搜索到530篇“ 碳纳米管场效应晶体管“的相关文章
- 调控碳纳米管场效应晶体管极性的方法
- 本发明涉及一种调控碳纳米管场效应晶体管极性的方法，属于场效应晶体管极性调控技术领域，该方法包括：提供一衬底；在衬底上沉积碳纳米管层；在碳纳米管层上形成极性调控层；对碳纳米管层、碳纳米管层及其上方的极性调控层或碳纳米管层及...
- 韩杰
- 一种耐压碳纳米管场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种耐压碳纳米管场效应晶体管及其制备方法，器件包括衬底、绝缘介质层、碳纳米管有源层、源端接触层、栅介质层、金属栅、漏端接触层和可加电压场板，其中衬底、绝缘介质层、碳纳米管有源层、源端接触...
- 李海鸥黄港刘洪刚
- 一种碳纳米管场效应晶体管建模方法及装置
- 本发明公开了一种碳纳米管场效应晶体管建模方法及装置，其中方法包括：构建基于nano模型的碳纳米管场效应晶体管的描述模型；描述模型为解析模型，描述模型包括带带隧穿电流模型，带带隧穿电流模型中设置有修正端口电压的基准电压，基...
- 卜建辉刘艺璇杨晨刘海南赵发展李博
- 碳纳米管场效应晶体管重离子单粒子效应研究
- 2024年
- 碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)具备优良的电学性能和稳定的化学结构,表现出较强的恶劣环境耐受能力,但其抗辐射性能仍缺乏充足的试验验证。以超薄CNT为沟道材料、HfO2为栅介质层的CNT FET为对象,研究了209Bi重离子辐射引起的器件单粒子效应(SEE)。研究结果表明,在重离子辐射条件下,栅极单粒子瞬态电流大多处于10-11 A数量级,少数达10-10 A数量级;由于CNT FET具有纳米级超薄CNT沟道,漏极电流对单粒子辐射不敏感,漏极单粒子瞬态电流几乎可以忽略,无单粒子烧毁效应(SEB);得益于HfO2栅介质层,CNT FET未发生单粒子栅穿效应(SEGR),表现出较强的抗单粒子能力。
- 翟培卓王印权徐何军郑若成朱少立
- 关键词：碳纳米管场效应管重离子单粒子效应
- 碳纳米管场效应晶体管、三维集成电路、及其制造方法
- 本发明提供了大规模位置可控的碳纳米管的制备方法，以及基于碳纳米管场效应晶体管的三维集成电路及其制备方法。具体为：选定所需特性的碳纳米均匀分散到溶液中；使用特殊的容器，将碳纳米管转移到特殊设计的模具上；再利用干冰保护与固定...
- 叶术军刘立巍马远骁王业亮
- 悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法
- 本发明涉及一种悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法，属于生物传感器技术领域，所述方法包括：制备阵列碳纳米管，并提供一衬底，在衬底上方的两侧位置处分别形成第一源极和第一漏极；使得阵列碳纳米管悬浮在第一源极和第一...
- 刘海洋肖梦梦张志勇
- 一种有机纤维基碳纳米管场效应晶体管阵列及其制备方法
- 本发明公开了一种有机纤维基碳纳米管场效应晶体管阵列及其制备方法，属于场效应晶体管技术领域。所述有机纤维基碳纳米管场效应晶体管阵列，包括：导电有机纤维；离子胶体层，覆盖在导电有机纤维的表面；半导体碳纳米管层，覆盖在离子胶体...
- 尹超逸刘瑞芳杨扬吴云巴龙
- 一种P型碳纳米管场效应晶体管的抗总剂量辐射加固方法
- 本发明提供一种P型碳纳米管场效应晶体管的抗总剂量辐射加固方法，主要解决现有加固技术无法兼顾低成本与高性能的技术问题。该方法包括以下步骤：【1】试验样品选择；【2】辐照前参数测试；【3】总剂量辐照试验；【4】辐照后参数测试...
- 郑齐文任童菲崔江维李小龙李豫东郭旗
- 一种基于低功函数金属的碳纳米管场效应晶体管及实现其欧姆接触的方法
- 本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于低功函数金属的碳纳米管场效应晶体管，所述碳纳米管场效应晶体管包括衬底、碳纳米管薄膜、源漏电极、氧化物介质层及金属颗粒层；碳纳米管薄膜平铺在衬底上，源极电极和漏极电极位于碳纳米...
- 吴胜利侯振非牛刚李洁
- 碳纳米管场效应晶体管紧凑模型研究进展被引量：1
- 2023年
- 随着摩尔定律逼近极限,碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)被认为是5 nm以下CMOS晶体管的有力替代者。CNTFET具有准一维结构,栅极可有效控制导电沟道的导通/关断;同时,载流子在沟道内可实现近弹道输运,具有极高的迁移率。因此,CNTFET在低电压环境下,可提供较大的电流传输能力,为实现纳米级超大规模模拟/逻辑电路提供了解决方案。文章综述了CNTFET紧凑模型的发展现状,分析了现阶段面临的漏极电流精确模型、隧穿效应、寄生效应、多纳米管模型等存在的问题,重点探讨了针对这些问题的解决方案。最后对该紧凑模型未来的应用前景进行了讨论。
- 杨可左石凯王尘蒋见花陈铖颖
- 关键词：碳纳米管漏极电流隧穿效应寄生效应
