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材料微区光学性质测量装置: 本发明涉及材料光学性质测量技术领域，具体涉及一种材料微区光学性质测量装置，该装置包括第一光源、反射光学通道、透射光学通道、信号测量通道和信号处理系统；第一光源，用于为反射光学通道和透射光学通道提供入射光；反射光学通道，用...; 孙竞博刘元峰文永正周济

具有光学性质和机械性质的光学器件: 本申请涉及具有光学性质和机械性质的光学器件。一种光学器件包括基底和被施加至基底的涂层，其中所述光学器件具有暴露于环境的第一侧和未暴露的第二侧。; 雅罗斯拉夫·齐巴马库斯·比尔格

用于测量电子性质和光学性质的测量设备以及测量方法: 本揭露提供一种用于测量电子性质和光学性质的测量设备以及测量方法。测量设备用于测量电子性质和光学性质。测量设备包括测试座、发光组件电路、光学装置、信号转换电路以及控制主机。测试座具有测量探针。测试座通过测量探针来测试半导体...; 高克毅樊光明蔡旺志林建利

不同掺杂浓度Lu掺杂GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究: 2024年; 采用密度泛函理论下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了本征GaN和不同Lu掺杂浓度(原子数分数)Ga1-xLuxN(x=0.0625、0.125、0.1875、0.25)体系的电子结构和光学性质,研究了掺杂浓度为12.5%和18.75%时相同掺杂量下不同空间有序占位体系结构的稳定性。计算结果表明:掺杂后体系晶格参数均有所增大,Lu的掺入诱导了浅能级杂质,使掺杂后体系带隙较本征带隙(3.40 eV)小;与本征GaN相比,掺杂体系的静介电常数均增加,当掺杂浓度为25%时,静介电常数增大为5.42,介电函数虚部和吸收谱往低能方向移动,发生了红移现象,吸收光谱范围增大,最终GaN的光催化性能得到提升。; 付莎莎肖清泉唐华著姚云美邹梦真叶建峰谢泉; 关键词：氮化镓电子结构光学性质

Cu∶Co∶Mg∶LiNbO_(3)晶体电子结构和光学性质: 2024年; 基于第一性原理研究了LiNbO_(3)晶体及不同Mg浓度下的Cu∶Co∶LiNbO_(3)晶体的电子结构和光学性质。Cu∶LiNbO_(3)和Co∶LiNbO_(3)晶体禁带宽度分别为3.279 eV和3.333 eV,在带隙中出现的杂质能级主要由Cu 3d和Co 3d轨道贡献。在抗光折变Mg离子物质的量浓度达到阈值(约6%)时,光折变掺杂离子在3.069 eV和2.363 eV处表现出较好的光吸收。研究表明,与低浓度Mg离子掺杂晶体相比,Mg离子物质的量浓度达到阈值浓度(约6%)时,存储参量中的衍射效率增强、动态范围增加和灵敏度增高,在双光存储应用中更有优势。; 陈小奇张耘刘林凤; 关键词：第一性原理电子结构光学性质

硼磷烯量子点的电子结构和光学性质研究: 2024年; 采用紧束缚近似方法对锯齿状六边形硼磷烯量子点在平面电场和垂直磁场调控下的电子结构和光学性质进行了研究.研究表明,硼磷烯量子点作为直接带隙半导体,在无外加电场和磁场作用时,能隙不随尺寸的改变而变化.在平面电场调控下,能隙随电场强度的增加逐渐减小直至消失,平面电场方向几乎不会对硼磷烯量子点体系产生影响,且随量子点尺寸的增大,能隙消失所需电场强度逐渐减小.在垂直磁场调控下,表现为体态的能级在磁场作用下形成朗道能级,而能隙边缘处的朗道能级近似为一个平带,不随磁通量的改变而变化,态密度主要分布于朗道能级处.另外,垂直磁场作用下的光吸收主要是由朗道能级之间的跃迁引起的.; 王乃晔陈桥; 关键词：量子点

