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一种制备纳米氮化镓薄膜的设备及方法
本发明提供了一种制备纳米氮化镓薄膜的设备及方法，包括：容纳组件，容纳组件包括封闭设置的第一容器以及设置于第一容器内部且非封闭设置的第二容器；提拉组件，提拉组件穿设连接第一容器，其包括设置于第二容器内部且沿本设备高度方向升...
俞雅萍陈星回顾吴越
一种用于获得极平滑氮化镓薄膜的高效化学机械抛光液
本发明为一种用于获得极平滑氮化镓薄膜的高效化学机械抛光液。该抛光液的组成包括：氧化剂的质量百分浓度为3.5～4.5％，表面活性剂的质量百分浓度为0.15～0.35％，抛光液体系的pH值为1.0～2.0，磨料的质量百分浓度...
咸文豪张保国刘敏
氮化镓薄膜的制造方法
边导入形成结晶性好的氮化镓薄膜的溅射气体和氮气边将氮化镓的靶33进行反应性溅射，同时边从自由基枪部40朝向基板22释放氮自由基48边在基板22的表面形成薄膜。在靶33侧和基板22侧这两侧被氮化，形成结晶性好的氮化镓薄膜。
白井雅纪山本拓司高泽悟
一种石墨烯掩膜生长氮化镓薄膜的结构
本实用新型公开了一种石墨烯掩膜生长氮化镓薄膜的结构，属于半导体技术领域。它包括氮化镓薄膜层、掩膜层和衬底层，裸露衬底层的区域为窗口区域，石墨烯覆盖区域为掩膜区域，在衬底层的窗口区域氮化镓层成核生长并覆盖掩膜层表面；所述掩...
陶佳豪曹冰李建洁蔡鑫
一种制备纳米氮化镓薄膜的设备及方法
本发明提供了一种制备纳米氮化镓薄膜的设备及方法，包括：容纳组件，容纳组件包括封闭设置的第一容器以及设置于第一容器内部且非封闭设置的第二容器；提拉组件，提拉组件穿设连接第一容器，其包括设置于第二容器内部且沿本设备高度方向升...
俞雅萍陈星回顾吴越
一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法
本发明涉及一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法，在衬底层的表面采用等离子体增强化学气相沉积法生长多层石墨烯层；将石墨烯层通过光刻和刻蚀制备图案化六方石墨烯掩膜结构；对掩膜结构进行无机清洗，去除窗口区域内刻蚀残留的...
曹冰陶佳豪李建洁蔡鑫
一种防止碳化硅基氮化镓薄膜沉积的离心载具
本实用新型涉及离心载具技术领域，且公开了一种防止碳化硅基氮化镓薄膜沉积的离心载具，包括载台，所述载台的上方设有盖罩，所述载台的上侧壁开设有多个放置槽，所述放置槽内放置有离心筒，所述离心筒的上侧壁铰接有盖板，所述盖板通过固...
肖陆军罗艾蔡清富
一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜及Micro-LED器件的方法
本发明公开了一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜及Micro‑LED器件的方法。在氮化镓衬底上进行PECVD沉积反应得到石墨烯层，采用刻蚀工艺得到长条状排列或方块形呈矩阵排列的石墨烯掩膜结构图案；采用MOCVD外延工艺...
曹冰李建洁蔡鑫陶佳豪
一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器及其制备方法
本发明涉及光电探测领域，公开了一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器，包括衬底、氮化镓薄膜、钙钛矿层、第一金属电极、第二金属电极，还包括卤素基二维材料层；所述衬底上依次为第一金属电极、钙钛矿层、氮化镓薄膜、卤素...
谷怀民许文竹
多孔氮化镓薄膜及其异质结的制备与光学性能研究
氮化镓（Ga N）作为第三代半导体材料的代表之一,具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、击穿场强度大、热导率高、热稳定性好和抗腐蚀性能好等优点,目前已广泛应用在了发光二极管（Light-emitting diode,LED...
詹廷吾
关键词：高温退火金纳米颗粒
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张进成
作品数：973被引量：103H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 势垒层 高电子迁移率晶体管 电极
宁静
作品数：133被引量：6H指数：1
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：石墨烯 氮化镓 氮化铝 氮化镓薄膜 衬底
郝跃
作品数：2,494被引量：1,198H指数：13
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
沈波
作品数：453被引量：265H指数：8
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 位错 成核
许晟瑞
作品数：210被引量：21H指数：3
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 非极性 衬底 GAN