公共文化服务平台

共 7 条记录，以下是 1-7

全选清除导出

排序方式：

K_(0.5)Na_(0.5)NbO_(3^-)LiSbO_(3^-)BiFeO_3/CuFe_2O_4复合陶瓷的制备与磁电性能研究: 2013年; 采用传统的固相法制备了(1x)(K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiFeO3)-xCuFe2O4(x=0.1,0.2,0.3,0.4)磁电复合陶瓷,并借助X射线衍射仪、扫描电镜和磁电耦合系数测试仪等对复合陶瓷的微结构和性能进行了分析.结果表明,复合陶瓷的K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiFeO3和CuFe2O4物相之间发生了一定的离子相互扩散作用,且两相的颗粒大小匹配性较好.随着CuFe2O4含量增加,复合陶瓷的压电系数从130pC/N减小到30pC/N,饱和磁致伸缩系数从4.5×10-6增加到12.4×10-6左右,磁电耦合系数表现出先增加后减小,在x=0.3时获得最大的磁电耦合系数9.4mV·cm-1·Oe-1.; 袁昌来周秀娟轩敏杰许积文杨云刘心宇; 关键词：磁电耦合

Y替代对Y_n(Ba_(0.8)Bi_(0.2))_(1–n)Fe_(0.9)Sn_(0.1)O_3负温度系数热敏陶瓷电学性能的影响: 2014年; 采用传统的固相烧结法制备了Yn（Ba0.8Bi0.2）1–nFe0.9Sn0.1O3负温度系数热敏陶瓷。借助X射线衍射分析仪、扫描电镜、阻温测试仪和交流阻抗分析仪对这类热敏陶瓷的物相、显微结构、阻温特性和阻抗特征进行了表征分析。所得Yn（Ba0.8Bi0.2）1–nFe0.9Sn0.1O3热敏陶瓷为伪立方钙钛矿结构, 粒度约1.0 μm, 随Y含量增加晶格常数a变小; 其室温电阻率、热敏常数和活化能分别介于2.17~9.17 MΩ·cm、6757~7171 K和0.583~0.618 eV范围内, 且均随Y含量增加趋于增大。阻抗分析表明, 在n=0.02、0.04时, 陶瓷体电阻由晶界、晶壳和晶粒电阻构成, 其中晶粒电阻贡献最大; 而在n=0.06、0.08时, 陶瓷体电阻由晶界、畴壁和电畴三个部分构成, 其中电畴区域电阻贡献最大; 在限定的测量温度范围内, 晶界、晶壳、晶粒、畴壁和畴电阻均表现出负温度系数热敏行为。; 袁昌来骆颖周秀娟杨云陈国华刘心宇; 关键词：阻抗分析

Ba_(0.85)Ca_(0.15)Zr_(0.1)Ti_(0.9)O_3/CoFe_2O_4叠层复合陶瓷的制备与磁电耦合效应研究: 2013年; 以CoFe2O4压磁体、掺CuO和CeO2助烧剂的压电体Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3为基本叠层材料,采用界面固相熔融渗透法制备了掺助烧剂Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3-CoFe2O4叠层复合陶瓷。叠层复合陶瓷的压电压磁相叠层界面结合良好。随着压磁相与压电相厚度比比率的增加,叠层复合陶瓷的饱和磁致伸缩系数–λ从67×10-6增加到134×10-6、压电系数d33从340 pC/N逐渐减小到205 pC/N;磁电耦合系数先增大后减小,在厚度比为2、外磁场为100 mT时得到最大值3200 mV/(cm.mT)。; 袁昌来轩敏杰许积文刘心宇周昌荣杨云; 关键词：BA0 COFE2O4

BaCo_(0.02)~IICo_(0.04)~IIIBi_(0.94)O_3/BaSb_(0.04)Sn_(0.96)O_3复合热敏厚膜电学性能研究: 2014年; 采用丝网印刷工艺制备了BaCoII0.02CoIII0.04Bi0.94O3/BaSb0.04Sn0.96O3复合热敏厚膜。借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻温测试仪对复合热敏厚膜的微结构、电学性能进行了表征分析。结果表明复合热敏厚膜主相仍为钙钛矿结构的BaCoII0.02CoIII0.04Bi0.94O3和BaSb0.04Sn0.96O3,厚膜表面随BaCoII0.02CoIII0.04Bi0.94O3含量增加趋于致密均匀。复合热敏厚膜的烧结温度、室温电阻率(ρ25)、热敏常数(β25/85)和活化能(E a)随BaCoII0.02CoIII0.04Bi0.94O3含量的增加呈现下降趋势,其烧结温度、ρ25、β25/85和E a分别处于870~1000℃、2.5 kΩ·cm^2.35 MΩ·cm、2764~4030 K和0.238~0.348 eV范围内。; 成钧袁昌来骆颖杨云刘心宇苏学奋; 关键词：电学性能

