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黑龙江省教育厅科学技术研究项目(11511346)

作品数:2 被引量:12H指数:1
相关作者:李桂春康华崔洪亮单志强更多>>
相关机构:黑龙江科技学院更多>>
发文基金:黑龙江省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇光催化
  • 2篇光催化活性
  • 2篇掺杂
  • 2篇催化
  • 2篇催化活性
  • 1篇氧化钛
  • 1篇势垒
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇离子
  • 1篇离子掺杂
  • 1篇金属
  • 1篇金属-半导体
  • 1篇二氧化钛
  • 1篇半导体
  • 1篇TIO
  • 1篇LA
  • 1篇催化化学

机构

  • 2篇黑龙江科技学...

作者

  • 2篇康华
  • 2篇李桂春
  • 1篇单志强
  • 1篇崔洪亮

传媒

  • 1篇工业催化
  • 1篇中国非金属矿...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
非金属离子掺杂对TiO_2光催化活性的影响被引量:11
2008年
金属离子掺杂是常用来对TiO2进行带隙调控的一种方法,但是研究发现金属离子掺杂的TiO2往往存在着光生载流子复合几率较高和热不稳定性等诸多缺陷。非金属离子掺杂是在不降低紫外光活性的同时实现TiO2可见光响应的较好方法。本文主要综述了N、C、S等非金属离子掺杂对TiO2光催化活性的影响。
康华崔洪亮李桂春
关键词:光催化二氧化钛掺杂
La^(3+)、Cu^(2+)、Fe^(3+)/TiO_2对金属-半导体表面肖特基势垒的影响被引量:1
2009年
分析了金属-半导体表面的接触机理及肖特基势垒的形成,探讨了离子掺杂行为对势垒的影响机理,研究了光生载流子的迁移对TiO_2半导体复合材料光催化活性的影响。结果表明,不同金属基体材料对表面势垒高度的影响程度不同,同掺杂离子的表面态对金属-半导体接触的影响也有差别,离子可以改变半导体功函数,La^(3+)、Cu^(2+)和Fe^(3+)在同一浓度掺杂,对半导体的功函数影响不同,使载体和离子对电子和空穴捕获能力有所差异。
康华李桂春单志强
关键词:催化化学肖特基势垒光催化活性离子掺杂
共1页<1>
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