重庆市科技攻关计划(2005AA8006-B7)
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：电子科技大学重庆光电技术研究所更多>>
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- p型GaN的渐变δ掺杂研究被引量：2
- 2007年
- 采用MOCVD技术及渐变-δMg掺杂方法生长了p型GaN薄膜,对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。通过Hall测试发现,经过950℃下的第一次退火后,样品空穴浓度为1.64×1016cm-3,电阻率为77.9Ω.cm。经过750℃下的第二次退火后,样品的空穴浓度增大了10倍,电阻率减小为原来的1/20。分析认为,渐变δ掺杂减小了Mg的自补偿效应,两步退火提高了Mg的激活效率,从而显著提高了样品的空穴浓度和降低了电阻率。实验还发现,经过750℃下15 min的第二次退火后得到的样品的空穴浓度最大,达5.13×1017cm-3。
- 邹泽亚刘挺王振赵红赵文伯罗木昌杨谟华
- 关键词：P型GANMOCVD
