张志林
作品数： 251被引量：671H指数：13
  • 所属机构:上海大学
  • 所在地区:上海市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

蒋雪茵
作品数：218被引量：768H指数：13
供职机构：上海大学
研究主题：电致发光 电致发光器件 有机电致发光器件 有机电致发光 OLED
许少鸿
作品数：114被引量：596H指数：13
供职机构：上海大学通信与信息工程学院新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
研究主题：电致发光 电致发光器件 有机电致发光器件 有机薄膜电致发光 发光二极管
朱文清
作品数：162被引量：466H指数：11
供职机构：上海大学
研究主题：有机电致发光器件 OLED 电致发光器件 有机电致发光 电致发光
张建华
作品数：1,483被引量：7,210H指数：42
供职机构：上海大学
研究主题：薄膜晶体管 电极 电力系统 知识管理 基板
李俊
作品数：81被引量：20H指数：3
供职机构：上海大学
研究主题：电极 突触 晶体管 薄膜晶体管 晶体管器件
作品列表
用于OLED的新型TFT器件的研究
张志林
用折射率匹配层提高顶发射OLED的性能
张小文蒋雪茵李俊张良俞东斌朱文清张志林
陶瓷基片薄膜电致发光器件被引量：9
1995年
本文报道了一种新颖的陶瓷基片薄膜电致发光器件（ＣＳＴＦＥＬ），使用高介电常数的陶瓷片作器件的基片，同时又作为器件中的绝缘层，陶瓷片表面无需抛光处理，直接制作发光器件，工艺简单，用市电５０Ｈｚ，２２０Ｖ驱动，亮度大于３０ｃｄ／ｍ２，寿命大于１００００小时．
赵伟明张志林蒋雪茵刘祖刚许少鸿
关键词：陶瓷电致发光
以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件研究被引量：14
1997年
研制了以四元系组分ＰＭＮＰＴＰＦＮＰＣＷ陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件，对陶瓷厚膜的制备条件和制得的厚膜与器件的发光性能的关系进行了详细的研究。特别对基片要求和印刷烧制等工艺进行了探讨。
刘祖刚赵伟明唐春玖沈鸿亮蒋雪茵张志林许少鸿
关键词：陶瓷厚膜绝缘层陶瓷电致发光器件
一种基于新型量子点复合电解质层的突触器件及制备方法
本发明公开了一种了基于新型量子点复合电解质层的突触器件及制备方法。包括：衬底，衬底上设置有量子点层以及底栅，量子点层上设置有介质缓冲层，所述介质缓冲层上设置有源极、漏极以及有源层，所述介质缓冲层用于阻隔所述有源层和所述量...
李俊杨耀华张志林张建华
有空穴传输层的双层有机薄膜电致发光器件
1992年
制备了由有机空穴传输层和有机发光层组成的双层有机薄膜电致发光器件,器件的发光亮度相对于单层器件有了很大的提高。并用不同深度区域的掺杂方法,对其电致发光机理作了探讨。对单、双层器件的不同的亮度电流关系、不同的发光区域进行了分析和讨论.
刘祖刚沈悦蒋雪茵张志林赵伟明许少鸿
关键词：电致发光器件发光层
高性能OLED器件
本报告回顾了上海大学发光与光电研究室、新型显示技术及应用集成教育部重点实验室(上海大学)在高性能OLED 器件领域的研究历程，概述了上海大学在高性能OLED 器件及集成技术方面的研究工作。
张志林蒋雪茵张建华
薄膜热处理对ZnO薄膜晶体管性能的提高被引量：4
2011年
制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V.s)增大至3.12 cm2/(V.s),阈值电压由20.8 V减小至9.9 V,亚阈值摆幅由2.6 V/dec减小至1.9 V/dec。25 V直流电压施加3 600 s后,未退火器件的阈值电压变化达到8 V,而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4V。实验结果表明,对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的电学性能和偏压稳定性。
张浩张良李俊蒋雪茵张志林张建华
关键词：薄膜晶体管ZNO稳定性退火
可持续生产可蒸发材料的管式提纯装置
本发明涉及一种可持续生产可蒸发材料的管式提纯装置，由一个带有进料管、多个出料管、进气管和抽气管的外管，一个比外管直径稍小可以套在外管里面密配合的并在与外管的各出口处都有相应的开孔的内管，与外管相连的真空封头，在真空封头中...
张建华张志林王子兴蒋雪茵
文献传递
蓝色Al/LiF双层电极有机电致发光器件(英文)被引量：1
2000年
合成并采用DPVB作为发光层 ,Al/LiF双层电极作阴极 ,得到了高亮度 (>980 0cd/m2 )、高效率 (1.7lm/W )的蓝色有机电致发光器件 .
叶炜赵伟明郑彬肖斐谢进宗祥福蒋雪茵张志林
关键词：电致发光蓝色发光双层电极有机发光器件
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