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作品数： 37被引量：84H指数：6

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发光二极管阵列芯片结构及其制备方法: 本发明公开了一种发光二极管阵列芯片结构，包括衬底，其特征在于：在衬底上设有缓冲层，在缓冲层的顶面设有n型层，在缓冲层与n型层之间设有线状平行排列的n型层引线；在n型层的顶面设有RGB发光层，在RGB发光层、n型层及缓冲层...; 邓朝勇李绪诚王新张安邦杨利忠; 文献传递

大功率倒装阵列LED芯片: 本实用新型公开了一种大功率倒装阵列LED芯片。其大功率倒装阵列LED芯片结构为：阵列LED芯片是由多个阵列单元构成阵列，其中相邻阵列单元都共用一个n型缓冲层（3）；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓冲层（3...; 邓朝勇杨利忠李绪诚张荣芬许铖; 文献传递

稀土掺杂LED用氮氧化物荧光粉制备与性能研究: 白光LED作为一种新型固体光源,具有高效、节能、环保、寿命长等优点,在照明和显示领域有巨大的应用前景。荧光粉作为白光LED关键材料之一,直接决定了白光LED显色性、色温、使用寿命和光效。氮氧化物具有物理化学性质稳定,吸收...; 李绪诚; 关键词：荧光粉稀土发光性能掺杂; 文献传递

推挽对称输出的一种热疏导电路: 2008年; 功率集成电路的功率密度越来越高,发热问题越来越严重,为现代传热技术在电子冷却领域的应用提出了新的课题。论文分析了半导体器件的温度特性,提出了一种通过电路自身的特性来测量基片温度,并利用电路结构进行散热的热疏导电路结构,提高了大功率电路系统的集成度及散热效率。; 庞增俊刘桥龙飞李绪诚; 关键词：功率输出级

助熔剂对Ca_(0.98)Bi_2Ta_2O_9:0.02Pr^(3+)发光性能的影响被引量：2: 2013年; 采用传统高温固相反应法制备了Pr3+离子掺杂的铋层结构铁电氧化物Ca0.98Pr0.02Bi2Ta2O9(CBTO:Pr3+)荧光粉。利用X射线衍射、荧光光谱等研究了分别添加四种不同助熔剂(H3BO3,NH4F,CaCl2或CaF2)对CBTO:Pr3+粉体的晶体结构、发光强度的影响。结果表明,与未加助熔剂的样品相比,H3BO3,NH4F,CaCl2或CaF2的添加量为5%(摩尔分数)时,CBTO:Pr3+的发光强度分别提高了63%,43%,43%和29%;助熔剂的添加量为10%时,发光强度分别提高了186%,10%,13%和31%。随着H3BO3添加量的增加,CBTO:Pr3+的发光强度先增强后降低,在添加量为10%时,发光强度最大。样品温度特性测试表明CBTO:Pr3+粉体的热稳定性需要进一步改善。; 吴莘崔瑞瑞李绪诚李良荣邓朝勇; 关键词：助熔剂固相烧结法稀土

CaSi_2O_2N_2：Ce^(3＋)/Eu^(2＋)荧光粉的发光性能研究被引量：3: 2015年; 采用高温固相反应法制备了CaSi2O2N2:Ce3+/Eu2+荧光粉,研究了分别掺杂Ce3+、Eu2+及Ce3+/Eu2+共掺杂时荧光粉的发光特性。CaSi2O2N2:Ce3+在333nm激发下得到宽波段的发射谱,发射峰位于395nm,随着Ce3+浓度的增大,发射波长出现明显的红移,猝灭浓度为1 mol%。CaSi2O2N2:Eu2+在397nm激发下得到峰值位于540nm处的宽波段发射谱,猝灭浓度为1 mol%。对于Ca0.99-2 xSi2O2N2:xCe3+,xLi+,0.01Eu2+荧光粉,在333nm激发下,位于395nm处的发射峰十分微弱,在540nm处有宽带发射,随着Ce3+浓度增大,位于540nm处的Eu2+的特征发射显著增强。对于Ca0.98-ySi2O2N2:0.01Ce3+,0.01Li+,yEu2+荧光粉,在激发光波长为333nm,Eu2+浓度较低时,可以观察到两个发射带,峰值分别位于395nm及540nm,随着Eu2+浓度增加,位于395nm的发射强度一直减小,而540nm处的发射强度先增加后减小,猝灭浓度为0.4mol%。证实了Ce3+,Eu2+之间发生了有效的能量传递。计算出Ce3+、Eu2+之间能量传递的效率ηT,在Eu2+浓度为1 mol%时ηT趋于饱和,达到97.7%。通过计算,得到Ce3+与Eu2+之间的能量传递方式为电偶极-电偶极相互作用。; 罗思远李绪诚崔瑞瑞邓朝勇; 关键词：荧光粉稀土

开放式电子技术教学方案研究与实施被引量：9: 2012年; 以培养"综合型、设计型、创新型"人才为主线,讨论了开放式电子技术教学方案,以及开放式实验的项目设置、项目开发、项目管理、学分管理等,目标是激励学生的学习积极性、教师项目开发及实验指导的积极性,总结了开放式实验教学急需解决的几个问题。; 潘正坤李良荣邓朝勇李绪诚张荣芬; 关键词：电子技术

大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法: 本发明公开了一种大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法。其大功率倒装阵列LED芯片结构为：阵列LED芯片是由多个阵列单元构成阵列，其中相邻阵列单元都共用一个n型缓冲层（3）；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓...; 邓朝勇杨利忠李绪诚张荣芬许铖; 文献传递

BaO-MgO二元系相图优化计算研究: 2011年; 在对BaO-MgO二元系热力学数据评估的基础上,采用Thermo-Calc软件对该体系相图进行优化计算。采用规则溶液模型,获得了较完整的BaO-MgO二元系相图和该体系较完整的热力学数据。还对该二元系的混合焓及组元活度进行了讨论。通过与实验数据进行比较,在富BaO端与实验结果基本吻合;在富MgO端,采用了最新的MgO熔点温度,获得了更加合理的液相线。; 徐慧马凯英张荣芬李绪诚丁召邓朝勇; 关键词：相图热力学优化吉布斯自由能

MgB_2超导体的相图及其对薄膜制备的指导作用: 2012年; MgB2适合于制备约瑟夫森结,在超导电子学领域有很好的应用前景。制备高质量的MgB2薄膜至关重要,应用Mg-B/Mg-B-O体系的相图指导MgB2薄膜生长意义重大。总结MgB2相体系及相关系,详细对比分析Mg-B/Mg-B-O体系的热力学相图,总结分析富氧区杂项MgO的生成机理及其对MgB2薄膜质量和性能的影响,研究分析有氧体系下Mg-B/Mg-B-O热力学相图对MgB2薄膜材料制备生长的指导意义,探讨HPCVD环境下采用原位生长技术制备MgB2超导薄膜时热力学相图的指导作用及相关制备工艺。; 汪怀蓉李良荣张荣芬李绪诚虞苏青; 关键词：MGB2超导体相图