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一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构及其制造方法
本发明公开了一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构及其制造方法。所述外延结构包括自下向上依次层叠的晶向为(111)的Si衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、Fe掺杂GaN层、GaN缓冲层、AlGaN梯度背势垒层、GaN...
王洪聂祚荣王楷马啸
抑制电流崩塌的HEMT器件结构及方法
本发明公开了一种抑制电流崩塌的HEMT器件结构及方法。抑制电流崩塌的HEMT器件结构包括：外延结构，包括沿第一方向依次设置的异质结、P型半导体层和n++型重掺层，所述异质结内具有载流子沟道，所述载流子沟道的导带被所述n+...
王骁林志宇张育民徐科
抑制电流崩塌的高耐压增强型HEMT器件
本发明提供一种抑制电流崩塌的高耐压增强型HEMT器件，包括衬底、GaN层、Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N层，Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N层上从左到右依此设...
罗谦刘天峻李海洋于奇
减小高频电流崩塌效应的GaN-HEMT器件
减小高频电流崩塌效应的GaN‑HEMT器件，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的衬底、AlN间隔层、Al组分渐变缓冲AlGaN层、掺C高阻GaN层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、AlN阻挡层和隔离层...
代书雨傅信强周理明徐峰王毅
GaN HEMT的电流崩塌效应研究与结构优化
GaN为宽禁带半导体材料，有临界电场大、工作温度范围广、电子迁移率高的特点，适用于制作高压、高温、高频和大功率器件，由其制成的GaNHEMT器件在军事、通信和新能源领域有很好的应用前景。尽管如此，该器件存在较多的工艺生产...
赵宏美
关键词：电流崩塌效应电场分布
一种可减小电流崩塌效应的氮化物半导体高电子迁移率晶体管外延结构
本发明公开了一种可减小电流崩塌效应的氮化物半导体高电子迁移率晶体管外延结构。氮化物半导体功率器件的外延结构，包括成核层，成核层上的缓冲层，缓冲层上的沟道层，以及沟道层上的势垒层。在含有碳元素掺杂的缓冲层上方，非故意掺杂沟...
苗操
一种抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法
本发明涉及半导体及半导体制造技术领域，具体来说是一种抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法，包括衬底，所述衬底上设有成核层；所述成核层上设有缓冲层；所述缓冲层上设有沟道层；所述沟道层上设有势垒层；所述势垒层上具有源极、栅...
高欣源李晋杨淞义钟敏袁松钮应喜赵海明赵清单卫平
文献传递
Ga2O3/GaN相关FET中电流崩塌效应研究
作为一种新型的半导体材料，Ga2O3具有超宽的带隙、超高的临界击穿电场以及不同晶相下独特的性质，在光电子、高功率以及高频器件研究领域都有极其广阔的应用前景。本论文针对Ga2O3/GaN相关FET的基本特性、电流崩塌效应展...
徐礼磊
关键词：电流崩塌效应半导体材料
文献传递
一种氮化镓器件电流崩塌测试装置
本实用新型公开了一种氮化镓器件电流崩塌测试装置，包含第一高速开关、第二高速开关；第一高速开关、第二高速开关均为二选一开关；第一高速开关的第一选择端连接至第一电压，所述第一高速开关的第二选择端用于输入待测氮化镓器件的栅极测...
卢益锋蔡文必蔡仙清侯艺伟刘胜厚张辉
文献传递
GaN HEMT器件的电流崩塌效应分析被引量：1
2021年
研究了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的温度特性,分析了自热效应造成GaN HEMT的电流崩塌现象。提出了一种图形化衬底技术来降低器件温度。在缓冲层与衬底界面设置与缓冲层同材料的梯形微阱,在势垒层与钝化层界面设置无掺杂和低Al组分的AlGaN矩形微阱。结果表明,与无微阱结构器件相比,新型有微阱结构器件的温度峰值降低了18.148K,电流崩塌效应改善比值达20.64%。
赵宏美冯全源文彦
关键词：自热效应电流崩塌
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郝跃
作品数：2,494被引量：1,198H指数：13
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
薛舫时
作品数：123被引量：111H指数：7
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET 电流崩塌 GAN 势垒 沟道
刘新宇
作品数：876被引量：299H指数：7
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
张宝顺
作品数：501被引量：192H指数：7
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 电极 HEMT器件 衬底 半导体
马晓华
作品数：800被引量：132H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 栅电极 高电子迁移率晶体管 氧化镓