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一种降低表面电场的VLD终端
本发明提供一种易于实现、电压适用范围广、降低表面电场的VLD(Variable Lateral Doping，VLD)终端，通过两次离子注入来改善VLD终端波浪形不均匀的杂质分布，使得杂质分布更接近平滑的渐变分布，从而改...
任敏皮蒙郭霄刘思为周子怡李泽宏张波
一种优化横向氧化镓功率器件表面电场的结构及制备方法
本发明公开了一种优化横向氧化镓功率器件表面电场的结构及制备方法，该结构包括：包括衬底、n型氧化镓沟道层、源极、漏极、p型氧化物半导体层和栅叠层，所述衬底与n型氧化镓沟道层连接，所述源极、漏极、p型氧化物半导体层和栅叠层设...
邓郁馨卢星徐童龄王钢陈梓敏
一种不同大小水珠硅橡胶表面电场预测方法
本发明公开了一种不同大小水珠硅橡胶表面电场预测方法，包括硅橡胶表面水珠直流放电试验、有限元法静电场仿真和表面电场预测。水珠直流放电试验获取硅橡胶表面电场与水珠半径的关系，在有限元法静电场仿真中建立硅橡胶表面分离水珠模型，...
封琰夏星宇薛田良方春华梁珑董立文岳昕
一种均压环表面电场强度测量装置和均压环系统
一种均压环表面电场强度测量装置和均压环系统，均压环为设有中空腔体的环状结构，测量装置包括测量电路、电介质板、电极板和电源，测量电路设置在均压环的腔体内并与电源相连，电介质板的一面设置在均压环的外侧壁上，电极板设置在电介质...
孟祥龙卢世才徐华平孙志林颜艳吕刚周大为陈建杨豪石照亮龙运智覃思翔赵伟
基于一种控制表面电场的硅漂移探测器及其设计方法
本发明公开了一种基于一种控制表面电场的硅漂移探测器及其设计方法，基于一种控制表面电场的硅漂移探测器包括依次连接的前表面电极、圆柱形n型硅主体和后表面电极；首先依据前表面电极的第一P+型圆形螺旋阴极环在径向r点的电阻值，确...
李正匡凤兰龙志林
一种均压环表面电场强度测量装置
本实用新型提供了一种均压环表面电场强度测量装置，包括测量仪和安全帽，所述测量仪包括测量仪主体，所述测量仪主体上设有保护盒，所述保护盒用于测量仪主体的保护作用；所述测量仪主体上设有数据视窗、调整旋钮和输入口，所述安全帽上设...
殷方亮
一种高压导线表面电场强度分析方法及系统
本发明涉及测量磁变量技术领域，具体涉及一种高压导线表面电场强度分析方法及系统，包括：获取若干次在所有检测节点处采集的电场强度数据以及若干种环境因素数据，并获取每次在所有检测节点采集的数据中电场强度数据的特征值；根据同次在...
史小龙朱小强程毛迪费小玲韩小兵肖峰何小建
一种高压导线表面电场强度分析方法及系统
本发明涉及测量磁变量技术领域，具体涉及一种高压导线表面电场强度分析方法及系统，包括：获取若干次在所有检测节点处采集的电场强度数据以及若干种环境因素数据，并获取每次在所有检测节点采集的数据中电场强度数据的特征值；根据同次在...
史小龙朱小强程毛迪费小玲韩小兵肖峰何小建
一种绝缘子表面电场强度测量装置和绝缘子系统
一种绝缘子表面电场强度测量装置和绝缘子系统，该测量装置包括电压采样装置、电压测量装置和外部绝缘涂层，电压采样装置包括构成平板电容器的上极板、电介质板、下极板，以及弧形化的第一均压圈，第一均压圈围绕于平板电容器的外侧设置，...
孟祥龙徐望圣韩玉康王郑刁望圆崔健谢运强彭超
利用表面电场调控衬底对低折射率样品的无标记成像装置及方法
本发明公开了一种利用表面电场调控衬底对低折射率样品的无标记成像装置及方法，属于光学成像技术领域，其中方法包括以下步骤：将亚波长尺寸的低折射率样品置于沉积有多层光学薄膜的载玻片衬底上，并将所述载玻片衬底置于光学显微镜的载物...
王栋叶永红祁梦萍
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张波
作品数：4,960被引量：7,033H指数：42
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研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
乔明
作品数：620被引量：131H指数：7
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 功率半导体器件 半导体功率器件 比导通电阻 击穿电压
李泽宏
作品数：1,006被引量：113H指数：5
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 半导体功率器件 导电类型 关断损耗
任敏
作品数：494被引量：21H指数：3
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 功率半导体器件 漂移区 半导体 导通压降
李肇基
作品数：359被引量：624H指数：13
供职机构：电子科技大学
研究主题：击穿电压 功率器件 导电类型 SOI 功率半导体器件