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国家教育部博士点基金(20030286003)

作品数:25 被引量:83H指数:6
相关作者:雷威张晓兵狄云松王金婵王琦龙更多>>
相关机构:东南大学南京师范大学中国人民解放军更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 25篇中文期刊文章

领域

  • 20篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇碳纳米管
  • 7篇纳米
  • 7篇纳米管
  • 7篇场致发射
  • 5篇显示器
  • 5篇CNT-FE...
  • 5篇场发射
  • 4篇场发射显示
  • 4篇场发射显示器
  • 4篇场致发射显示
  • 3篇驱动电路
  • 2篇电池
  • 2篇阴极
  • 2篇栅极
  • 2篇三极结构
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇二次电子
  • 2篇发光
  • 2篇CVD

机构

  • 25篇东南大学
  • 1篇南京师范大学
  • 1篇河南大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 25篇张晓兵
  • 25篇雷威
  • 7篇狄云松
  • 4篇娄朝刚
  • 4篇王琦龙
  • 4篇王金婵
  • 3篇张宇宁
  • 3篇穆辉
  • 3篇陈静
  • 3篇崔云康
  • 3篇顾伟
  • 2篇王保平
  • 2篇袁旦
  • 2篇杨夏喜
  • 2篇王建波
  • 2篇周雪东
  • 2篇李晨
  • 2篇朱春晖
  • 2篇金笑丛
  • 2篇储开荣

传媒

  • 9篇真空电子技术
  • 4篇电子器件
  • 3篇应用科学学报
  • 3篇液晶与显示
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇Journa...
  • 1篇真空
  • 1篇计算物理
  • 1篇中国工程科学

