搜索到402篇“ 肖特基势垒栅场效应晶体管“的相关文章
砷化镓肖特基势垒场效应晶体管译文集
南京固体器件研究所编
行波砷化镓肖特基势垒场效应晶体管模型
陈畲
关键词:肖特基势垒栅场效应晶体管砷化镓行波波导微波集成电路等效电路
一种集成肖特基势垒场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种集成肖特基势垒场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管包括:第一导电类型衬底,第一导电类型外延层,第一导电类型外延层中包括第二导电类型掺杂区,相邻第二导电类型掺杂区之间形成JFET区;源隔离结构,相邻...
柏松黄润华张腾应贤炜宋晓峰杨勇
于自支撑金刚石薄膜的晶体管和紫外探测器制备与性能研究
由于金刚石薄膜具有优异的力学、热学、光学、电学和化学稳定性,使得它成为一种理想的电子器件用宽禁带半导体材料,于金刚石薄膜的器件尤其适用于在高温、高功率、强辐射和腐蚀性的苛刻环境下应用。CVD金刚石薄膜,尤其是具有光滑表...
黄健
关键词:肖特基势垒栅场效应晶体管ZNO薄膜紫外光探测器
文献传递
晶体管、MOS器件
2001年
N2001-07044 0107554电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM99-199~211(信学技报,Vol.99,No.618)[汇,曰]/日本电子情报通信学会.—2000.02.—90P.(L)本文集内容与信学技报,Vol.99,No.616相同。请参见文献 N2001-07042。Y2000-62524-125 0107555高功率压入封装绝缘双极晶体管的开发与应用=Development of high power press-pack IGBT and It’s ap-plicatiotis[会,英]/Uchida,Y.& Seki,Y.//2000IEEE Proceedings of 22nd International Conference onMicroelectronics,Vol.1.—125~129(EC)
关键词:高电子迁移率晶体管肖特基势垒栅场效应晶体管绝缘栅双极晶体管硅材料结型晶体管
晶体管、MOS器件
2000年
Y2000-62067-44 0009263绝缘体上硅技术,器件与挑战=Silicon on insulatortechnology,devices,and challenges[会,英]/Cristoloveanu,S.//1998 IEEE International Conferenceon Optoelectronic and Microelectronic Materials and De-vices.—44~48(EC)
关键词:金属半导体场效应晶体管异质结双极晶体管碳化硅器件功率附加效率肖特基势垒栅场效应晶体管
多频率正弦信号激励下非线性微波电路的快速仿真
本文介绍了采用多维快速傅里叶变换(MFFT)谐波平衡法(HBM)快速模拟MESFET非线性微波电路多频激励响应的本思想,相应编制出的程序可用于功放互调失真(IMD)特性分析,混频器非线性模拟和MESFET大信号S参数提...
高学帮
关键词:微波电路仿真非线性电路傅里叶变换肖特基势垒栅场效应晶体管
一种MESFET小信号等效电路的宽带拟合法
本文介绍了一种MESFET小信号等效电路模型的宽带拟合方法;它将封装(壳)与本征(芯)部分严格分离,首先建立并拟合出封装部分的宽带模型,然后建立本征部分的宽带模型,拟合出子的特性。它采用加变量约束条件的拟牛顿法为优...
薛勇健
关键词:肖特基势垒栅场效应晶体管宽波段微波晶体管
用典型相关分析建立MESFET线性统计模型
本文提出利用多元统计学中典型相关分析建立MESFET线性统计模型的方法。与用主成份分析建立的MESFET线性统计模型相比,新统计模型的随机参数比较少,但两者精度十分接近。文中介绍了模型建立的原理,并给出了算例。
王阳沈楚玉
关键词:肖特基势垒栅场效应晶体管统计模型电路设计
一种低互调的FET混频器
本文介绍一种新型电阻型混频器的设计和特性,该混频器使用一只GaAs MESFET沟道电阻作为混频器件,这种电阻的线性很好。因而混频器的互调失真很小。该混频器可用现有混频器理论分析,在C波段本振功率9.5dBm时,混频器的...
初大庆
关键词:电路设计微波混频器肖特基势垒栅场效应晶体管

相关作者

黄健
作品数:161被引量:34H指数:3
供职机构:上海大学
研究主题:金刚石薄膜 紫外光探测器 升华 碲锌镉 纳米金刚石薄膜
曹昕
作品数:5被引量:7H指数:2
供职机构:西安交通大学
研究主题:MESFET 砷化镓 ALN薄膜 ALN GAAS功率
阮刚
作品数:7被引量:1H指数:1
供职机构:复旦大学
研究主题:反向电压 漏电流 肖特基二极管 整流器件 CMOS倒相器
薛勇健
作品数:1被引量:0H指数:0
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:MESFET 宽波段 肖特基势垒栅场效应晶体管 小信号等效电路 微波晶体管
张弋
作品数:4被引量:0H指数:0
供职机构:上海大学
研究主题:金刚石薄膜 半导体场效应晶体管 光敏晶体管 光电探测器件 氰化物