国家自然科学基金(50072013)
- 作品数：22 被引量：67H指数：6
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- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- (Cu,Mg,Nb)掺杂的SnO_2压敏材料的性质
- 2002年
- 研究了 Cu O对 Sn O2 · Mg O· Nb2 O5压敏材料的密度、非线性特性、介电常数的影响。实验发现 ,适当掺杂 Cu O不仅能增大 Sn O2 · Mg O· Nb2 O5材料的致密度 ,而且能提高非线性系数 ,减小漏电流。掺 2 % Cu O(摩尔比 )时 ,Sn O2 · Mg O· Nb2 O5材料的致密度达到理论值的 93% ,非线性系数 α高达 9.5 ,压敏电压 V1 m A高于4 2 3V/ mm。在 2 0～ 2 0 0°C温度范围和 0 .1～ 10 0 0 k Hz频率范围 ,Sn O2 · Cu O· Mg O· Nb2 O5的介电常数变化很小 ,应用晶界缺陷势垒模型 ,对 Sn O2 · Cu O· Mg O· Nb2 O5材料压敏特性进行了解释。
- 王矜奉陈洪存张妍宁苏文斌王文新徐丽
- 关键词：掺杂SNO2压敏材料肖特基势垒压敏电阻器
- 掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响被引量：12
- 2001年
- 通过对样品 V- I特性和势垒特性的测试和分析 ,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响。Sn O2 ·Co2 O3基本上不具有电学非线性 ,掺杂很少量的 Sb2 O3可明显改善材料的非线性。研究中发现掺杂 x ( Sb2 O3)为0 .0 1%的样品具有最高的质量密度 (ρ=6.90 g/ cm3)、最高的视在势垒电场 ( EB=2 76V / cm)和最好的电学非线性( α=12 .89)。提出了 Sn O2 · Co2 O3· Sb2 O3的晶界缺陷势垒模型。
- 李长鹏王矜奉陈洪存苏文斌刘华钟维烈张沛霖
- 关键词：氧化锑电学性能二氧化锡
- (Li,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电学非线性研究被引量：9
- 2001年
- 研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i+ 对 Sn4+ 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电常数 (ε=185 1)、最低的视在势垒电场 (EB=6 8.86 V/ mm)和最高的非线性常数 (α=9.9)。对比发现 ,Na+ 由于具有较大的离子粒半径 ,其掺杂改性性能相对较差。提出了 Sn O2 · L i2 CO3· Nb2
- 李长鹏王矜奉陈洪存苏文斌李明明
- 关键词：压敏材料二氧化锡电学性能掺杂压敏电阻器
- Nb掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响被引量：8
- 2004年
- 研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响。当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209V/mm降至0.70V/mm,40Hz时,样品电阻从0.21MΩ降至48.3Ω,1kHz时的相对介电常数从831增大到42200。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Nb对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变大是压敏电压急剧降低和介电常数增大的主要原因。对Nb掺杂量的增加引起样品阻抗减小的根源进行了解释。
- 臧国忠王矜奉陈洪存苏文斌王文新王春明亓鹏
- 关键词：ZNO压敏材料势垒晶界
- Mn掺杂的SnO_2·ZnO·Nb_2O_5压敏材料
- 2003年
- 研究了MnCO3掺杂对SnO2-ZnO-Nb2O5压敏材料压敏-介电性能的影响,研究中发现,掺入x(MnCO3)为0.08%的样品显示出最高的非线性系数(α=8.2),最高的势垒高度(φB=1.11eV),最高的击穿电场(E=466.67V/mm)。研究中同时发现,SnO2-ZnO-Nb2O5压敏材料的相对介电常数在573～673K间出现峰值,峰值随MnCO3掺入量的增加而增大,掺入x(MnCO3)为0.3%的样品在593K时,显示出最高的相对介电常数(εr=1.886×104)。
- 臧国忠王矜奉陈洪存苏文斌王文新
- 关键词：肖特基势垒击穿电场
- 掺Y对二氧化钛低压压敏陶瓷性能的影响被引量：6
- 2001年
- 通过对样品密度、介电常数、I- V特性及晶界势垒特性的测定和分析 ,研究掺 Y对 (Y ,Nb)掺杂的二氧化钛低压压敏 -电容性能的影响。掺入 x(Y2 O3) 0 .6 0 %的样品显示出最高的非线性常数 (α=7.86 )以及最高的相对介电常数 (εr=8.5 4× 10 4)和样品密度 (可达理论密度的 98.8% ) ,与该样品最高且窄的晶界缺陷势垒相一致 ,是一种较为理想的压敏 -电容陶瓷。提出了 Ti O2 · Y2 O3· Nb2
- 苏文斌王矜奉李长鹏陈洪存李明明
- 关键词：二氧化钛电学性能频谱掺杂
- Na对SnO_2-CoO-Nb_2O_5系压敏材料电学性能的影响
- 2003年
- 研究了Na对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm。样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂0.4mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4,击穿电压为755V/mm,掺杂1.2mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景。本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因。
- 王春明王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏
- 关键词：压敏材料二氧化锡肖特基势垒压敏电压
- Ag掺杂对新型SnO_2压敏材料的电学性质的影响被引量：3
- 2003年
- 烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的。为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2·6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验。当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。
- 王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏王春明赵春华高建鲁
- 关键词：氧化银二氧化锡势垒电学非线性掺杂
- 掺杂(Co,Nb,Pr)的SnO_2介电与压敏性质被引量：9
- 2002年
- 研究了(Co,Nb,Pr)掺杂的SnO_2材料介电和压敏性质.当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2压敏电阻的相对介电常数从670降到280,击穿电压从827V/mm猛增到2 150V/mm.微观结构分析发现:当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2的晶粒尺寸由4.50μm迅速减小到1.76μm.晶界势垒高度测量揭示SnO_2的晶粒尺寸迅速减小是介电常数迅速减小及击穿电压急剧增高的原因.对Pr增加引起SnO_2晶粒减小的根源也进行了解释.
- 王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠赵春华
- 关键词：SNO2二氧化锡压敏电阻击穿电压钴掺杂
- (Sr,Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的电学非线性被引量：7
- 2003年
- 研究了Sr对新型 (Co ,Nb)掺杂SnO2 压敏材料微观结构和电学性质的影响 .当SrCO3的含量从零增加到1 5 0mol%时 ,(Co ,Nb)掺杂SnO2 压敏电阻的击穿电压从 2 4 0V mm猛增到 14 82V mm .样品的微观结构分析发现 ,当SrCO3的含量从零增加到 1 5 0mol%时 ,SnO2 的晶粒尺寸迅速减小 .晶界势垒高度测量揭示 ,SnO2 晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的主要原因 .对Sr含量增加引起SnO2 晶粒减小的根源进行了解释 .掺杂 1 5 0mol%SrCO3的SnO2 压敏电阻非线性系数为 2 1 4 ,击穿电压高达 14 82V
- 亓鹏王矜奉陈洪存苏文斌王文新臧国忠王春明
- 关键词：压敏电阻电学非线性