年份

  • 4篇2007
  • 12篇2006
  • 5篇2005
  • 4篇2004
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CVD法和丝印法制作的碳纳米管场致发射冷阴极的研究
2005年
本文研究了丝网印刷法和CVD生长法制备的碳纳米管冷阴极的场致发射性能.结果表明,在没有模板的情况下,通过CVD生长的碳纳米管的直径与催化剂颗粒的直径有关,随催化剂颗粒的直径变化而变化,生长方向是随机的,但大电流发射稳定性较差;用丝网印刷方法制作的碳纳米管致发射冷阴极,场发射电流发射较稳定.
穆辉张晓兵雷威娄朝刚朱春晖
关键词:碳纳米管场发射CVD
电真空器件残气质谱分析和贮存寿命的快速测试研究被引量:7
2007年
电真空器件内的残气压强是制管和管子工作过程中管内吸气剂材料吸气后形成的平衡压强,器件击破后质谱分析室本底气体会被吸气剂吸收。因质谱分析室放出的本底气体量一般远小于吸气剂在器件内原吸收的气体量,故器件内的残气压强的新平衡值增量可以忽略,分析室本底不会影响正确的分析结果;大气漏入管内后只表现出该管内惰性气体氩的积累;据此,我们提出了充氩法贮存寿命的快速测试方法。只有吸气剂失效或吸气饱和后管内残气质谱图才反映出漏入的大气成份或分析室本底气体干扰的特征。
崔云康张晓兵雷威肖梅狄云松王金婵毛福明
关键词:电真空器件残余气体质谱分析
电子跳跃结构场发射阴极的电子通过率研究
2006年
针对一种基于二次电子发射的跳跃电子阴极三极管结构进行了研究,这种特殊结构可以有效地提高了电子注电流密度,并减小受残余气体离子的对阴极轰击造成的阴极发射跌落。对应用碳纳米管场发射的跳跃电子阴极的三极管结构的电子通过率的研究,提出了的栅网上蒸镀高二次电子发射系数的介质膜的方法,可以有效地解决栅网的截获问题,提高电子通过率。
蒋名律张晓兵雷威
关键词:二次电子场发射三极管
大电流密度碳纳米管阴极的生长及场发射性能研究被引量:6
2004年
研究了碳纳米管作为大电流密度场发射阴极的CVD生长情况与场发射性能。结果表明,通过CVD生长的碳纳米管的直径与催化剂颗粒的直径相近,其生长方向是随机的。根据薄膜厚度与催化剂颗粒的关系,认为通过控制催化剂薄膜的厚度可能会达到调节碳纳米管直径的目的。在实验中获得的碳纳米管具备了良好的场发射性能,在直径为0.13mm的圆形面积上获得的碳纳米管场发射平均电流密度达到1.28A/cm2。
娄朝刚朱春晖张晓兵雷威
关键词:碳纳米管场发射CVD
大尺寸CNT-FED阴极制备研究被引量:2
2005年
提出了两种碳纳米管场致发射阴极的制备方法,包括雾化喷涂法和丝网印刷法,对碳纳米管的提纯分散、浆料配制、浆料喷涂和印刷方法等进行了细致的研究,并结合模型计算、电镜分析、发射性能测试,对两种制备发射阴极的方法进行了比较和分析,结果表明丝网印刷阴极技术更适用于大尺寸的碳纳米管场致发射显示.文中对阴极后处理技术也进行了相关的讨论.
王琦龙雷威张晓兵王保平周雪东张宇宁
关键词:碳纳米管场致发射阴极平板显示
新型CNT-FED栅极结构表面二次电子发射研究被引量:2
2005年
提出了一种简单可行的CNT FED栅极制备方法,即采用金属网板作为栅极,网板上下表面同样制备一定厚度的介质层,网板表面和内通道壁上蒸发MgO和MgF2薄膜,一次电子在电场作用下轰击薄膜层将激发大量二次电子和背散射电子,弥补了栅极对初始电子的截获,提高了器件发射电流密度和发光亮度.文中对该模型中二次电子发射过程进行了数值模拟计算并进行了相关验证实验.
王琦龙雷威张晓兵狄云松周雪东刘敏
关键词:二次电子发射栅极电场作用发光亮度MGO
场发射显示器的基板形变分析被引量:1
2006年
采用碳纳米管作为发射源的碳纳米管场致发射显示器是一种新型的平板显示器件。本文由FED基板形变方程出发,用ANSYS软件模拟了阳极基板的厚度对基板形变的影响,得出了厚度和基板形变的关系。在实际制备中采用了新型的基板结构,不仅在显示均匀性方面得到提高,而且降低了成本。
袁旦储开荣狄云松雷威张晓兵
关键词:场致发射显示器ANSYS有限元法
场发射显示器中双层基板结构的数值分析被引量:4
2006年
分析了场发射显示器(FED)中玻璃基板在大气压力下的形变和应力与玻璃基板厚度的关系,得到基板形变和应力随着其厚度的减少而急剧增大。通过研究玻璃基板表面粗糙度及其形变对于器件内部场强及碳纳米管发射电流密度的影响,得出为了保证95%以上的发射电流均匀度,低压型和高压型FED的阴极基板表面粗糙度均应在1μm以内,而阳极基板最大形变分别不超过10μm和40μm。在上述研究的基础上,提出了双层基板结构,其引入改善了FED内表面的粗糙度,同时使得12.7 cm(5 in)以下尺寸的FED屏中取消了支撑。文中还讨论了对于大尺寸屏幕的支撑配置方法。分析结果表明,双层基板结构对于改善发射均匀性和优化支撑体配置具有良好效果。
顾伟雷威张晓兵
关键词:场发射显示器
场发射显示器中支撑体的优化设计
2007年
在场发射显示器中,支撑体起到支持阴阳极基板以抵抗大气压力下形变和应力的作用.在不同的支撑体配置方式下,基板的形变也是不同的.基板的形变将改变器件内部的电场分布,进而影响发射体的发射性能以及屏上光点的亮度.文中研究了柱型和墙型支撑体在不同配置方式下对于屏幕亮度均匀性的影响.研究表明等边三角形方式排列的支撑体分布是最优的分布方式,相对于传统的矩阵排列的支撑体分布方式而言,可使屏幕上亮度的周期性波动降低三分之一.
顾伟雷威张晓兵
关键词:场发射显示器支撑体优化设计亮度均匀性
32×32矩阵式FED的驱动电路被引量:17
2004年
FED( Field Emission Display)是一种新型的平板显示技术 ,本文简要介绍了其基本结构、工作原理和驱动电路 ,并给出了一种在 FED开发过程中用于展示和分析显示屏的二极管结构的驱动电路。该电路可以驱动 3 2× 3 2矩阵式FED显示屏 ,进行动态字符显示和简单的动态图像显示 ,采用脉宽调制的方法来实现 1 6级灰度 ,其动态扫描的占空比为 1 /3
宗耿张晓兵雷威张宇宁
关键词:场致发射显示驱动电路
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