徐静平
作品数: 133被引量:193H指数:6
  • 所属机构:华中科技大学
  • 所在地区:湖北省 武汉市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

钟德刚
作品数:108被引量:268H指数:10
供职机构:浙江工业大学
研究主题:异步电动机 光信号 永磁同步电机 转子 碳化硅
邹晓
作品数:30被引量:53H指数:4
供职机构:华中科技大学
研究主题:界面层 MOS电容 栅介质 高K栅介质 MOSFET
陈卫兵
作品数:63被引量:171H指数:7
供职机构:湖南工业大学计算机与通信学院
研究主题:高K栅介质 MOSFET 阈值电压 短沟道效应 电路设计
余岳辉
作品数:144被引量:273H指数:10
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院
研究主题:RSD 晶闸管 反向开关晶体管 脉冲功率 半导体开关
于军
作品数:188被引量:387H指数:8
供职机构:华中科技大学
研究主题:铁电薄膜 铁电 铁电性能 铁电存储器 巨磁电阻
新型空气质量流量传感器的建模与设计被引量:17
2007年
热式质量流量传感器是在层流的条件下,通过加热电阻周围温度分布的变化来反映气体流量.本文通过在流道中设计内部小流道,把流速测试段的流态变为层流,并模拟了整个流场的的速度分布,在流速测试段得到比较理想的雷诺数Re≈12-110.在小流道测试段的流速与内燃机进气管的平均流速成一固定比例系数,因此,通过测试小流道内的流速可以获得内燃机的进气量.通过模拟分析得到了在恒温加热的条件下,不同流速下的温度分布,从而获得不同流速下,测试点的距离与温度差的关系曲线,并找出了相应测试点的测试范围,最终获得了温差最大值对应的测试距离为140-210 m.通过在加热电阻两端设计了两对测温电阻,得到叠加信号对应最大流速精度为0.02 m/s.
余柏林甘志银刘胜曹蕙徐静平
关键词:流场模拟温度场模拟
HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析
2007年
采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。
朱秋玲徐静平邹晓黎沛涛李春霞
关键词:HFO2介电常数界面态密度
MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析被引量:2
2002年
分析了金属 绝缘体 SiC (MISiC)结构肖特基二极管 (SBD)气体传感器敏感机理 ,通过将热电子发射理论与隧道理论结合 ,建立了器件物理模型 .模拟结果表明 ,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关 .模拟结果与实验符合较好 .通过模拟 ,得到MISiC结构最佳绝缘层 (SiO2 )厚度应为 1nm左右 .
钟德刚徐静平黎沛涛于军
关键词:响应特性I-V特性
N_2O氮化n-MOSFET's低温可靠性研究
1999年
通过与热氧化n-MOSFET’s 比较,调查了N2 O氮化 (N2ON) n-MOSFET’s 在最大衬底电流IB m ax和最大栅电流IG m ax 应力下的低温热载流子效应.结果表明,N2ON 器件在低温就像在室温一样呈现出大大抑制的热载流子应力感应退化的特性;低温下产生的浅能级陷阱增强了器件的退化,N2 O 的氮化也大大减少了浅能级陷阱的产生.
徐静平于军
关键词:热载流子效应可靠性
重新氧化氮化n-MOSFET's断态栅电流的温度特性
1999年
对采用迅速热处理方法制备的重新氧化氮化n-MOSFET’s 的断态栅电流Ig 的温度特性进行了实验研究和理论分析.研究表明,在合适的氮化和重新氧化条件下,Ig 随温度增加可保持几乎不变.这归因于重新氧化部分恢复了Si/SiO2 界面处相应于空穴发射的氮化感应致使势垒高度的降低,从而使得在升高的温度下,热空穴注入的增加几乎抵消了雪崩区空穴产生的减小.
徐静平于军
关键词:MOSFET氮化温度特性
多晶硅膜的PECVD和LPCVD原位掺杂研究被引量:2
1995年
对等离子增强化学气相淀积(PECVD)和低压化学气相淀积(LPCVD)两种方法制备掺杂多晶硅膜进行了详细的实验研究,通过时两者进行比较,对淀积的动力学特性、淀积膜的结构、膜的电特性与工艺条件的关系等进行了分析讨论。结果表明,采用PECVD方法,多晶硅膜的生长速率几乎不受淀积温度和杂质掺入量的影响,且较采用LPCVD方法的生长速率提高一个量级;膜的电导率随杂质的掺入可提高六个量级,且与淀积温度无关,其片内均匀性为±2%。
徐静平余岳辉彭昭廉惠东
关键词:多晶硅CVD
考虑库仑散射屏蔽效应的Si_(1-x)Ge_x pMOSFET低场空穴迁移率模型
2008年
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。该模型重点讨论了反型电荷对离化杂质散射的屏蔽作用,由此对等效体晶格散射迁移率进行了修正。并且详细讨论了等效体晶格散射迁移率随掺杂浓度Nd和组分x的变化。利用该模型,对影响空穴迁移率的主要因素进行了分析讨论。通过模拟得出,增加组分x可以显著提高等效体晶格散射迁移率,从而可以提高PMOSFET的空穴迁移率。
徐静平张兰君张雪锋
HfTiO高κ栅介质Ge MOS电容特性研究
2008年
采用反应磁控共溅射方法在Ge衬底上制备亚-nm等效氧化物厚度(EOT)的HfTiO高κ栅介质薄膜,研究了湿N2和干N2气氛退火对GeMOS电容电特性的影响。隧穿电子显微镜、椭偏仪、X射线光电子频谱、原子力显微镜以及电特性的测量结果分别表明,与干N2退火比较,湿N2退火能明显抑制不稳定的低κGeOx界面层的生长,从而减小栅介质厚度,降低栅介质表面粗糙度,有效提高介电常数,改善界面质量和栅极漏电流特性,这都归因于GeOx的易水解性。还研究了Ti靶溅射功率对HfTiO栅介质GeMOS器件性能的影响。
邹晓徐静平
关键词:界面层
表面预处理对HfO_2栅介质MOS器件漏电特性的影响被引量:3
2006年
采用反应磁控溅射方法,在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性,并进行了高场应力实验。器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明,界面态和氧化物陷阱是引起大的栅极漏电流的主要因素。采用新颖的O2+CHCl3(TCE)表面预处理工艺,可以显著降低界面态和氧化物陷阱密度,从而大大减小栅极漏电流和SILC效应。
许胜国徐静平李艳萍陈卫兵季峰
关键词:HFO2MOS器件栅极漏电流界面态
中小功率二极管的正六方形周边设计
1992年
传统的中小功率器件周边大都为方形或圆形造型.制作pn结方片具有工艺简单、材料利用率较高的特点,但由于四个棱角处电场集中(称此电场为棱角电场),故阻断特性受到限制.圆片的表面电场相对低些,但材料损耗大,设法降低数量上占市场主导的中小功率器件的材料消耗将产生相当可观的经济效益.本文提出了正六方形周边设计方法,该设计相对方片可以降低表面电场强度,相对圆片可以大大提高硅材料利用率.
余岳辉徐静平綦舜尧
关键词:功率二极管