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基于UTB-SOI 技术 的双辅助触发SCR ESD防护器件研究 2023年 SOI ESD防护器件的二次击穿电流,基于UTB-SOI 技术 ,提出了一种SOI gg-NMOS和寄生体硅PNP晶体管双辅助触发SCR器件。通过gg-NMOS源区的电子注入和寄生PNP晶体管的开启,共同辅助触发主泄放路径SCR,快速泄放ESD电流。TCAD仿真结果表明,新结构能够泄放较高的二次击穿电流,具有可调节的触发电压。关键词：静电放电 基于UTB-SOI 技术 的ESD防护单元研究 SOI )器件凭借其独特的背栅偏置、较小的寄生电容以及良...关键词：静电放电 高温SOI 技术 的发展现状和前景 被引量：3 2022年 SOI )技术 突破了体硅半导体器件的高温困境,已被广泛应用于石油天然气钻探、航空航天和国防装备等尖端领域。近年来,第三代宽禁带半导体功率器件已日趋成熟和普及,其中SiC器件以其先天的耐高压、耐高温等特性,与高温SOI 器件是非常理想的搭配,适用于原本体硅半导体功率器件难以实现或根本不能想象的应用场景,为系统应用设计者提供了全新的拓展空间。在简述体硅半导体器件高温困境的基础上,综述了高温SOI 技术 的发展现况,并探讨了其未来的发展方向和应用前景。关键词：体硅 绝缘层上硅 SIC SOI 技术 及产业发展研究2022年 SOI 技术 作为一种全介质隔离技术 ,有着许多体硅器件不可比拟的优势,如功耗低、速度快、抗干扰强、集成度高等特点。经过几十年的发展,SOI 技术 逐渐受到产业界的关注和重视,被广泛运用到无线通信、汽车电子、边缘计算、电源管理等领域。对SOI 结构原理和制备技术 进行了介绍,从发展历程、行业应用、生态建设等方面对RF-SOI 和FD-SOI 的产业化应用情况进行了研究和分析,并针对性地提出了当前SOI 产业面临的主要风险和挑战。关键词：SOI 射频 集成电路 SOI 技术 中的NVM装置以及制造相应装置的方法SOI 技术 中的NVM装置以及制造相应装置的方法，在一个态样中，本发明提供一种半导体装置，其包括：衬底结构，包括形成于基础衬底上方的主动半导体材料以及形成于该主动半导体材料与该基础衬底之间的埋置绝缘材料；铁电栅极...文献传递 FD-SOI 技术 产业链及市场简析 被引量：2 2019年 SOI ,以下简称FD-SOI ),是一种基于两大创新来实现平面晶体管结构的工艺技术 :一是,在体硅中引入了超薄的埋氧(BOX)层,作为绝缘层;二是,用超薄的顶硅层制造出全耗尽的晶体管沟道。FD-SOI 最大的特点是可以在无需全面改造设备结构、完整性和生产流程的前提下实现摩尔定律下的芯片面积微缩、能耗节省、性能提升及功能拓展。FD-SOI 晶体管的结构如图1所示。关键词：SOI技术 产业链 晶体管 芯片面积 使用SOI 技术 的混合丛库追迹设计的方法、设备及系统 SOI 技术 的混合丛库追迹设计的方法、设备及系统。本发明的至少一种方法、设备及系统涉及提供用于制造半导体装置的设计。在电路布局上置放具有第一宽度的第一功能胞元。判定第一功能胞元的至少一个晶体管是否为顺偏或逆偏...文献传递 一种基于SOI 技术 的MEMS电容式压力传感器 被引量：6 2018年 SOI ）技术 研制了一种可以用于飞行高度测量、气象环境监测和医疗等领域的高精度微电子机械系统（MEMS）电容式压力传感器。利用有限元分析软件对传感器敏感结构进行了结构建模、静力和模态仿真分析。敏感结构为敏感电容和参考电容差动输出形式,可以有效减小温度漂移和重力误差对压力测量准确度的影响。比较了无岛和有岛两种敏感膜的性能差异。为了提高传感器性能,利用成熟的MEMS加工工艺制作了SOI 敏感电容极板,并利用硅-硅键合工艺实现了真空腔体。传感器采用标准塑封封装后,采用高低温压力测量系统进行了性能测试。测试结果表明,传感器量程达到30-120 kPa,非线性0.04%-0.09%,分辨率1 Pa。关键词：电容式压力传感器 SOI 技术 中的NVM装置以及制造相应装置的方法SOI 技术 中的NVM装置以及制造相应装置的方法，在一个态样中，本发明提供一种半导体装置，其包括：衬底结构，包括形成于基础衬底上方的主动半导体材料以及形成于该主动半导体材料与该基础衬底之间的埋置绝缘材料；铁电栅极...RF-SOI 技术 应对RF技术 革新 被引量：4 2017年 SOI 论坛在上海召开。这次举办的2017国际RF-SOI 论坛,是由上海新敖科技和国际SOI 产业联盟共同主办,延续了2016年"物联网与5G"的主题,邀请了来自国内外的多位专家介绍国际最先进的RF-SOI 技术 和市场动态及趋势,推动国内RF-SOI 产业链的健康发展。本次论坛的主题是讨论在产业链各个环节建立SOI 生态系统。关键词：集成电路制造 产业生态系统
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揣荣岩 作品数：142 被引量：113 H指数：5 供职机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院 研究主题：应变电阻 沟道 压力传感器 晶体管 迁移率 林成鲁 作品数：249 被引量：547 H指数：13 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所 研究主题：离子注入 SOI 硅 SIMOX 铁电薄膜 张兴 作品数：872 被引量：586 H指数：12 供职机构：北京大学 研究主题：场效应晶体管 集成电路 沟道 电路 锗 赵玉龙 作品数：597 被引量：395 H指数：11 供职机构：西安交通大学 研究主题：传感器芯片 MEMS 传感器 硅 芯片 王阳元 作品数：465 被引量：777 H指数：13 供职机构：北京大学 研究主题：场效应晶体管 逻辑器件 沟道 SOI 集成电路
