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金属-半导体
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种
金属
-
半导体
结构的制备方法及结构、顶栅场效应管
本申请公开了一种
金属
‑
半导体
结构的制备方法及结构、顶栅场效应管,包括,在第一承载层上依次沉积牺牲层和第二承载层,并在第二承载层上通过电子束蒸镀电极
金属
,形成第一
金属
层,通过离子束刻蚀第一
金属
层和第二承载层,得到第一结构;...
黎长建
张英利
宋家豪
刘熠哲
白印鑫
杨以浩
杜豪鹏
李江宇
一种
金属
-
半导体
结构的制备方法及结构、底栅场效应管
本申请公开了一种
金属
‑
半导体
结构的制备方法及结构、底栅场效应管,包括,在承载层上沉积牺牲层,并在所述牺牲层上通过电子束蒸镀
金属
电极层,得到第一结构;在所述第一结构上,通过离子束刻蚀所述
金属
电极层,旋涂支撑层于所述
金属
电极...
张英利
黎长建
刘熠哲
宋家豪
白印鑫
杨以浩
李江宇
一种
金属
-
半导体
-
金属
光电探测器与发光二极管的同质集成结构及制备方法
本发明公开一种
金属
‑
半导体
‑
金属
光电探测器与发光二极管的同质集成结构,涉及光电显示领域,一种
金属
‑
半导体
‑
金属
光电探测器与发光二极管的同质集成结构,其特征在于,所述同质集成结构包括:衬底;
半导体
缓冲外延层;设置于所述
半导
...
张永爱
陈超
林俊成
苏文娟
林坚普
周雄图
吴朝兴
郭太良
基于
金属
-
半导体
-
金属
结构的透明紫外光电探测器
本发明公开了一种基于
金属
‑
半导体
‑
金属
结构的透明紫外光电探测器,自下而上依次为透明基底、有源层和叉指电极;所述的有源层为透明的宽禁带
半导体
,禁带宽度大于3.1 eV,厚度大于紫外光渗透深度;所述的叉指电极为超薄
金属
薄膜,...
杨柳
贺谐
何赛灵
金属
栅
半导体
器件及其制造方法
本发明公开了一种
金属
栅
半导体
器件,栅极结构包括栅介质层、
金属
栅和侧墙;
金属
栅形成于伪多晶硅栅去除后由侧墙所围成的凹槽中;侧墙包括应力侧墙,应力侧墙由拉应力材料层将拉应力转移到伪多晶硅栅后通过刻蚀工艺自对准形成在伪多晶硅栅...
白文琦
王世铭
黄志森
胡展源
杨会山
具有功函数
金属
的
半导体
器件
提供了具有功函数
金属
的
半导体
器件。所述
半导体
器件包括:基底,具有逻辑区域;活性区,位于逻辑区域中;绝缘层,布置在基底上并且被构造为覆盖活性区;以及栅电极,被构造为覆盖活性区的侧表面并且与活性区交叉,所述栅电极包括位于活性...
金柱然
二维碱
金属
金化物双
金属
烯
半导体
被引量:1
2024年
将不同
金属
元素通过合金化形成二维材料(
金属
烯)对基础研究和纳米电子器件的实际应用具有重要意义,但目前鲜有
金属
烯材料是具有本征带隙的
半导体
.受离子晶体成键特征的启发,通过结构搜索、成键分析和高通量第一性原理计算,本文从2500多个双
金属
烯中筛选出一系列具有晶格动力学稳定和碱
金属
-金离子键的二维碱
金属
金化物双
金属
烯
半导体
.由于碱
金属
和金之间的大电负性差,其中32个碱
金属
金化物双
金属
烯是带隙范围为0.97~5.20 eV的
半导体
材料,而锂金双
金属
烯由于电负性差减小呈现出
金属
性.Bohn-Oppenheimer分子动力学模拟表明19个双
金属
烯在室温下结构稳定有利于实际应用.这项研究为设计双
金属
烯
半导体
提供了指导,并揭示了二维
金属
合金中成键行为和电子结构性质间的关联.
张凯
吕海峰
武晓君
杨金龙
关键词:
晶格动力学
金属性
成键特征
双金属
第一性原理计算
离子晶体
用于集成NMOS和PMOS晶体管的低电阻
金属
到
半导体
接触部
论述了与n型和p型源极和漏极
半导体
的选择性
金属
接触部相关的互补
金属
‑氧化物‑
半导体
(CMOS)器件和方法。在n型和p型源极/漏极上沉积p型
金属
。p型
金属
被从n型源极/漏极选择性去除,但保留在与n型源极/漏极相邻的电介质材...
C·J·杰泽斯基
M·V·梅茨
采用背侧
半导体
或
金属
的
半导体
二极管
公开了包括一个或多个晶体管和一个或多个
半导体
二极管的一种集成电路(IC)层。一种晶体管可以包括一个或多个非平面
半导体
主体,其中有沟道区,而该二极管还包括一个或多个非平面
半导体
主体,其中有p型区域、n型区域或两者。一个IC...
P·莫罗
R·米恩德鲁
N·D·杰克
采用背侧
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或
金属
的
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公开了包括一个或多个晶体管和一个或多个
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半导体
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