张佰君
作品数： 120被引量：21H指数：2
  • 所属机构:中山大学
  • 所在地区:广东省 广州市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家高技术研究发展计划

相关作者

刘扬
作品数：171被引量：47H指数：3
供职机构：中山大学
研究主题：GAN 栅极 势垒 阈值电压 FET器件
王钢
作品数：313被引量：84H指数：6
供职机构：中山大学
研究主题：氧化镓 芯片 半导体 衬底 发光二极管
贺致远
作品数：23被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学
研究主题：GAN SI衬底 欧姆接触 ALGAN/GAN 功率型
陈伟杰
作品数：11被引量：1H指数：1
供职机构：中山大学
研究主题：图形化 成核 GAN基LED SI衬底 LED阵列
向鹏
作品数：8被引量：1H指数：1
供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室
研究主题：SI衬底 晶体质量 氢化物气相外延 湿法刻蚀 GAN
作品列表
一种GaN基增强型MOSHFET器件及其制备方法
本发明涉及GaN增强型MOSHFET器件及其制备方法。该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层，其中，外延层由下往上依次包括应力缓冲层及GaN层，GaN层上在栅极区域选择生长一层p-GaN层，在接入区选择生长一层异质结构势垒...
刘扬姚尧张佰君
一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制备方法
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制作方法。本发明的器件包括栅极、源极、漏极、绝缘介质层和衬底，所述衬底上由下往上依次设有应力缓冲层、第一GaN层和选择生长层，所述选择生长层包...
刘扬张金城贺致远张佰君
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纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法
本发明公开一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法，该器件由下往上依次包括衬底（1）、n型GaN层（2），电子阻挡层（3）、非掺杂GaN层（4）及异质结构势垒层（5），由异质结构势垒层表面刻蚀凹槽至n型Ga...
刘扬杨帆张佰君
电极形状对蓝宝石衬底GaN基LED的电流扩展的影响
为了研究电极形状对蓝宝石衬底GaN基LED的电流扩展色影响.本文建立了一个电流扩展模型来分析器件的电流分布,并用自己做的芯片验证了模型的正确性。
黄智聪卫静婷黄善津张佰君王钢
关键词：蓝宝石衬底GAN基LED电流模型
文献传递
一种GaN纳米线及其制备方法
本发明公开了一种GaN纳米线及其制备方法，GaN纳米线制备方法步骤包括：通过MOCVD在衬底上外延生长三族氮化物薄膜，并在此外延片上制备图形化掩蔽膜，基于MOCVD选择性区域生长方法在该图形化的外延片上生长GaN六角金字...
张佰君陈伟杰林佳利
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GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法
本发明公开了一种基于选择性区域外延生长技术的GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法。本发明器件制作过程包括：（A）在衬底上制备条形排列的掩蔽膜并通过选取性区域外延技术生长条型结构n型GaN阵列，（B）在条型结构n型Ga...
张佰君陈伟杰
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一种具有空气桥参比电极遮光结构的传感器芯片及制备方法
本发明涉及生命科学半导体芯片的技术领域，更具体地，涉及一种具有空气桥参比电极遮光结构的传感器芯片及制备方法。本发明集成了传感器、具有遮光效果的空气桥形式的参比电极。器件芯片能探测液体生物信号，操作方便，遮光的参比电极能避...
张佰君邢洁莹黄德佳
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一种Si衬底GaN基肖特基势垒二极管器件的三维互联结构及三维互联方法
本发明涉及一种Si衬底GaN基肖特基势垒二极管器件三维互联技术，包括两个或两个以上的二极管，单个二极管包括从下至上排列的Si衬底层（1）、GaN外延层（2）、电极层，其中所述电极层的阴极（3）和阳极（4）相对、且间隔开地...
刘扬周桂林张佰君
一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层...
卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢
关键词：硅衬底通孔电流扩展绿光LED
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量子阱前应力变化对Si衬底GaN/InGaN量子阱的影响
GaN/InGaN基高In组分量子阱LED的生长是继蓝光GaN/InGaN量子阱LED之后备受关注的研究,但是相比蓝光LED,其发光效率,材料稳定性仍有一定差距.目前黄-绿光LED是LED产业的一个研究重点,但是其应用还...
柳铭岗张佰君杨亿斌向鹏陈伟杰韩小标林秀其臧文杰吴志盛刘扬
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