公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

GaAs衬底上分子束外延α-Sn薄膜及其量子阱结构考虑被引量：1: 1998年; 利用分子束外延 (MBE)在GaAs( 0 0 1)单晶衬底上进行了α Sn薄膜的生长 ,利用反射高能电子显微镜 (RHEED) ,原位监控α Sn的生长过程和利用透射电子显微镜 (TEM )分析了界面结构 .测试结果表明 ,与以往报道相比亚稳态的α Sn膜具有高得多的温度稳定性 (由 70℃提高到 10 0℃ )和厚度稳定性 (由 5 0 0nm提高到 70 0nm) ,并观察到在其他电性能方面的改进 .此外 ,还提出了一种新型量子阱结构 .; 易新建郝建华张新宇G.K.Wong; 关键词：量子尺寸效应分子束外延

全选清除导出

共1页<1>

国家自然科学基金(69586001)