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一种超晶格结构电极接触层的AlGaN发光二极管及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域。本发明提供了一种超晶格结构电极接触层的AlGaN发光二极管及其制备方法。本发明不同于传统的利用p‑GaN材料作为电极接触层，使用垂直侧壁结构的发光二极管，本发明提出利用多量子阱层、电子阻挡层、超...
孙晓娟刘客汐蒋科黎大兵吕顺鹏贲建伟张山丽刘明睿
一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法
本发明公开了一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，包括P型硅基体、遂穿超薄氧化层、非晶硅N+层、氮化硅钝化膜、局域硼背场、金属正电极和金属负电极，所述P型硅基体的正面设置为绒面，所述P型硅基体的背面设置有遂穿超薄氧化层...
赵华飞
电极接触结构、显示控制驱动器及显示器件
源极电极(76)覆盖形成于无机绝缘膜(73)及无机绝缘膜(75)的一个接触孔(81)，且分别电连接于在接触孔(81)内露出的栅极电极(72)及电容电极(74)。
神崎庸辅齐藤贵翁三轮昌彦山中雅贵孙屹金子诚二
一种高密度电法电极接触不良自动报警装置
本实用新型属于电学技术领域，具体的说是一种高密度电法电极接触不良自动报警装置，包括检测箱，所述检测箱的内部安装有电压检测仪、电流检测仪、控制器、无线网络连接模块、储存器、蓄电池，警报器，所述检测箱的表面安装有显示屏和电源...
朱玲姜菲刘鹏刘志远
一种HgCdTe芯片的PN结及电极接触孔的制备方法
本发明公开了一种HgCdTe芯片的PN结及电极接触孔的制备方法，包括：在HgCdTe芯片的P型区表面层涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶使其形成接触孔，接触孔的底端即P型区表面层；将制备接触孔后的HgCdTe芯片放置于真空环境中；使...
陈书真喻松林周震杨茂生祁娇娇宁提赵旭豪白雪飞王成刚
一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法
本发明属于晶硅光伏电池新能源领域，尤其涉及一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法，包括如下操作步骤：在抛光样品背面完成非晶硅层或多晶硅层的沉积；在非晶硅层或多晶硅层上沉积一层液态硼源，并使用激光加热烘干局部区...
李绿洲丁建宁王芹芹温相丽董旭江瑶瑶
一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法
本发明属于晶硅光伏电池新能源领域，尤其涉及一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法，包括如下操作步骤：在抛光样品背面完成非晶硅层或多晶硅层的沉积；在非晶硅层或多晶硅层上沉积一层液态硼源，并使用激光加热烘干局部区...
李绿洲丁建宁王芹芹温相丽董旭江瑶瑶
适用于保持母线与电池的电极接触的连接器、系统、方法和电池组
一种适用于在大电流供电系统中保持母线(4)与另一导体接触的连接器(3)，大电流供电系统特别是电池单元，该另一导体特别是电池的电极(5)或另一母线(4)，该连接器(3)包括夹具(11)，·该夹具(11)具有过渡段(20)，...
A·桑切斯Y·加拉蓬C·科尔布T·C·陶森德弗罗因德C·F·米歇尔J·P·库普弗C·弗劳林
一种高功函数Pd电极接触的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>日盲紫外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种高功函数Pd电极接触的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>日盲紫外光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga<Sub>2</Sub>O...
王浩危家昀韩伟桑康任沈谅平万厚钊姜聪汪宝元
降低电晶体的电极接触电阻的方法、电晶体及导电结构
本发明涉及电晶体的接触电阻技术领域,公开了降低电晶体的电极接触电阻的方法、电晶体和导电结构，其中方法包括以下步骤S1：蚀刻好电晶体的电极接触孔后，在电极接触孔的内壁制作一层二维材料层，形成第二接触孔；S2：在第二接触孔的...
黄国泰叶甜春陈少民李彬鸿苏炳熏
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郑琼
作品数：193被引量：137H指数：4
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研究主题：液流电池 电解液 电堆 双极板 钠离子电池
李先锋
作品数：1,042被引量：279H指数：7
供职机构：中国科学院大连化学物理研究所
研究主题：液流电池 电极 电解液 电池 全钒液流电池
张华民
作品数：1,396被引量：1,117H指数：20
供职机构：中国科学院大连化学物理研究所
研究主题：液流电池 电极 电解液 电池 全钒液流电池
马骁宇
作品数：407被引量：647H指数：12
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体激光器 激光器 半导体可饱和吸收镜 热沉 量子阱混杂
宋志棠
作品数：1,059被引量：351H指数：9
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：相变存储器 相变 相变材料 存储器 电阻