国家自然科学基金(60378022)
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
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- 利用Pb1-xGexTe材料的折射率异常性质改善红外光学薄膜的低温性能
- 红外薄膜干涉滤光片性能在低温下的变化是空间遥感系统中的一个关键性问题。经研究表明IV-VI族半导体PbTe和GeTe的赝二元合金Pb1-xGexTe在铁电相变点具有折射率异常—相应于铁电相变,Pb1-xGexTe薄膜呈现...
- 李斌张素英谢平张凤山
- 关键词：温度稳定性铁电相变
- 文献传递
- 利用Pb_(1-x)Ge_xTe材料的折射率异常性质改善红外光学薄膜的低温性能被引量：2
- 2004年
- 红外薄膜干涉滤光片性能在低温下的变化是空间遥感系统中的一个关键性问题。经研究表明IV-VI族半导体PbTe和GeTe的赝二元合金Pb1-xGexTe在铁电相变点具有折射率异常—相应于铁电相变,Pb1-xGexTe薄膜呈现出最大折射率值。用Pb0.94Ge0.06Te材料代替PbTe材料,制作了一个红外薄膜干涉滤光片。测试结果表明:其中心波长漂移从0.48nm/K改进到0.23nm/K,在所测量的80K～300K的温度范围,用Pb0.94Ge0.06Te材料制作的滤光片的峰透过率高于用PbTe材料制作的滤光片约3%,从而极大地改善了光学薄膜器件在深低温环境下的稳定性和可靠性。
- 李斌张素英谢平张凤山
- 关键词：温度稳定性铁电相变
- 抛光工艺对硅基Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜性能的影响
- 2009年
- 研究了不同的抛光方法(机械抛光、化学腐蚀及化学机械抛光)对硅基板上沉积的Pb1-xGexTe薄膜性能的影响.研究表明,经化学机械抛光(SiO2胶体或Cr+)的硅基板上所沉积的Pb1-xGexTe薄膜具有致密的结构及平直的界面,其沉积速率也比在化学腐蚀抛光表面的沉积速率大7%或18%(分别对应<111>和<100>晶向);薄膜具有明显高于化学腐蚀抛光基板沉积薄膜的折射率,且折射率随温度的降低而增加,而低温下折射率随波长的增加而增加;化学腐蚀抛光基板沉积薄膜的折射率的增加量明显大于化学机械抛光基板沉积薄膜的增加量;薄膜层经机械抛光后,其膜层结构、组分及其深度分布均未改变,但透射率增加,消光系数有所改善,折射率有所降低.
- 张素英李斌谢平刘定权
- 关键词：抛光沉积速率光学常数
- 富碲碲化铅薄膜的晶体结构、表面形貌、元素深度分布和中红外光学常数被引量：3
- 2005年
- 对由富碲( <1mol.% )碲化铅晶体材料热蒸发制备的薄膜进行了表征.结果表明:薄膜是多晶的,具有NaCl型晶体结构,表面晶粒分布均匀,在膜层的深度方向约 170nm内富碲的组分均匀分布.对比薄膜表面抛光前后的中红外光学常数表明表面散射对薄膜光学性质的影响极小.
- 李斌张素英谢平张凤山
- 关键词：光学常数晶体结构中红外薄膜光学表面形貌
- 蒸发方法对Pb1-xGexTe薄膜微结构与光学性质的影响
- 2012年
- 碲锗铅（Pb1-xGexTe）是IV-VI族窄禁带半导体材料PbTe与GeTe的赝二元合金固溶体，是一种具有优势且机械强度高的高折射率光学薄膜材料。采用电子束蒸发和电阻蒸发两种方法在硅基片沉积了Pb1-xGexTe薄膜，使用扫描电镜和能量散射x射线分析仪表征薄膜表面形貌和化学组分，测量了薄膜在2．5～12μm的透射谱。相对于电阻蒸发，分析表明电子束蒸发的膜层中Ge含量更接近于源材料中的Ge含量，薄膜具有较大的晶粒尺寸，同时也具有较高的折射率和消光系数。因此，电子束蒸发具有保持复杂半导体材料化学配比一致性的优势。这种化学配比一致性和大晶粒尺寸使电子束蒸发的薄膜具有较高的折射率，而大晶粒造成的散射影响了薄膜的光学透明度。
- 谢平李斌张素英刘定权
- 关键词：镀膜材料表面形貌电子束蒸发
