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基于HiSIM-HV模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法: 本发明公开了一种基于HiSIM‑HV模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法，涉及半导体器件技术领域。所述自动化检查方法包括：需确定器件类型为N型MOSFET或P型MOSFET；将参数提取得到的参数文件，利用程序进行...; 李兴冀杨剑群应涛崔秀海

基于BSIM4模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法: 本发明公开了一种基于BSIM4模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法，涉及半导体场效应晶体管技术领域。所述自动化检查方法包括：读取第一文件；读取第二文件；基于所述第二文件中的当前参数对应的错误边界，判断所述第一文件...; 李兴冀崔秀海刘中利杨剑群

基于BSIM4模型的MOSFET模型可扩展性自动化检查方法: 本发明公开了一种基于BSIM4模型的MOSFET模型可扩展性自动化检查方法，涉及MOSFET模型技术领域。所述自动化检查方法包括：输入待检查MOSFET模型参数；输入并扩展器件工作条件，求解待检查变量；运行检查函数；输出...; 杨剑群李兴冀徐晓东崔秀海

基于数学拟合的SiC MOSFET模型的建立方法: 本发明公开了一种基于数学拟合的SiC MOSFET模型的建立方法，根据SiC MOSFET的输出特性、体二极管正向导通特性、电容特性，将器件等效为压控电流源和压控电压源以及电容电阻配合的方式，对SiC MOSFET进行特...; 刁绅陈宏刘洋皮彬彬郭亚楠

改善SOI MOSFET模型后端仿真精准性的方法: 本发明提供一种改善SOI MOSFET模型后端仿真精准性的方法，方法包括：获取有效沟道宽度及孔栅电容；根据孔栅电容及有效沟道宽度得到接触孔与第一多晶硅栅之间的单位宽度电容及其与第二多晶硅栅之间的第二电容；获取第一多晶硅栅...; 张东阳

基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法被引量：1: 2021年; 提出了一种基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法。将表征静态特性的核心单元模型优化为分段模型,以使其能同时准确表征高、低栅压下器件的静态特性。同时,在模型分段处进行线性插值以保证模型函数的连续性,基于器件漏源支路元器件参数对拟合数据进行修正以提高模型表征参数的提取准确度。此外,为提高器件的动态模型准确度,增加了栅漏结电容模型函数的分段点,并给出了分段点选择方法。将优化前后栅漏结电容模型函数和静态仿真结果与测试获得的电容曲线、转移曲线和输出曲线进行对比,曲线匹配度较高,表明提出的优化方法显著提高了动态和静态模型的准确性。最后,搭建了SiC MOSFET开关特性测试平台,通过动态开关实验验证了模型优化方法的准确性。; 余秋萍赵志斌孙鹏赵斌; 关键词：仿真模型静态特性动态特性

一种优化动态特性SiC-MOSFET模型及其在高压固态开关的应用被引量：1: 2021年; 为设计一款保护J-TEXT托卡马克电子回旋管的高压固态开关,新型宽禁带半导体SiC-MOSFET凭借低开关损耗、高耐压和MHz级别的开关频率等优良电气特性,在其中承担核心作用。但是极快的开关速度加剧了开关振荡,导致器件直串时的关断波形质量下降,对均压和抑制过压方法提出更高要求,因此亟需建立精准的模型为SiC-MOSFET在高压保护开关中的应用提供指导。在分析制造商CREE商用模型基础上,提出了一种优化动态特性SiC-MOSFET模型。该优化模型综合考虑栅源电压和漏源电压的影响,对非线性结电容采用多种函数拟合建模,并对杂散阻抗等关键寄生参数进行修正。通过仿真和300 V/3 A双脉冲测试,证明该模型在漏源电压变化率、漏源电流变化率、振荡频率和关断尖峰电压等方面具有更高的准确性。应用该优化模型设计高压固态开关的均压与过压抑制拓扑,在1400 V/700 A条件下对开关模块进行双脉冲测试。在关断时长和尖峰电压等关键指标上,仿真波形与实验波形高度吻合,实测开通关断时间均小于120 ns,指标满足开关模块设计要求,优化模型的实用性得到体现。; 李钰泷马少翔黄健翔梅畅尚文同; 关键词：动态特性

垂直型氧化镓MOSFET模型及器件设计研究: 氧化镓(GaO)作为新一代的半导体材料,其具有超宽禁带宽度4.8 e V,耐高温、高压、抗辐照能力强等物理特性均优于Si C、Ga N,在高频、航天、军事等方面有广阔的应用前景。同时,目前GaO材料还存在很多问题,例如热...; 乔润迪; 关键词：氧化镓功率器件; 文献传递

基于表面势的MOSFET模型研究及其应用: 近年来，智能便捷的无线通信技术发展迅速，万物互联把丰富多彩的智能电子设备带入我们的生活。射频前端集成电路已经成为学术界和工业界的研究热点，而集成电路设计常常受限于半导体技术。为了适应最新通信技术和集成电路芯片设计的需求，...; 黄成熊; 关键词：MOSFET 等效电路模型 CMOS工艺高斯分布表面势

SiC MOSFET模型及其影响参数分析: SiC器件具有高结温、高阻断电压、低损耗等特点,在船舶、航空航天、智能电网、无线电能传输、新能源以及轨道交通等领域应用愈加广泛和成熟。但在高开关频率下,回路及封装寄生参数形成的振荡和关断过电压等问题严重影响了器件的可靠性...; 刘冲王志辉祝天岳周海力; 关键词：寄生参数暂态模型 PSPICE

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