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化学气相沉积
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相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
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被引量排序
时效性降序
时效性升序
化学气相沉积
被引量:5
1989年
化学气相沉积
(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是利用
化学
反应由
气相
生长固体物质的方法。一般把反应物是气体而生成物之一是固体的反应称为CVD反应。通常CVD要利用高温或其它激活方法,依靠
化学
反应制取所需要的薄厚膜。
田民波
关键词:
化学气相沉积
CVD
半导体
热丝
化学气相沉积
组件
本发明公开一种热丝
化学气相沉积
组件,热丝
化学气相沉积
组件包括热丝盒和热丝,热丝盒围绕成型第一腔室,热丝盒包括沿第一方向相对设置的第一侧板和第二侧板;热丝的数量为多个,多个热丝位于第一腔室内并沿第二方向间隔排列,第二方向与...
牛靖凯
陈国军
王玮
刘杰
汪海军
杨博
董伟
赵东明
李孟蕾
王立闯
杨斌
周颖
虞祥瑞
陈传科
化学气相沉积
方法
本申请属于半导体技术领域,具体涉及一种
化学气相沉积
方法,用于形成目标膜层,所述
化学气相沉积
方法包括:在基底上以第一
沉积
速度
沉积
基础层,所述基础层的厚度小于所述目标膜层的厚度,所述第一
沉积
速度小于预设值;在所述基础层远离所...
张盈盈
连续式
化学气相沉积
设备和方法
本公开涉及
化学气相沉积
技术领域,特别地涉及一种连续式
化学气相沉积
设备和
沉积
方法。设备包括:主体装置和设置在所述主体装置内的传输装置,所述主体装置具有通过所述传输装置依次连接的准备室、反应室和热处理室;气体支持装置,与所述...
朴钟熏
崔海珍
金锡津
一种等离子体
化学气相沉积
装置
本发明提供一种等离子体
化学气相沉积
装置,包括工作台,工作台中间部分固定安装有伸缩气压杆,伸缩气压杆的正后方设置有位于工作台上端的伸缩推杆,伸缩推杆的顶部侧壁上设置有L型支撑柱,工作台上还竖向安装有支撑板,支撑板的侧壁上前...
石雄安
游归燕
王伟
陈俊鸿
微波等离子体
化学气相沉积
装置
本发明涉及一种微波等离子体
化学气相沉积
装置,包括:波导装置;反应腔,设置在所述波导装置下方,与所述波导装置连接;冷却罩,与所述反应腔连接,用于对所述反应腔进行风冷散热;屏蔽罩,围设在所述反应腔外部,以防止所述反应腔内的电...
牛进毅
苗岱
一种微波等离子体
化学气相沉积
装置
本发明公开了一种微波等离子体
化学气相沉积
装置,属于
化学气相沉积
装置技术领域,包括微波发生器以及与微波发生器相连接的三销钉,所述三销钉出口连接有模式转换器,模式转换器的另外两个出口分别连接有腔体以及短路活塞,所述腔体内设置...
刘永宁
赵俊芳
一种等离子体
化学气相沉积
设备工作台
本实用新型公开了一种等离子体
化学气相沉积
设备工作台,其技术方案要点是:包括放置盒,所述放置盒的内部活动套设有放置板,所述放置板的顶面固定连接有等离子体
化学气相沉积
设备;格挡板,所述格挡板活动套设在所述放置盒的内部,所述格...
魏安求
逯好峰
叶小健
碳硬掩模的等离子体增强
化学气相沉积
在一个或多个实施例中,一种用于通过等离子体增强
化学气相沉积
(PECVD)来
沉积
碳硬掩模材料的方法包括:将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度;以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生...
B·S·权
P·K·库尔施拉希萨
K·D·李
B·阿夫扎尔
S·哈
V·K·普拉巴卡尔
V·卡尔塞卡尔
S·托卡奇丘
爱德华四世·P·哈蒙德
一种工件支撑点切换装置及
化学气相沉积
炉
本发明公开了一种工件支撑点切换装置,涉及
化学气相沉积
技术领域,包括封头组件;支撑组件设置于所述封头组件上,所述支撑组件包括位于所述封头组件上方的多个支撑柱,所述支撑柱用于支撑工件;换位组件包括高度切换驱动和多个换位部,所...
刘鹏
徐文立
陈可杰
李婷
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汪建华
作品数:372
被引量:850
H指数:12
供职机构:武汉工程大学材料科学与工程学院
研究主题:化学气相沉积 金刚石薄膜 金刚石膜 微波等离子体 金刚石
韩高荣
作品数:1,299
被引量:1,718
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刘忠范
作品数:488
被引量:827
H指数:17
供职机构:北京大学
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马志斌
作品数:207
被引量:391
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研究主题:金刚石薄膜 金刚石 微波等离子体化学气相沉积 化学气相沉积 单晶金刚石
成会明
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