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- 量子阱半导体激光器
- 半导体激光器又称激光二级管，是国际国内前沿领域的重大研究课题。该研究芯片结构进行了长期的研究工作，主要技术指标已达到了国际先进水平，并具备了利用该芯片材料制作器件，向市场推广应用的能力。半导体激光器其体积和重量如同大功率...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光器大功率激光器
- 量子级联半导体激光器
- 本发明涉及一种量子级联半导体激光器，包括：激光器结构，其具有第一区域、第二区域和第三区域，该第一区域包括端面；金属层，其在第三区域中被设置于主表面上；分离区域，其被设置在主表面上；和反射器，其被设置在激光器结构上。反射器...
- 吉永弘幸
- 基于PSpice的双量子阱半导体激光器等效电路的建模与仿真
- 半导体激光器是高速光通信系统中的重要光源,因其广泛的应用前景和巨大的开发潜力而备受关注。研究具有阈值电流低、光输出功率高、延迟响应时间短、增益开关特性好,并且可调控的双量子阱半导体激光器有非常重要的意义。半导体激光器的工...
- 张靖
- 关键词：速率方程模型等效电路增益开关
- InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器外延生长研究
- 半导体激光器因其优越的工作性能和广泛的应用场景,近年来市场需求快速增长,行业发展速度加快。InGaAs/InGaAs P/InGaP材料体系因可解决InGaAs/Ga As/Al Ga As材料体系中Al Ga As氧化...
- 刘伟超
- 关键词：金属有机化学气相沉积
- 一种双波长量子级联半导体激光器芯片
- 本发明提供了一种双波长量子级联半导体激光器芯片，为带有双分布布拉格反射器的脊形波导耦合放大结构，包括：布拉格光栅一和布拉格光栅二，布拉格光栅一和布拉格光栅二之间通过脊形波导一联结，布拉格光栅二通过脊形波导二联结二级锥形功...
- 曲轶马雪欢李再金徐东昕赵志斌陈浩秦宪超孙国玉乔忠良李林刘国军
- 文献传递
- 深紫外多量子阱半导体激光器的外延结构及其制备方法
- 本发明公开了一种深紫外多量子阱半导体激光器的外延结构，包括：衬底，所述衬底为单晶N型衬底；在所述衬底上表面依次生长的N型过渡层、N型下限制层、下波导层、下势垒层、多量子阱层、上势垒层、上波导层、P型上限制层及P型重掺杂层...
- 乔忠良赵志斌李再金任永学李林曲轶
- 文献传递
- InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱半导体激光器外延生长研究
- 为了实现GaAs基量子阱半导体激光器更宽的光谱范围，InGaAs/GaAs应变量子阱被广泛应用在量子阱激光器中。同时，应变多量子阱可以实现更高的材料增益，但随之而来的应变积累会引发晶格错配，并出现层-层生长模式向层-岛生...
- 王旭
- 关键词：量子阱半导体激光器晶体质量
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- 深紫外多量子阱半导体激光器的外延结构及其制备方法
- 本发明公开了一种深紫外多量子阱半导体激光器的外延结构，包括：衬底，所述衬底为单晶N型衬底；在所述衬底上表面依次生长的N型过渡层、N型下限制层、下波导层、下势垒层、多量子阱层、上势垒层、上波导层、P型上限制层及P型重掺杂层...
- 乔忠良赵志斌李再金任永学李林曲轶
- 文献传递
- InGaAs/AlGaAs单量子阱及多量子阱半导体激光器有源区外延结构
- 本发明公开了一种InGaAs/AlGaAs单量子阱及多量子阱半导体激光器有源区外延结构，从上到下依次包括GaAs盖层、AlGaAs上势垒层、GaAs上插入层、InGaAs势阱层、GaAs下插入层、AlGaAs下势垒层、G...
- 王海珠张彬王曲惠邹永刚范杰徐莉马晓辉
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- 量子级联半导体激光器
- 本发明涉及一种量子级联半导体激光器，包括：激光器结构，其具有第一区域、第二区域和第三区域，该第一区域包括端面；金属层，其在第三区域中被设置于主表面上；分离区域，其被设置在主表面上；和反射器，其被设置在激光器结构上。反射器...
- 吉永弘幸
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