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一种带有双浮空的超结结构LDMOS器件
本发明公开一种带有双浮空的超结结构LDMOS器件。本发明包括衬底区、超结区、源极区、漏极区和栅极区,在所述超结区的上方覆盖有板,并在超结区采用双浮空结构,用于减缓超结区PN结掺杂时的曲率效应,并同时改变漏极...
许凯康平瑞吴永玉黄霄云许成刚宋逸贤
具有配置的X射线传感器
所提出的技术提供了一种X射线传感器(1),该X射线传感器具有有源检测器区,该有源检测器区包括布置在该X射线传感器(1)的表面区(3)上的多个检测器二极管(2)。该X射线传感器(1)进一步包括围绕包括该多个检测器二极管(2...
米特克·巴科夫斯基霍尔特里德马特斯·丹尼尔松许成
结构的制备方法及系统
本发明公开了一种结构的制备方法及系统,所述制备方法包括:预设推进信息表,推进信息表存储有制备结构的高温炉管的推进信息与应用景的映射表,推进信息包括推进温度和推进时长,应用景包括应用设备和应用...
车鑫川张洁刘东栋
一种沟槽-复合终端结构的设计
2024年
为了改善硅功率器件击穿电压性能以及改善IGBT电流的流动方向,提出了一种沟槽-复合终端结构。分别在主结处引入浮空多晶硅沟槽,在的左侧引入带介质的沟槽,沟槽右侧与左侧横向扩展界面刚好交接。结果表明,这一结构改善了IGBT主结电流丝分布,将一部分电流路径改为纵向流动,改变了碰撞电离路径,在提高主结电势的同时也提高器件终端结构的可靠性;带介质槽的结构进一步缩短了终端长度,其横纵耗尽比为3.79,较传统设计的结构横纵耗尽比减少了1.48%,硅片利用率提高,进而减小芯片面积,节约制造成本。此方法在终端设计中非常有效。
高兰艳冯全源李嘉楠
关键词:场限环功率器件
一种功率半导体器件结构的制备方法
本申请公开了一种功率半导体器件结构的制备方法,包括:提供衬底,在衬底上沉积生长第一外延层,衬底和第一外延层均为第一型掺杂;在第一外延层的区域刻蚀多个间隔设置的沟槽;在刻蚀后的第一外延层上沉积生长第二外延...
黄平鲍利华顾海颖王祥亮
一种具有N埋层的终端结构及工艺方法
本发明公开了一种具有N埋层的终端结构及工艺方法,本发明所述的一种具有N埋层的终端结构,在注入前注入一层N埋层,N埋层可以有效地降低的结深,使在多一道推结的情况下与主结有相近的结深。同时可以有...
汤雨欣张军亮徐西昌
一种具有掩埋式的碳化硅器件接地方法
本发明公开一种具有掩埋式的碳化硅器件接地方法。该方法包括以下步骤:进行网格状元胞版图设计,使具有掩埋式的碳化硅元胞呈现网格状排列;对元胞实行交叉节点分布式接地或分段分布式接地,以减小器件的特征尺寸,降低器件单...
孙清清徐航张卫
一种具有结终端的超宽禁带半导体二极管
本发明公开了一种具有结终端的超宽禁带半导体二极管,包括衬底层、外延层、介质层、阴极金属层、多个和阳极金属层,其中外延层和衬底层为第一超宽禁带半导体材料;为第二超宽禁带半导体,由第一、第二、第三淀积层组成...
张金平刘雅正正世伟张波
一种具有结终端的超宽禁带半导体二极管
本发明公开了一种具有结终端的超宽禁带半导体二极管,包括衬底层、外延层、介质层、阴极金属层、多个和阳极金属层,其中外延层和衬底层为第一超宽禁带半导体材料;为第二超宽禁带半导体,与外延层形成异质结结构改善电...
张金平张琨侯炜政张波
一种复合圆形版图横向功率器件及制备方法
本发明公开了一种复合圆形版图横向功率器件及制备方法,括衬底、埋氧层、有源层、复合、源极金属、栅极金属和漏极金属;横向功率器件的横截面呈圆形或椭圆形,有源层包括从内至外依次同轴布设的半导体漏区、漂移区和半导体阱...
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张波
作品数:4,890被引量:6,808H指数:42
供职机构:电子科技大学
研究主题:功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 导电类型 无线
李泽宏
作品数:1,000被引量:110H指数:5
供职机构:电子科技大学
研究主题:导通压降 功率半导体器件 半导体功率器件 导电类型 关断损耗
张金平
作品数:540被引量:65H指数:5
供职机构:电子科技大学
研究主题:导通压降 功率半导体器件 关断损耗 槽栅 漂移区
田晓丽
作品数:93被引量:19H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:碳化硅 IGBT器件 绝缘栅双极晶体管 衬底 场限环
任敏
作品数:490被引量:21H指数:3
供职机构:电子科技大学
研究主题:导电类型 功率半导体器件 漂移区 半导体 导通压降