光学性质剖析,实例探究思考——以抛物线的光学性质为例: 2024年; 众多圆锥曲线含有光学性质,探究特性、总结规律、生成结论 ,有助于分析推理圆锥曲线问题.文章以抛物线为例,探究总结其光学性质并证明归纳,结合实例应用探究,提出教学建议.; 陆琪; 关键词：圆锥曲线光学性质

第一性原理研究In,Cr,Sb掺杂BiOIO_(3)的电子结构和光学性质: 2024年; 基于第一性原理研究In,Cr,Sb掺杂BiOIO_(3)的电子结构和光学性质的理论机制。BiOIO_(3)与In,Cr,Sb掺杂BiOIO_(3)四种结构体系的带隙值分别为1.910,1.837,1.777和1.603eV,与BiOIO_(3)本征带隙相比较,掺杂In,Cr,Sb元素后跃迁方式都由间接带隙变为直接带隙,这一变化表明掺杂后减少了跃迁需要的能量。且Cr掺杂体系表现出n型半导体特性,表明引入Cr加快了电子的迁移速率,使Cr掺杂BiOIO_(3)具有更高的导电性能。在对光学性质的研究中,发现掺杂元素Cr后BiOIO_(3)对紫外光、红外光区域的吸收能力都大幅度提升,并提高了可见光光催化活性。掺杂In,Cr,Sb后BiOIO_(3)晶体在1064nm处的双折射率分别为0.227,0.141和0.247,In和Sb掺杂增大了双折射率,而掺杂Cr元素降低了双折射率。; 苟杰王云杰白雪苏欣; 关键词：电子结构光学性质第一性原理

Rb吸附石墨烯纳米带电子性质和光学性质的研究被引量：1: 2024年; 本文基于密度泛函理论的第一性原理方法了计算了Rb、O和H吸附石墨烯纳米带的差分电荷密度、能带结构、分波态密度和介电函数,调制了石墨烯纳米带的电子性质和光学性质,给出了不同杂质影响材料光学特性的规律.结果表明本征石墨烯纳米带为n型直接带隙半导体且带隙值为0.639 eV;Rb原子吸附石墨烯纳米带之后变为n型简并直接带隙半导体,带隙值为0.494 eV;Rb和O吸附石墨烯纳米带变为p型简并直接带隙半导体,带隙值增加为0.996 eV;增加H吸附石墨烯纳米带后,半导体类型变为n型直接带隙半导体,且带隙变为0.299 eV,带隙值相对减小,更有利于半导体发光器件制备.吸附Rb、O和H原子后,石墨烯纳米带中电荷密度发生转移,导致C、Rb、O和H之间成键作用显著.吸附Rb之后,在费米能级附近由C-2p、Rb-5s贡献;增加O原子吸附之后,O-2p在费米能级附近贡献非常活跃,C-2p、Rb-5s和O-2p电子态之间强烈的杂化效应,促使费米能级附近的杂质能级分裂成能带;再增加H原子吸附之后,Rb-4p贡献发生蓝移,O-2p在费米能级附近贡献非常强,费米能级分裂出两条能带.Rb、O和H的吸附后,明显调制了石墨烯纳米带的光学性质.; 王伟华罗杰周嘉旭; 关键词：石墨烯纳米带光学性质第一性原理

钾掺杂对纤锌矿型氧化锌电子结构和光学性质的影响: 2024年; 针对纯纤锌矿型ZnO禁带宽度较高,不能吸收大部分可见光的问题,采用基于密度泛函理论的第一性原理,构建了钾掺杂ZnO的4种超胞模型,并对4种模型进行几何优化,计算了KXZn1-XO的能带结构、态密度和光吸收性能。结果表明:采用广义梯度近似法(GGA)+U方法计算得到纯氧化锌带隙为3.373 eV,与实验值一致;随着钾掺杂量X的增大,ZnO的禁带宽度Eg出现先增大后减小再增加的现象,KXZn1-XO吸收带发生先蓝移后红移的现象。; 马战红于仁红任凤章; 关键词：第一性原理电子结构光学性质

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