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作品数： 280被引量：619H指数：13

相关作者

申德振: 作品数：454被引量：713H指数：13; 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 研究主题：紫外探测器 ZNO 光致发光氧化锌响应度

张振中: 作品数：193被引量：234H指数：9; 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 研究主题：紫外探测器响应度 ZNO 暗电流 SUB

作品列表

ZnSe材料光学非线性测量: 1989年; 一、前言近年来,随着光计算的发展,半导体光学非线性和光学双稳受到很大的重视。有关GaAs材料光学非线性的报道已有很多,国内未见ZnSe材料在本征光谱区光学非线性吸收的报道。本文主要叙述了利用我们实验室中现有设备,建立了ZnSe材料光学非线性测量方法。并列举了ZnSe材料光学非线性的测量结果。二、测量装置为了测量ZnSe材料的激子吸收和发射,选择香豆素440是比较理想的染料之一。我们利用现有设备,建立了测量Ⅱ一Ⅵ族半导体材料的光学非线性吸收实验系统。装置原理如图1所示:; 杨爱华陈连春范希武; 关键词：光学非线性 ZNSE 激子双稳超辐射微机处理

非晶Si/SiO_2超晶格结构的交流电致发光被引量：4: 2000年; 设计并用磁控溅射方法制备了非晶 Si/Si O2 超晶格结构 ,以高纯多晶 Si为靶材 ,当以 Ar+O2 为溅射气氛时 ,得到 Si O2 膜 ,仅以 Ar为气氛时 ,得到 Si膜。重复地开和关 O2 气 ,便交替地得到 Si O2 和 Si膜。衬底在靶前往返平移 ,改变平移的速度或者改变溅射的功率 ,可以控制膜的厚度。通过透射电镜的照片可以看出 Si O2 和 Si膜具有均匀的周期结构 ,用低角 X-射线反射谱表征了超晶格的周期结构和各层的厚度。透射光谱表明 ,光学吸收边随 Si层厚度的减小向短波方向移动 ;从退火前和退火后样品的喇曼光谱的变化可判断硅量子点的存在及其尺寸。利用双绝缘层的交流电致发光器件结构 ,首次获得非晶 Si/Si O2 超晶格的蓝绿色电致发光 ,在发射光谱中存在几个分立的发光谱带 ,随 Si层厚度的减小 ,短波发光谱带的相对强度增加。; 孙甲明钟国柱钟国柱; 关键词：超晶格电致发光硅量子点

在SiO_2分子筛内CdS纳米晶的内延生长及特性研究被引量：9: 1997年; 在ＳｉＯ２分子筛内ＣｄＳ纳米晶的内延生长及特性研究于广友范希武申德振张吉英杨宝均（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）蔡强（吉林大学化学系，长春１３００２３）关键词ＳｉＯ２分子筛，ＣｄＳ...; 于广友范希武申德振张吉英杨宝均蔡强; 关键词：分子筛纳米晶硫化镉纳米材料

电子束照射LiF薄膜有源沟道的宽带光致发光: 2001年; 用热蒸发在玻璃衬底上制备了多晶LiF薄膜 ,研究了由电子束照射产生的有源沟道的室温宽带光致发光特性。研究表明 ,室温下有源沟道F2 和F3+ 色心具有较大的光增益和折射率增量 ,有望实现可见波段的可调谐有源光波导器件。; 郑杰李燕徐迈范希武Righini G C; 关键词：色心电子束氟化锂宽带光致发光

表面水吸附对p型ZnO电学性质影响的第一性原理研究: 工作目的：实验上采用各种实验方法,通过单独掺杂Ⅰ、Ⅴ族,共掺Ⅴ-Ⅴ族,Ⅰ-Ⅴ族元素的方法已成功的制出 p 型的 ZnO 薄膜。但是,可重复的、稳定的 p 型 ZnO 材料的制备仍旧是当前阻碍 ZnO 材料应用的一个瓶颈。...; 盖艳琴姚斌范希武; 文献传递

(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究被引量：6: 2001年; 设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在，从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据。; 羊亿栗红玉申德振张吉英吕有明刘益春范希武; 关键词：光学特性光计算机

Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜的结构和光学性质被引量：4: 2004年; 用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量的增加 ,薄膜的晶格常数c由 0 5 2 0 5nm减小到 0 5 1 85nm。室温光致发光谱出现很强的紫外近带发射 (NBE)峰 ,没有观察到深能级 (DL)发射 ,且随着Mg的掺入量的增加 ,紫外发射峰有明显的蓝移。透射光谱的结果表明 ,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动 ,这与室温下光致发光的结果是相吻合的 ,并计算出随着x值增加 ,带隙宽度从 3 338eV逐渐展宽到3 6 82eV。通过研究Mg0 1 2 Zn0 88O样品的变温光谱 ,将紫外发射归结为束缚在施主能级上的束缚激子发射。并详细地研究了在整个温度变化过程中 ,束缚激子的两个不同的猝灭过程以及谱线的半峰全宽与温度变化的关系。; 吴春霞吕有明李炳辉魏志鹏刘益春申德振张吉英范希武; 关键词：MGXZN1-XO X射线双晶衍射光致发光

用非相干光时间延迟四波混频测量超快速过程被引量：1: 1995年; 本文报道了在双极性扩散系数较大情况下，用非相干光时间延迟四波混频测量失相时间和光栅衰减时间的理论，并对计算结果进行了讨论。; 张希清范希武黄世华; 关键词：非相干光四波混频

用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法: 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用等离子体辅助的分子束外延制备氧化物纳米管的方法。先用射频等离子辅助的分子束外延设备，在蓝宝石或硅衬底上生长ZnO薄层，薄层厚度为1～8nm。通过射频等离子辅助的分子束外延设备的流...; 吕有明梁红伟申德振张振中刘益春张吉英范希武; 文献传递