Fe_2O_3掺杂(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3-Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3无铅压电陶瓷的制备与性能被引量：9: 2012年; 采用固相合成法制备了Fe2O3掺杂(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BCZT)无铅压电陶瓷。借助XRD、SEM、阻抗分析仪等对该陶瓷的相组成、显微结构以及压电和介电性能进行了研究。结果表明,Fe2O3掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度Tc从85℃提高到95℃;当Fe2O3掺杂为0.02wt%～0.1wt%时,陶瓷样品均为ABO3型钙钛矿结构;少量Fe2O3掺杂促进了陶瓷晶粒的生长,但随着Fe2O3掺杂量进一步增加,陶瓷晶粒随之细化;当Fe2O3掺杂量为0.04wt%时,陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为400 pC/N,0.40,51,0.023和3482。; 崔业让刘心宇袁昌来胡耀斌马家峰李文华; 关键词：无铅压电陶瓷 FE2O3 压电性能

Electrical properties of BaFe_(0.9)Sn_(0.1)O_(3)–BaCo_(0.02)^(Ⅱ)Co_(0.04)^(Ⅲ)Bi_(0.94)O_(3)composite thick-film thermistors: 2020年; The BaFe_(0.9)Sn_(0.1)O_(3)-BaCo_(0.02)^(Ⅱ)Co_(0.04)^(Ⅲ)Bi_(0.94)O_(3)composite thick films were prepared by screen printing.X-ray diffraction(XRD)analysis confirms that the composite films are still composed of BaFe_(0.9)Sn_(0.1)O_(3)-BaCo_(0.02)^(Ⅱ)Co_(0.04)^(Ⅲ)Bi_(0.94)O_(3)phases.For the prepared BaFe_(0.9)Sn_(0.1)O_(3)-BaCo_(0.02)^(Ⅱ)Co_(0.04)^(Ⅲ)Bi_(0.94)O_(3)composite thick films,a linear relationship between the logarithmic resistivity and the reciprocal of the absolute temperature is observed,indicating an excellent NTC thermistor characteristic.The values of resistivity at 25℃,thermistor constant and activation energy,decreasing with BaCo_(0.02)^(Ⅱ)Co_(0.04)^(Ⅲ)Bi_(0.94)O_(3)content increasing,are in the range of 8.9-92,990Ω·cm,1,126-3,777 K and 0.097-0.325 eV,respectively.Impedance analysis shows that at higher BaCo_(0.02)^(Ⅱ)Co_(0.04)^(Ⅲ)Bi_(0.94)O_(3)content,the electrical properties of the composite films are mainly attributed to the contribution of grains and grain boundaries.With the gradual decrease of BaCo_(0.02)^(Ⅱ)Co_(0.04)^(Ⅲ)Bi_(0.94)O_(3)content,the grain boundaries affect strongly the electrical properties of the composite films.; Chang-Lai YuanYing LuoQin FengYun YangXiu-Juan ZhouXin-Yu Liu

CuO/BaCo_(0.02)~ⅡCo_(0.04)~ⅢBi_(0.94)O_3共掺Ba_(0.5)Bi_(0.5)Fe_(0.9)Sn_(0.1)O_3热敏厚膜的微结构及电学性能研究被引量：1: 2014年; 采用丝网印刷工艺制备了CuO/BaCoⅡ0.02Co Ⅲ0.04Bi0.94O3共掺Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3热敏厚膜,并借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜及交流阻抗谱对厚膜的物相、形貌和电学性能进行表征分析。CuO的存在使得厚膜中的BaCoⅡ0.02Co Ⅲ0.04Bi0.94O3出现分解行为和非钙钛矿Ba-Bi氧化物的形成,厚膜主要由大量的颗粒链组成,单个颗粒链主要由Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3构成的小晶粒和低熔点的BaCoⅡ0.02Co Ⅲ0.04Bi0.94O3大晶粒组成。当厚膜中CuO含量添加至10%时,可获得最低的室温电阻率;300 h 150℃下,CuO含量为4%的厚膜老化率约为2.3%。厚膜的电学性能主要来自于晶界的贡献,较低温区内晶界表现为氧空位电导,较高温区下为电子与氧空位耦合电导。; 袁昌来刘心宇陈国华杨云骆颖周秀娟; 关键词：微结构

全选清除导出

共1页<1>

国家自然科学基金(51102055)