西北工业大学基础研究基金(JC20110247)
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
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- Zn基柱状ZnO取向生长机制被引量：2
- 2013年
- 通过预氧化处理在Zn基底上制备了ZnO颗粒膜,并由N2H4.H2O-水热体系制备了Zn基柱状ZnO阵列。实验发现,在Zn单一晶体学取向表面上柱状ZnO高度有序排列,据此提出了Zn基柱状ZnO的自由生长取向机制。水热反应条件下,ZnO微晶通常具有沿c轴优先生长的结晶习性,柱状体高度有序排列取决于ZnO晶核的状态。单一晶体学取向表面上晶核的状态一致,决定了ZnO柱状体取向一致。Zn基柱状ZnO阵列光致发光谱分析表明,在30～60 K之间,近带边激子发射峰强度呈现反常温度依赖的"负热淬灭"现象,该过程包含了两个无辐射过程和一个负热淬灭过程。
- 刘长友王金芳孙晓燕王泽温介万奇
- 关键词：氧化锌光致发光
- 室温反应合成ZnSe粉体工艺研究被引量：1
- 2012年
- 室内自然环境下在三乙醇胺(Triethanolamine,TEA)中利用硼氢化钾(KBH4)固相还原单质硒(Se),获得了稳定的硒氢酸根离子(HSe-)。在TEA中通过HSe-与ZnSO4.7H2O反应制备了橙黄色中间体。有机元素分析、全谱直读等离子体发射光谱(ICP)分析、红外光谱和紫外-可见光谱等测试结果表明,中间体由无机化合物组成。采用中间体分解、碱中和和二次还原工艺分别获得了初级、纯化和单相的ZnSe粉体。XRD和HRTEM测试结果表明,所制ZnSe粉体具有闪锌矿结构。室温荧光光谱测试结果显示样品在470nm和500nm具有强的荧光发射。
- 刘长友孙晓燕王涛查钢强介万奇
- 关键词：硒化锌室温反应固相还原
- Zn基ZnO纳米棒阵列的制备和发光特性被引量：2
- 2012年
- N2H4.H2O水热体系中,在Zn基底上制备出了ZnO纳米棒薄膜。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)及发致发光谱(PL)等分析测试手段,研究了ZnO薄膜的形貌结构和发光特性。结果表明,预处理工艺不同,Zn基底表面状态不同,ZnO薄膜形貌也不同。在经预氧化形核的Zn基底上易于制备ZnO纳米棒薄膜。在单一取向的Zn基面上,易于制备ZnO纳米棒阵列。PL测试分析表明,ZnO纳米棒有强的近带边紫外光发射峰和弱的缺陷发射峰。阵列棒本征发射峰强度最高、缺陷峰最弱,反映了该ZnO纳米棒结晶质量高。
- 王金芳孙晓燕刘长友介万奇
- 关键词：预处理ZNO纳米棒发光特性
- ZnSe亚微米管的制备及形成机制被引量：1
- 2014年
- 采用牺牲Zn基片上ZnO纳米柱模板技术,以三乙醇胺（TEA）为溶剂,以HSe-离子为硒源,在150℃恒温8h制备了ZnSe亚微米管。采用FESEM、EDS、XRD、TEM及SAED手段对样品的形貌、结构及成分进行了表征。结果表明,多晶管状ZnSe的直径为150nm左右,且具有封口、规则开口、不规则开口以及呈半管状,管壁由直径约30～40nm左右的颗粒组成。据此形貌特征,依负离子多面体生长基元模型,分析了ZnSe亚微米管的形成机制。
- 刘长友王金芳孙晓燕介万奇
- 关键词：硒化锌氧化锌
- 水热法制备Si基片状ZnO微晶薄膜
- 2012年
- 采用真空蒸镀法在Si(100)基底上制备了六角片状Zn微晶薄膜,并由N2H4·H2O-水热体系制备了Si基片状ZnO微晶薄膜。XRD、SEM及EDS测试与分析结果表明,纤锌矿结构片状ZnO微晶长度约1μm、厚度约100nm,几乎垂直于Si基面,且在基面上随机组合成连续薄膜。联系室温Si基Zn微晶薄膜氧化物形貌,以"氢氧化锌脱水"反应解释了Si基片状ZnO微晶薄膜的生长机制。光致发光谱测试分析表明,ZnO微晶薄膜有强的近带边紫外光发射和弱的缺陷发射。
- 刘长友王金芳孙晓燕介万奇
- 关键词：ZNO硅基底
