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王佃利
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- 所属机构:南京电子器件研究所
- 所在地区:江苏省 南京市
- 研究方向:电子电信
相关作者
- 王因生
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- 王佃利刘洪军吕勇严德圣盛国兴王因生蒋幼泉
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- 2014年
- 介绍了一种基于反转光刻胶的电镀工艺,改善了电镀后器件剖面的形貌,有效的减小了后续淀积隔离介质产生的空洞。通过实验,优化了光刻显影工艺参数,并成功应用与批量生产中,提高了器件的可靠性与生产的成品率。
- 严德圣周德红王佃利
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- 介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。
- 刘洪军王琪赵杨杨王佃利杨勇
- 关键词：大功率射频功率晶体管
- 1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管被引量：1
- 2006年
- 王因生李相光傅义珠丁晓明王佃利盛国兴康小虎陶有迁
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- 傅义珠李学坤戴学梅王佃利王因生周德红康小虎梅海盛国兴陈刚
- 关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率晶体管
- 1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：6
- 2008年
- 报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于250W，功率增益大于7．0dB，效率大于45％．
- 王因生李相光傅义珠王佃利丁晓明盛国兴康小虎
- 关键词：硅微波功率管
- P波段脉冲输出150W高增益功率晶体管被引量：1
- 1998年
- 采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷多晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术，研制出用于工程的实用化P波段脉冲大功率晶体管。该器件由16个单胞内匹配而成，在该频带内，脉宽500μs，占空比15％，脉冲输出150W，增益大于10dB，集电极效率大于50％。
- 王因生单宁王佃利林川张树丹康小虎林金庭
- 关键词：多晶硅发射极微波功率晶体管
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- 2016年
- 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。
- 应贤炜王建浩王佃利刘洪军严德圣顾晓春
- 关键词：L波段微波功率晶体管
- S波段200 W硅LDMOS功率管研制被引量：1
- 2019年
- 研制了具有高频高增益特性的硅LDMOS芯片,采用0.35μm精细栅实现高频率性能,CoSi2/PolySi栅工艺技术降低电阻,Ti/W金属场板优化漂移区电场分布降低反馈电容,并采用等平面工艺技术提高芯片一致性。采取参数仿真优化内匹配设计,并通过多个LDMOS芯片合成实现大功率输出。最终实现的S波段大功率硅LDMOS器件性能为:在32 V工作电压,3.1~3.5 GHz频带内,300μs脉宽,15%占空比的工作条件下,输出功率大于200 W,增益大于9 dB,效率大于42%。
- 刘洪军赵杨杨鞠久贵杨兴王佃利杨勇
- 关键词：S波段功率管
