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一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法
本发明涉及半导体材料制备领域,具体涉及一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法。本发明采用金属镓作为镓源,以氧气作为氧源,以氮气为氮源,以氩气作为运输气体,进而制备GaON外延膜。本发明使用等离子增强化学...
郭道友贺怀乐胡海争吴超王顺利朱羽晨王宇超马超群
一种等离子增强化学气相沉积系统的进气结构
本实用新型属于等离子增强化学气相沉积技术领域,公开了一种等离子增强化学气相沉积系统的进气结构,包括真空室、花洒进气装置、旋转加热沉积台、进气阀、进气管、真空密封组件、气源;所述花洒进气装置、旋转加热沉积台均设置在真空室内...
邹杨孙蕾邹松东
等离子增强化学气相沉积制备氮化硅薄膜的工艺优化与性能
2023年
采用等离子增强化学气相沉积方法在p型<100>硅片沉积氮化硅薄膜,通过椭偏仪和缓冲氧化物刻蚀液(BOE)溶解实验来表征薄膜的均匀性与致密度,研究了射频功率、腔室气压、气体流量比和衬底温度4个工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响。结果表明:在60~100 W范围内,射频功率越大,氮化硅薄膜生长速率越快;腔室气压在130 Pa时有利于形成均匀性好、结构致密的氮化硅薄膜。硅烷/氨气气体流量比例较低时,提高流量比可以提高薄膜的致密度,但比例超过1.4后致密度几乎不再变化;衬底温度在200~300℃时,衬底温度越高,薄膜的生长速率越低,致密度越高。最优的工艺参数为:射频功率100 W、腔室气压130 Pa、硅烷流量280 mL/min、氨气流量10 mL/min、衬底温度300℃,此时氮化硅薄膜的生长速率为16.3 nm/min,均匀性为0.07%,折射率为2.1,溶解速率为0.42 nm/s。
张志坤占勤窦志昂白敬元杨洪广
关键词:等离子增强化学气相沉积氮化硅致密度均匀性
一种自调平等离子增强化学气相沉积装置
本发明公开了一种自调平等离子增强化学气相沉积装置,涉及半导体技术领域。该自调平等离子增强化学气相沉积装置包括沉积腔室、加热板和绝缘球。加热板和绝缘球均设置于沉积腔室内,沉积腔室具有一底板,底板与加热板平行间隔设置,绝缘球...
戴建波陆北源
一种等离子增强化学气相沉积腔室的清洗方法
本发明公开一种等离子增强化学气相沉积腔室的清洗方法,所采用的清洗气体包括CF<Sub>4</Sub>和N<Sub>2</Sub>O。本发明能够有效解决小型研究机构所使用的Si系等离子增强化学气相沉积腔室清洗问题,可以杜绝...
刘自明崔虎山邹志文蒋中原车东晨王珏斌陈璐许开东
一种自调平等离子增强化学气相沉积装置
本发明公开了一种自调平等离子增强化学气相沉积装置,涉及半导体技术领域。该自调平等离子增强化学气相沉积装置包括沉积腔室、加热板和绝缘球。加热板和绝缘球均设置于沉积腔室内,沉积腔室具有一底板,底板与加热板平行间隔设置,绝缘球...
戴建波陆北源
一种等离子增强化学气相沉积装置和沉积方法
本发明公开了一种等离子增强化学气相沉积装置和沉积方法,涉及气相沉积技术领域。该装置包括框架、气箱、射频匹配器、气体分配机构及沉积机构;射频匹配器与气箱连通,用于处理气箱输出的气体;气体分配机构用于接收射频匹配器处理后的气...
孙文彬刘龙龙
一种等离子增强化学气相沉积装置及其沉积方法
本发明公开了一种等离子增强化学气相沉积装置及其沉积方法,涉及半导体技术领域。该等离子增强化学气相沉积装置包括沉积室、盖板、测量机构、加热盘、喷气盘和升降机构。盖板盖设于沉积室上,且共同围成沉积空腔,升降机构安装于盖板上,...
戴建波刘龙龙
一种等离子增强化学气相沉积装置及其沉积方法
本发明公开了一种等离子增强化学气相沉积装置及其沉积方法,涉及半导体技术领域。该等离子增强化学气相沉积装置包括沉积室、盖板、测量机构、加热盘、喷气盘和升降机构。盖板盖设于沉积室上,且共同围成沉积空腔,升降机构安装于盖板上,...
戴建波刘龙龙
一种等离子增强化学气相沉积装置和沉积方法
本发明公开了一种等离子增强化学气相沉积装置和沉积方法,涉及气相沉积技术领域。该装置包括框架、气箱、射频匹配器、气体分配机构及沉积机构;射频匹配器与气箱连通,用于处理气箱输出的气体;气体分配机构用于接收射频匹配器处理后的气...
孙文彬刘龙龙

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