您的位置: 专家智库 > >

国家教育部博士点基金(20100111120006)

作品数:4 被引量:20H指数:3
相关作者:邱龙臻熊贤风李鹏林广庆吕国强更多>>
相关机构:合肥工业大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇有机薄膜晶体...
  • 4篇晶体
  • 4篇晶体管
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 2篇电性能
  • 1篇修饰
  • 1篇氧化硅
  • 1篇乙烯
  • 1篇制备及性能
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇图案化
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇噻吩
  • 1篇聚苯
  • 1篇聚苯乙烯
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇苯并噻吩

机构

  • 4篇合肥工业大学

作者

  • 4篇邱龙臻
  • 3篇熊贤风
  • 2篇陈梦婕
  • 2篇吕国强
  • 2篇林广庆
  • 2篇李鹏
  • 1篇陈世琴
  • 1篇王晓鸿
  • 1篇冯翔
  • 1篇彭锐
  • 1篇王明晖
  • 1篇张俊
  • 1篇王迎

传媒

  • 3篇液晶与显示
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管被引量:5
2013年
分别采用六甲基二硅胺(HMDS,Hexamethyldisilazane)和聚苯乙烯/氯硅烷复合材料修饰聚乙烯基苯酚(PVP)绝缘层制备了底接触的有机薄膜晶体管并研究了其半导体层的表面形貌和器件的电学性能。原子力显微镜观察发现,并五苯半导体薄膜在不同的界面修饰上的生长形貌产生了很大变化。在PVP上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150 nm,经过聚苯乙烯/氯硅烷复合材料和HMDS处理后的PVP表面生长的并五苯晶粒尺寸则分别在200~400 nm和400~600 nm。大尺寸的晶粒能够减小器件沟道内的陷阱浓度,从而有效地提高电学性能。PVP绝缘层采用聚苯乙烯/氯硅烷和HMDS修饰后,与未修饰的器件相比迁移率分别提高了58倍和82倍。采用HMDS作为表面修饰层制备柔性OTFT,并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-9A,电流的开关比超过104,最大场效应迁移率约可达0.338 cm2·V-1·s-1.
林广庆李鹏熊贤风熊贤风吕国强王晓鸿
关键词:并五苯
表面修饰制备高性能薄膜晶体管被引量:6
2013年
应用聚苯乙烯/氯硅烷复合材料作为栅绝缘层的界面修饰层制备了高性能的并五苯场效应晶体管。原子力显微镜观察发现,界面修饰对并五苯半导体薄膜的生长形貌产生了很大影响。在空白二氧化硅上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150nm,而在修饰过后二氧化硅的表面生长的并五苯晶粒尺寸多在200~400nm。大的晶粒尺寸能够减小晶粒间的界面,从而有效提高电学性能。表面改性的并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-10 A,电流的开关比超过106,最大场效应迁移率约可达1.23cm2.V-1·s-1,而未处理的晶体管的场效应迁移率仅有0.011 8cm2.V-1·s-1。
林广庆李鹏王明晖冯翔张俊熊贤风邱龙臻吕国强
关键词:有机薄膜晶体管电性能
石墨烯电极有机薄膜晶体管研究被引量:8
2012年
利用化学气相沉积法生长的高性能的层状石墨烯,通过转移和图案化后用作电极,制备了底接触的并五苯有机薄膜晶体管(OTFTs)。原子力显微镜观察发现,石墨烯电极的厚度比一般的金电极薄的多,所以石墨烯电极厚度对并五苯晶粒的生长影响不大。电学性能研究得到器件的输出和转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率。转移曲线的关态电流约为10-9 A,电流的开关比超过103。基于底接触的并五苯OTFTs的最大场效应迁移率约2×10-2 cm2.V-1.s-1。
陈世琴陈梦婕邱龙臻
关键词:有机薄膜晶体管图案化电性能
2,7-二癸基-[1]苯并噻吩[3,2-b][1]-苯并噻吩的制备及性能研究被引量:2
2014年
以邻氯苯甲醛、NaHS·xH2O、癸酰氯为原料,经消去、酰化,还原反应合成2,7-二癸基二苯并二噻吩(C10-BTBT)。通过核磁共振表征和确证。本文研究了C10-BTBT光学性能、热学性能、电学性能以及环境稳定性。紫外-荧光光谱研究证明,化合物在近紫外光激发下发出明亮的蓝光,发射中心波长在352nm。液晶相的相转变温度通过差热扫描仪测定,测量结果为熔点Tcp=112℃,清亮点Tmp=125℃。通过喷墨打印技术制备了底栅顶接触结构的2,7-二癸基二苯并二噻吩的OTFT器件,场效应平均迁移率达到0.1cm2/V·s,最大迁移率达到0.25cm2/V·s,开关比超过104。放置空气中不同时间,器件开态电流和开关比没有较大变化。
彭锐陈梦婕熊贤风王迎邱龙臻
关键词:有机薄膜晶体管苯并噻吩迁移率
共1页<1>
聚类工具0