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肖特基结多数载流子积累新型绝缘栅双极晶体管: 2024年; 绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是现代功率半导体器件的核心,因其良好的电学特性得到了广泛的应用.本文提出了一种具有肖特基结接触的栅半导体层新型多数载流子积累模式IGBT,并对其进行特性研究和仿真分析.当新型IGBT处于导通状态,栅极施加正向偏压,由于肖特基势垒二极管极低的正向导通压降,使得栅半导体层的电压几乎等于栅极电压,从而能够在漂移区中积累大量的多数载流子电子.除了现有的电子外,这些积累的电子增大了漂移区的电导率,从而显著降低了正向导通压降.因此,打破了传统IGBT正向导通压降受漂移区掺杂浓度的限制.轻掺杂的漂移区可以使新型IGBT具有较高的击穿电压,同时减小了关断过程中器件内部耗尽层电容,因此整体米勒电容减小,提升了关断速度,减小了关断时间和关断损耗.分析结果表明,600 V级别的击穿电压时,新型IGBT的正向导通压降,关断损耗和关断时间相比常规IGBT分别降低了46.2%,52.5%,30%,打破了IGBT中正向导通压降和关断损耗之间的矛盾.此外,新型IGBT具有更高的抗闩锁能力和更大的正偏安全工作区.新型结构的提出满足了未来IGBT器件性能的发展要求,对于功率半导体器件领域具有重大指导意义.; 段宝兴刘雨林唐春萍杨银堂; 关键词：绝缘栅双极晶体管关断损耗

具有多数载流子积累新型LIGBT设计: 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）是功率半导体器件中的核心一员,因其良好的电学性能得到了广泛的应用。此外,横向IGBT（Lateral IGBT,LIGBT...; 张瑶; 关键词：LIGBT 正向压降关断时间

多数载流子积累新型功率MOS器件设计及建模: 当前,在政策和市场的齐驱下,功率半导体迎来了飞速发展的黄金期,更是在国产替代中被寄予厚望。其中,功率金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transi...; 邢蓝天; 关键词：功率MOSFET 击穿电压比导通电阻解析模型

一种带有多数载流子二极管的碳化硅MOS器件: 本发明提供一种带有多数载流子二极管的碳化硅MOS器件。当MOS器件关断时，本发明通过引入多数载流子二极管和PN结二极管并联，同时利用多数载流子二极管其开启电压低、单极性电流导电的特点和PN结二极管导通电流大、耐压高的特点...; 黄兴陈欣璐; 文献传递

具有高K介质和多数载流子积累新型UMOS特性分析: 纵向功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor, MOS)器件是一种重要的功率半导体器件，在消费电子和工业控制等领域具有非常广泛的应用。比导通电阻和击穿电压是纵向功率MOS器件最重要的特性，...; 张琛; 关键词：比导通电阻击穿电压; 文献传递

一种分析空间单结太阳电池多数载流子输运的方法: 一种分析空间单结太阳电池多数载流子输运的方法，本发明涉及分析多数载流子输运的方法。本发明是要解决现有技术无法给出空间带电粒子辐照下电池内部载流子输运性质的变化规律的问题。本发明是通过步骤一、建立太阳电池开路电压退化模型；...; 王月媛胡建民齐佳红盛延辉崔海欣; 文献传递

一种分析空间单结太阳电池多数载流子输运的方法: 一种分析空间单结太阳电池多数载流子输运的方法，本发明涉及分析多数载流子输运的方法。本发明是要解决现有技术无法给出空间带电粒子辐照下电池内部载流子输运性质的变化规律的问题。本发明是通过步骤一、建立太阳电池开路电压退化模型；...; 王月媛胡建民齐佳红盛延辉崔海欣

具有多数载流子累积层作为子集电极的双极晶体管: 本发明公开了一种具有多数载流子累积层作为子集电极的双极晶体管。电子电路中包括的双极晶体管包括一个导电的背面电极、在该导电的背面电极上的绝缘层，以及在该绝缘层上的n型或者p型材料的半导体层。该半导体层包括用作集电极的掺杂区...; 蔡劲宁德雄欧阳齐庆; 文献传递

具有多数载流子累积层作为子集电极的双极晶体管: 本发明公开了一种具有多数载流子累积层作为子集电极的双极晶体管。电子电路中包括的双极晶体管包括一个导电的背面电极、在该导电的背面电极上的绝缘层，以及在该绝缘层上的n型或者p型材料的半导体层。该半导体层包括用作集电极的掺杂区...; 蔡劲宁德雄欧阳齐庆; 文献传递

硅中电离率与有效多数载流子浓度的温度关系被引量：1: 1996年; 该文研究了重掺杂引起的禁带变窄效应对电离率与有效多数载流子浓度的影响；建立了从７７Ｋ到３００Ｋ广为适用的数学模型．获得的计算结果在轻掺杂时与已有的计算数据相一致；而在重掺杂时，解决了已有文献未能解决的难题：杂质电离率随掺杂浓度的增大而上升的定量计算．; 肖志雄郑茳魏同立; 关键词：硅电离率载流子浓度温度重掺杂

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