,纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势VHO逐渐接近零位输出;采用栅极偏置电压进行不等位电势补偿较外加补偿电阻方法可以使磁传感器灵敏度得到提高,在工作电压VDS为-1.0 V时磁灵敏度约提高18%。; 赵晓锋温殿忠; 关键词：磁传感器不等位电势

基于MEMS制作n-Zn0/p-Si异质结及特性被引量：1: 2008年; 基于MEMS技术在p型<100>晶向双面抛光单晶硅片上制作C型硅杯,在C型硅杯上表面扩散p+,采用磁控溅射法在扩散区上制备择优取向为<0002>晶向的n-ZnO薄膜,形成n-ZnO/p-Si异质结。采用HP4280A型C-V特性测试仪分析n-ZnO/p-Si异质结的C-V特性,该异质结为突变结。采用HP4145B型半导体参数测试仪分析n-ZnO/p-Si异质结I-V特性,结果给出,n-ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,电流随外加偏压按指数函数增加,反向电流不饱和,采用突变异质结的正反向势垒能带结构对其I-V特性进行分析。; 赵晓锋温殿忠; 关键词：MEMS 异质结磁控溅射 ZNO薄膜

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