杨富华
作品数： 483被引量：252H指数：7
  • 所属机构:中国科学院半导体研究所
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

王晓东
作品数：423被引量：1,133H指数：17
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 微装配 刻蚀
杨晋玲
作品数：114被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：谐振器 圆片级 电极 谐振结构 淀积
韩伟华
作品数：101被引量：84H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 晶体管 纳米线 硅纳米线 硅衬底
张加勇
作品数：38被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：纳米尺寸 相变存储器 淀积 干法刻蚀 相变材料
杨香
作品数：45被引量：12H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 硅基 刻蚀 相变存储器 沟槽
作品列表