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搜索到438篇“ 反斯托克斯发光“的相关文章

基于反斯托克斯发光及电磁微结构的太赫兹焦平面探测器: 本发明一种基于反斯托克斯发光及电磁微结构的太赫兹焦平面探测器，属于探测器领域；包括耦合模块和表征模块，表征模块贴合于耦合模块的背面；所述耦合模块为焦平面阵列，表征模块为掺杂了反斯托克斯发光粒子的PDMS薄膜；耦合模块吸收...; 朱海亮王开牟进超刘甘雨周雨欣狄玉洁王庚辰谢胜琳

一种绿光到红光发射的双钙钛矿反斯托克斯发光材料及其发光膜的制备: 本发明提供了一种以双钙钛矿钨酸盐为单一基质的上转换发光材料及发光膜的制备。所述的双钙钛矿钨酸盐为单一基质的上转换发光材料，它的化学式为Ca3‑x‑yWO6：xYb3+...; 徐登辉高雪冬孙家跃; 文献传递

一种绿光到红光发射的双钙钛矿反斯托克斯发光材料及其发光膜的制备: 本发明提供了一种以双钙钛矿钨酸盐为单一基质的上转换发光材料及发光膜的制备。所述的双钙钛矿钨酸盐为单一基质的上转换发光材料，它的化学式为Ca3‑x‑yWO6：xYb3+...; 徐登辉高雪冬孙家跃

高激发功率密度与真空条件下的反斯托克斯发光过程: 2013年; 通常上转换机制大体可归纳为三类:1) 基态与激发态的步进吸收过程;2) 掺杂离子间的能量传递型上转换;3) 光子雪崩型上转换,这些跃迁过程都发生在带间掺杂稀土离子的4fN^4fN组态之间。在高激发功率密度与真空条件下,稀土氧化物发生了一类特殊的上转换过程,在激发发射机制上不同于上述已知的上转换形式。光子数拟合和光电导测量结果表明这是一种带隙激发过程,激发过程始于稀土离子基态,经多光子过程到达导带;电子由导带的退激发过程导致了起源于电荷迁移态、带间能级辐射跃迁、激子复合等多种发光过程,加上光致黑体辐射形成了具有多种发光起源的混合反斯托克斯发射,在光谱上表现为宽带连续强发射。因此发光机制是掺杂离子(激发态过程)与基质(带隙激发)体系的整体协同激发发射过程,分立发光与复合发光两类不同的发光机制中的各种形式,都参与了这种特殊的上转换激发发射过程。激发功率密度、激活离子掺杂浓度、样品所处环境的真空度以及基质带隙宽度,是实现这种近红外激发下的反斯托克斯发射的关键实验条件。在功率密度为50 W/cm2的1 W 980 nm近红外激发下,能量转化率可达10%以上,亮度可达100,000 cd/m2,流明效率达到15 lm/W,色度可通过对真空度、激发功率密度及掺杂浓度等实验参数来连续调配。这类特殊的反斯托克斯过程不仅在机制分析和新掺杂体系尝试两方面有大量的理论和实验工作值得深入挖掘拓展,在应用方面还有开发特种需求的高亮度白光点光源,非接触型气压传感器的潜在价值。; 王绩伟卢雪梅刘兴辉范晓星王中文梁雅秋谭天亚梅勇刘忠坤郝建华TannerPeter A.; 关键词：真空多光子过程

ZnCdSe/ZnSe量子阱中的反斯托克斯发光: 王兴军魏彦锋盛传祥俞根才黄大鸣; 关键词：反斯托克斯发光

上转换纳米晶的光学显微表征与光物理过程研究: 上转换纳米晶的问世促进了光学显微技术在生物成像及超分辨等领域的发展,达到准确探测发光信号的主要步骤在于对上转换纳米晶进行高质量的光学显微表征。在本论文中,我们利用自搭建倒置显微镜和光学探测器等实验设备,在纳米尺度下对上转...; 冯霞; 关键词：反斯托克斯发光单颗粒发光强度发光光谱

罗丹明类荧光团构筑的长波长型化学传感器研究: 罗丹明类荧光团具有摩尔消光系数大、量子产率高、光稳定性好、水溶性好等优点，被广泛用于各类探针的设计合成中。其设计的主要思路是，通过分子酰胺内螺环的形成与否，控制结构中氧杂蒽平面的共轭体系以调节分子的荧光发射。　　在探针结...; 董喆; 关键词：反斯托克斯发光荧光化学传感器

Anti-Stokes luminescence in bismuth-doped high-germania core fibres: This paper presents a study of anti-Stokes luminescence in optical fibres with a bismuth-doped ∼50%GeO{sub 2} ...; Firstov, S. V.;Firstova, E. G.;Kharakhordin, A. V.;Riumkin, K. E.;Alyshev, S. V.;Melkumov, M. A.;Dianov, E.M., E-mail: fir@fo.gpi.ru [Fiber Optics Research Center, Russian Academy of Sciences, ul. Vavilova 38, 119333 Moscow (Russian Federation)]

Anti-Stokes luminescence in the light of second order perturbation theory: Anti-Stokes photoluminescence is measured in high-quality GaAs quantum wells. The primary pathway for interban...; Bhattacharya, Rupak;Pal, Bipul;Bansal, Bhavtosh [Indian Institute of Science Education and Research Kolkata, Mohanpur, Nadia, West Bengal 741246 (India)]

Characteristics of intermediate state related to anti-Stokes luminescence of ZnO single crystals: Anti-Stokes luminescence from ZnO is supposed to be a two-step two-photon absorption process with an intermedi...; Fujii, Katsushi [Global Solar Plus Initiative, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904 (Japan)];Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University, Aramaki aza Aoba 6-3, Aoba-ku, Sendai 980-8578 (Japan)];Goto, Takenari [Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University, Aramaki aza Aoba 6-3, Aoba-ku, Sendai 980-8578 (Japan)];Nakamura Lab., RIKEN, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198 (Japan)];Yao, Takafumi [Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University, Aramaki aza Aoba 6-3, Aoba-ku, Sendai 980-8578 (Japan)];Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568 (Japan)]

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