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非接触式的金属化系统
本发明公开一种非接触式的金属化系统，包括玻璃基板、浆料填充机构、移动机构及光发射器，其中，所述玻璃基板具有相对设置的正面和背面，所述正面设有沟槽，所述沟槽的宽度不小于3um，所述沟槽的深度不小于5um；所述浆料填充机构用...
张立周建红王冲甘海全
用于形成薄膜太阳能组件的交叉导线的喷墨印刷机和自动式金属化系统
本申请的实施例提供了一种用于形成薄膜太阳能组件的交叉导线的喷墨印刷机，该交叉导线位于薄膜太阳能组件的前电极层的远离薄膜太阳能组件的基板的表面上，并且包括相互垂直的G1栅线组和G2栅线组，用于形成G2栅线组的凹槽位于前电极...
沈轶磊巴拉-克利什纳·戛迪苟普拉雷笑军谢辰波
半导体器件金属化系统和方法
本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中，用于半导体器件的金属化系统包括：主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积（PVD）模块，并且多个模块之一包括紫外光（UV）固化模块。
李香寰眭晓林蒯光国陈海清曾同庆杨文成高宗恩李明翰黄心岩
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侦测金属化系统中的异常弱BEOL部位
本发明揭露一种侦测金属化系统中的异常弱BEOL部位，其中，揭示于本文的一示范方法，除了别的以外，包括在形成于一半导体芯片的一金属化系统上方的柱状凸块上进行一横向力测试，该横向力测试包括：使该柱状凸块与一测试探针接触同时使...
V·W·瑞安H·盖斯勒D·布罗伊尔
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检测金属化系统之上所形成的异常刚性柱凸块
本发明涉及检测金属化系统之上所形成的异常刚性柱凸块。一般而言，本文所揭露的技术主题是与在半导体芯片上测试形成的柱凸块相关，以便检测是否存在异常刚性柱块。本文所揭露的一种说明性方法包括：将相邻于在半导体芯片的金属化系统上方...
V·W·瑞安H·盖斯勒D·布罗伊尔
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包含形成于低K金属化系统上的应力缓冲材料的半导体装置
本发明是包含形成于低K金属化系统上的应力缓冲材料的半导体装置。形成在复杂的半导体装置的金属化系统上的凸块结构或柱状结构可以包含应力缓冲层(260)，该应力缓冲层可以有效地分散典型可能在芯片封装件交互作用期间因为上述组件的...
A·沃尔特M·列
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半导体器件金属化系统和方法
本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中，用于半导体器件的金属化系统包括：主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积（PVD）模块，并且多个模块之一包括紫外光（UV）固化模块。
李香寰眭晓林蒯光国陈海清曾同庆杨文成高宗恩李明翰黄心岩
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包括非常锥形的转变贯孔的半导体装置的金属化系统
在半导体装置的金属化系统中，可通过修改对应蚀刻顺序来提供具有锥形程度增加的转变贯孔。举例来说，可一次或多次腐蚀用以形成该贯孔开口的阻剂掩膜，以增加对应掩膜开口的横向尺寸。由于显著的锥形程度，在用以共同填充该贯孔开口与连接...
F·福斯特尔T·沃纳K·弗罗贝格
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侦测金属化系统中的异常弱BEOL部位
本发明揭露一种侦测金属化系统中的异常弱BEOL部位，其中，揭示于本文的一示范方法，除了别的以外，包括在形成于一半导体芯片的一金属化系统上方的柱状凸块上进行一横向力测试，该横向力测试包括：使该柱状凸块与一测试探针接触同时使...
V·W·瑞安H·盖斯勒D·布罗伊尔
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检测金属化系统之上所形成的异常刚性柱凸块
本发明涉及检测金属化系统之上所形成的异常刚性柱凸块。一般而言，本文所揭露的技术主题是与在半导体芯片上测试形成的柱凸块相关，以便检测是否存在异常刚性柱块。本文所揭露的一种说明性方法包括：将相邻于在半导体芯片的金属化系统上方...
V·W·瑞安H·盖斯勒D·布罗伊尔
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李志国
作品数：158被引量：260H指数：10
供职机构：北京工业大学
研究主题：可靠性 半导体器件 欧姆接触 加速寿命试验 微电子器件
程尧海
作品数：77被引量：136H指数：7
供职机构：北京工业大学
研究主题：可靠性 半导体器件 欧姆接触 微电子器件 砷化镓
孙英华
作品数：50被引量：64H指数：5
供职机构：北京工业大学
研究主题：可靠性 欧姆接触 半导体器件 金属化布线 砷化镓
郭伟玲
作品数：196被引量：527H指数：10
供职机构：北京工业大学
研究主题：半导体激光器 可靠性 发光二极管 LED GAN
吉元
作品数：145被引量：153H指数：7
供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院
研究主题：电子背散射衍射 扫描电镜 EBSD 扫描电子显微镜 ESEM