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用于碳化硅晶体材料的位错分布: 公开了提供改进的位错分布的碳化硅(SiC)晶片、SiC晶锭和相关方法。提供的SiC晶锭在更长的晶锭长度上表现出降低的位错密度和改进的位错均匀性。对应的SiC晶片包括降低的总位错密度(TDD)值和改进的TDD径向均匀性。S...; 尤里·赫列布尼克夫罗伯特·泰勒·莱昂纳德叶利夫·巴尔卡斯斯蒂文·格里菲思瓦莱里·茨韦特科夫迈克尔·佩斯利

辐照缺陷装饰位错是否会导致硬化?: 2024年; 纳米尺寸的辐照缺陷常常会在位错线附近聚集,形成装饰效应.研究者通常采用级联诱导源硬化模型描述装饰效应引起的辐照硬化.本研究工作发现不可动辐照缺陷装饰位错会导致辐照硬化,硬化程度与理论模型预测一致.然而,当装饰辐照缺陷可动时,则不发生辐照硬化,甚至发生软化,这种硬化消失是由于位错环始终处于与位错线相互作用力近似为零的区域,并与位错线发生关联运动.该工作带来了对辐照缺陷装饰效应和辐照硬化的新理解.; 崔嵬刘伟崔一南; 关键词：辐照缺陷位错环纳米尺寸

一种位错界面特征三维可视化方法: 本发明公开了一种位错界面特征三维可视化方法，通过透射电镜获得图像构建位错界面在晶体坐标系下描述的三维图像，并获取位错界面的组分位错的柏氏矢量；根据三维图像反映的位错界面的构型以及组分位错的柏氏矢量、线方向和所在滑移面法向...; 冯宗强杨涵劳洲界王子今符锐黄晓旭

一种单晶高温合金的位错密度测定方法: 本发明公开一种单晶高温合金的位错密度测定方法，涉及位错密度测量领域，方法包括对单晶高温合金样品进行脉冲火花放电切割成型，得到试样；采用离子减薄仪对试样进行减薄至试样中心穿孔；采用透射电镜对中心穿孔后的试样进行成像，确定感...; 裴延玲王海波张双琪李树索宫声凯

增材制造成形件中位错的研究进展: 2024年; 增材制造是通过逐层堆积的方法制造实体零件的一种革命性技术,其成形性能受成形工艺、微观结构、沉积路径等影响,其中,位错作为晶体微观结构中广泛存在的一种线缺陷,是决定金属性能的一个重要因素。为深层次理解增材制造性能影响的本质机制,需进一步了解增材制造成形件中的位错特点。本文基于近年来增材制造成形件中位错的研究成果,梳理了位错的起源、特征和密度,分析了位错对强度等性能的影响。与传统制造相比,增材制造成形过程中因固有的循环加热-冷却而造成的压缩-拉伸应力循环使得增材制造成形件中的位错具有独特的结构和性质。在塑性变形中,位错随应变变化明显,不同的初始位错影响成形件对应变的响应;增材制造成形件中测量的位错密度高于锻件或铸件,不同位置、不同形状的位错密度也存在一定的差异;位错强化是增材制造成形件中的主要强化作用,与此同时,在钢的成形件中,位错还可诱发马氏体相变,促使再结晶,另外还影响成形件的腐蚀、蠕变和氢脆等。; 田根王文宇王晓明赵阳韩国峰任智强朱胜; 关键词：增材制造位错结构位错密度位错强化

具有位错结构的半导体NMOS器件形成方法: 本发明提供一种具有位错结构的半导体NMOS器件形成方法，提供衬底，衬底上形成有栅极结构或伪栅极结构；在栅极结构或伪栅极结构的侧壁形成第一侧墙，之后利用离子注入形成轻掺杂漏；在第一侧墙上形成第二侧墙，之后利用离子注入形成源...; 张强强

一种晶片的位错腐蚀液及位错腐蚀方法: 本发明属于半导体衬底材料缺陷检测技术领域，具体涉及一种晶片的位错腐蚀液及位错腐蚀方法，所述位错腐蚀液由浓盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液组成；所述浓盐酸、双氧水和去离子水的配比为：浓盐酸的体积为15‑25份，双氧水的体积...; 练小正高洁胡萍许照原

氨热法GaN单晶生长的位错密度演变研究: 2024年; 氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用氨热法生长了氮化镓单晶,利用扫描电子显微镜(SEM),光学显微镜和湿法腐蚀研究了氨热法氮化镓单晶籽晶区至侧向生长区的位错演变。研究结果表明,侧向生长区的氮化镓单晶位错密度明显低于籽晶区,侧向生长超过25μm后,位错密度降低2个数量级。; 夏政辉李腾坤任国强解凯贺卢文浩李韶哲郑树楠高晓冬徐科; 关键词：位错密度腐蚀坑

一种氧化层的位错测量设备及其测量方法: 本发明公开了一种氧化层的位错测量设备及其测量方法，涉及材料科学技术领域，该氧化层的位错测量设备及其测量方法，解决了传统氧化层的位错测量方式存在局限性，无法准确测量位错密度和位错类型，刻蚀过程可能会引入新的位错，从而影响测...; 王烨华

一种砷化镓多晶的位错腐蚀液及其位错腐蚀方法: 本发明涉及半导体材料技术领域，具体是一种砷化镓多晶的位错腐蚀液及其位错腐蚀方法。本发明提供的位错腐蚀液包括：浓硝酸、氢氟酸和水；所述浓硝酸的质量浓度为50wt％～68wt％；所述氢氟酸的质量浓度为28wt％～40wt％；...; 张浩易明辉张汪阳

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