肖清泉
作品数: 98被引量:153H指数:7
  • 所属机构:贵州大学
  • 所在地区:贵州省 贵阳市
  • 研究方向:理学
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

谢泉
作品数:256被引量:468H指数:14
供职机构:贵州大学
研究主题:电子结构 光学性质 第一性原理 磁控溅射 第一性原理计算
张晋敏
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供职机构:贵州大学
研究主题:磁控溅射 半导体材料 FESI SUB 椭偏光谱
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研究主题:电子结构 光学性质 第一性原理 第一性原理计算 MG2SI
廖杨芳
作品数:50被引量:26H指数:3
供职机构:贵州师范大学物理与电子科学学院
研究主题:MG_2SI 磁控溅射 热蒸发 MG2SI 衬底
范梦慧
作品数:54被引量:52H指数:4
供职机构:贵州民族大学
研究主题:光学性质 第一性原理 电子结构 CA 第一性原理计算
溅射时间对于Mg_2Si/Si异质结的影响
2015年
采用射频磁控溅射沉积并结合热处理制备Mg2Si/Si异质结,研究了溅射时间对Mg2Si/Si异质结的结构以及电阻率的影响。首先在P型Si衬底沉积不同厚度的Mg膜,然后进行低真空热处理,制备不同厚度的Mg2Si/Si异质结。通过XRD、SEM对Mg2Si/Si异质结中Mg2Si的晶体结构、异质结表面和剖面形貌进行分析,结果表明:制备了单一相Mg2Si薄膜,Mg2Si(220)衍射峰最强,异质结界面平整。通过四探针仪测量电阻率进行分析,发现电阻率随Mg2Si膜厚的增加而减小。
张宝晖谢泉肖清泉廖杨芳杨云良
关键词:射频磁控溅射X射线衍射表面形貌
磁控过程的计算机模拟
2011年
本文基于蒙特卡罗方法,并结合SRIM软件,编制程序跟踪模拟了磁控溅射各物理过程的粒子状态。以铝靶材为例,得到了粒子在磁控溅射各物理过程的状态分布,讨论了工作参数对薄膜沉积过程的影响。模拟结果表明:溅射原子的能量主要分布在20 eV以下,当原子沉积到基片表面时,其能量主要分布在15 eV以下,但有两个分布峰值,两个分布峰值对应着快慢两种不同形式的沉积过程。原子沉积到基片表面的位置大致服从正态分布,气压p和靶基距离d影响正态分布的方差,也即影响沉积原子在基片表面分布的均匀性。功率与沉积速度呈良好的线性关系,在工作气压为1 Pa,靶基距离为60 mm的条件下,当入射粒子的能量为250 eV时,模拟得到的功率效率最大。
沈向前谢泉肖清泉余志强
关键词:磁控溅射蒙特卡罗方法计算机模拟
一种基于硅化镁薄膜的传感器
本实用新型公开了一种基于硅化镁薄膜的传感器,它包括:连接套(1)和紧固套(9),紧固套(9)固定连接套(1)底端,紧固套(9)底部开有检测孔(8),其特征在于:连接套(1)内设置有上压环(4)和下压环(7),上压环(4)...
王坤谢泉肖清泉张晋敏马家君廖杨芳王立贺腾施建磊王新悦
文献传递
一种还原真实书写的电子笔
本发明提供了一种还原真实书写的电子笔,包括中央处理器;所述中央处理器连接控制初始设置按钮、上翻页按钮、下翻页按钮、激光灯开光、激光灯头、状态指示灯,激光灯头、激光灯开光、上翻页按钮、下翻页按钮、状态指示灯、初始设置按钮均...
张晋敏潘王衡谢泉肖清泉王勤
热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响被引量:5
2006年
作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。
罗胜耘谢泉张晋敏肖清泉金石声朱林山闫万珺陈坤罗娇莲Koji YamadaKiyoshi Miyake
关键词:Β-FESI2IBD退火温度
激光扫描磁控溅射Fe/Si膜直接形成α-FeSi_2被引量:2
2008年
用直流磁控溅射方法分别在室温及不同温度的Si(100)衬底上沉积Fe膜,随后采用脉冲激光扫描进行退火,X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了激光扫描对薄膜结晶性质和表面显微结构的影响。测量结果证实直接形成了Fe-Si化合物系的富硅高温相-αFeSi2,室温沉积样品的结晶性质随激光能量密度的增加而提高;反应沉积样品的结晶性质随衬底温度升高而提高。
张晋敏谢泉余平张勇肖清泉杨子义梁艳曾武贤
关键词:磁控溅射显微结构
制备Cr掺杂β-FeSi<Sub>2</Sub>薄膜的工艺方法
本发明公开了一种磁控溅射方法制备Cr掺杂β-FeSi<Sub>2</Sub>薄膜的工艺方法。它包括以下过程:第一,清洗Si片;第二,采用磁控溅射方法,在Si片衬底上沉积Cr/Fe或Fe/Cr双层膜,或Fe/Cr/Fe多层...
谢泉张晋敏肖清泉梁艳曾武贤王衍马道京
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钇铝石榴石制备方法
钇铝石榴石制备方法,涉及一种荧光粉的制备工艺,尤其是涉及一种铕激活的钇铝石榴石制备工艺。提供一种采用高分子网络凝胶法,不必球磨,无团聚或少团聚,可直接用于封装,能最大限度地发挥其光学性能,无环境污染,节约成本的钇铝石榴石...
曾人杰肖清泉黄勇
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Mg膜厚度对Mg_2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响
2015年
采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4 h制备一系列Mg2Si半导体薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的结构、表面形貌、剖面进行表征,研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生成的影响。结果表明,在Si衬底上制备出以Mg2Si(220)为主的单一相Mg2Si薄膜,且Mg2Si(220)的衍射峰强度随着Mg膜厚度的增加先增大后减小,Mg膜为2.52μm时,制备的Mg2Si薄膜表现出了良好的结晶度和平整度。最后,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜方块电阻的影响。
杨云良廖杨芳姚震震肖清泉张宝晖章竞予谢泉
关键词:磁控溅射薄膜厚度方块电阻
一种新型热蒸发镀膜器及其使用方法
本发明公开了一种新型热蒸发镀膜器,其特征在于:圆台式垂直筒(304)下端连接支架(309),放置于镀膜器底盘上,圆台式垂直筒(304)下口直径大于挡板(305)直径及钨舟(307)的长度。通过对现有的热蒸发镀膜器进行改进...
谢泉吴宏仙张晋敏廖杨芳房迪王善兰刘小军梁枫肖清泉陈茜
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