搜索到183篇“ 负微分迁移率“的相关文章
- 负微分迁移率对太赫兹波段GaN基HEMT器件影响的研究
- 随着现代科学技术的发展，半导体已经成为军事、科技和社会生活中不可缺少的重要部分，以半导体技术为基础制造出的产品支撑着整个信息产业。半导体技术也从最初的以硅、锗为基本材料，延伸到砷化镓、氮化硅、碳化硅、氮化镓等多种不同类型...
- 赵洪亮
- 关键词：高电子迁移率晶体管栅电极
- 文献传递
- 基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构
- 本发明公开了一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其由下往上依次包括绝缘衬底、具负微分迁移率的有源层及绝缘保护层，有源层的两侧还分别设有侧面电极，该有源层包括位于有源层左右两端的低电阻区域、位于有源层中间的电场强...
- 王钢宋爱民许坤远
- 文献传递
- 基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构
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- 王钢宋爱民许坤远
- 文献传递
- n型GaAs材料负微分迁移率特性的Monte Carlo模拟
- 目前,利用n型GaAs材料的负微分迁移率特性这一原理制成的耿器件是当前微波器件的重要种类之一。因此对耿器件进行计算机模拟就显得很有意义。本论文将根据W·Fawcett等人的二能带跃迁理论模型,认为n型GaAs材料导带中Γ...
- 王伟
- 关键词：微波器件GAAS材料
- 文献传递
- 负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响被引量：5
- 2002年
- 对 Ga As光导开关非线性工作时 ,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析 ,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波形 ,以及载流子和电场的空间分布和随时间演变的情况。计算表明 Ga As材料的负微分迁移率引起的微分负阻 ,会导致阴极附近电场的动态增强 ,使得阴极附近的电场达到本征碰撞电离发生的阈值电场 ,从而引发本征碰撞电离的发生。分析结果表明 ,碰撞电离可以极大地延长电流输出的时间 ,但仅考虑负微分迁移率特性的本征碰撞电离过程不足以完全解释观察到的所有非线性现象 。
- 张同意石顺祥赵卫龚仁喜孙艳玲
- 关键词：光导半导体开关负微分迁移率碰撞电离GAAS砷化镓
- 晶向的各向异性对InN耿氏二极管的影响
- 2019年
- 由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利用Farahmand Modified Caughey Thomas(FMCT)迁移率模型描述了InN材料在不同晶向上的电子输运特性,利用文中提出的参数提取方法分别提取了InN在不同晶向上的FMCT模型参数。为了将InN材料的各向异性特性应用于耿氏(Gunn)二极管的制作,使用Silvaco-atlas半导体仿真软件对纤锌矿InN n^+nn^+和n^+n^-nn^+两种结构的耿氏二极管进行数值仿真,对沿两个晶向上制作的InN耿氏二极管的输出特性进行了比较。结果表明:InN耿氏二极管沿Γ-A方向比沿Γ-M方向获得的频率和转化效率更高。InN材料沿Γ-A方向更适合制作耿氏二极管,该研究为制作InN耿氏二极管提供了参考。
- 常永明郝跃
- 关键词：氮化铟各向异性负微分迁移率耿氏二极管
- GaN基毫米波雪崩渡越时间器件研究
- 随着毫米波乃至太赫兹波技术的发展，对于太赫兹波半导体器件固态源的要求越来越高。而作为半导体电子器件微波固态源中的一种，相比于共振隧穿二极管（RTD）、耿氏二极管（Gunn）和等离子体波（Plasma wave）器件，雪崩...
- 戴扬
- 关键词：氮化镓材料负微分迁移率电场分布
- 用电子束辐照注入电荷包研究低密度聚乙烯中的电荷迁移率被引量：1
- 2016年
- 通过研究外加电场强度50k V/mm以下低密度聚乙烯中的空间电荷包行为,使用一种多层结构的受辐照的双面粘贴聚氟乙烯薄膜低密度聚乙烯样品,通过电子束辐照在样品内部形成＂波包＂分布,在外加电场强度较低时形成电荷包,使用激光压力波法监测电荷包迁移。结果表明,以电荷包峰值位置为参考点,在样品内实际电场下电荷包平均迁移率分布范围为（0.17～3.01）×10？15m2/（V·s）。通过对不同外加电场强度下的空间电荷包行为的研究得到,电荷包迁移速率与电场强度关系符合负微分迁移率假设模型,从而证明了在较低的电场强度下负微分迁移率模型的正确性。
- 郭世忠张冶文赵晖郑飞虎安振连
- 关键词：低密度聚乙烯聚氟乙烯电子束辐照空间电荷包负微分迁移率
- 新型氮化铟基太赫兹耿氏二极管研究
- 太赫兹技术广阔的应用前景激发了世界各国科研人员对太赫兹波振荡辐射源和探测器的开发研究。耿氏二极管被认为是极具太赫兹应用潜力的电子学器件。基于砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等材料的耿氏二极管的频率和功率都已经达到极致...
- 龙双
- 关键词：氮化铟二极管蒙特卡罗方法电子输运负微分迁移率振荡特性
- 文献传递
- 渐变AlGaN加速层GaN耿氏二极管的研究
- 常规半导体微波功率器件已经发展到其性能极限，为了满足无线通信的未来需要，宽禁带半导体GaN和SiC成为研究的热点。GaN基耿氏二极管被认为是目前太赫兹发射源的最佳器件之一，这是由于GaN基耿氏二极管良好的高频特性，以及高...
- 万鑫
- 关键词：耿氏二极管振荡频率ALGAN/GAN异质结负微分迁移率
- 文献传递
相关作者
- 张冶文
- 作品数：271被引量：484H指数：12
- 供职机构：同济大学
- 研究主题：空间电荷 低密度聚乙烯 空间电荷分布 聚乙烯 驻极体
- 夏俊峰
- 作品数：7被引量：20H指数：3
- 供职机构：同济大学波耳固体物理研究所
- 研究主题：低密度聚乙烯 负微分迁移率 空间电荷包 聚乙烯 PMMA
- 郑飞虎
- 作品数：122被引量：278H指数：11
- 供职机构：同济大学
- 研究主题：空间电荷 低密度聚乙烯 空间电荷分布 聚乙烯 测量方法
- 许坤远
- 作品数：37被引量：9H指数：2
- 供职机构：华南师范大学
- 研究主题：绝缘 纳米 绝缘衬底 绝缘保护 太赫兹辐射
- 宋爱民
- 作品数：2被引量：0H指数：0
- 供职机构：中山大学
- 研究主题：负微分迁移率 绝缘衬底 绝缘保护 微分 迁移率
